다이오드 V-C 커브

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      1. 다이오드 V-C 커브 - 이 페이지
  2. 참조
    1. 다이오드 V-I 커브
    2. 실리콘 다이오드 웨이퍼
depletion region in reverse bias
측정시 고려사항
1. C미터에서, osc 전압을 20mV로 한다.
  1. 더 높으면 +전압 파형에서 다이오드 순방향으로 전류가 흐르므로 C값 측정이 안된다.
2. 바이어스 전압은 아래 간격으로 측정한다.
  1. 1mV~9mV, 1mV
  2. 10mV~90mV, 10mV
  3. 100mV~900mV, 100mV
  4. 1V~9V, 1V
  5. 10V~40V, 10V
범용 정류다이오드
1. 1N5401, 3A 70Vrms
  1. Vishay 규격서에서, reverse voltage에 따른 juction capacitance
    - 1MHz, 50mVp-p(17.7mVrms)로 측정했다.
  2. -10V에서 +1V에서 C값
    - Vf가 가까워지면 depletion layer가 얇아져 C값이 급속히 증가한다.
    - 이 다이오드는 Vf가 0.53V이므로 C값이 측정되지 않는다.
    - 0.45V에서 C값 증가에 따른 임피던스 낮아짐과 반도체 저항 낮아짐이 균형을 이루어 피크값을 보인다.
  3. 측정 주파수 1kHz와 1MHz 차이. 의미있는 값이 나오는 1MHz에서 측정하자.
    - 임피던스. Vf ~1V근처에서 임피던스가 매우 낮아진다.
    - 위상. 바이어스 0.6V 에서 1MHz 위상이 0이 된다.
  4. 측정전압(20mV, 50mV, 100mV, 500mV, 1000mV)에 따른 1MHz 임피던스 및 위상
    - 임피던스. 20mV 및 50mV에서만 연속 측정된다.
    - 위상. 측정전압과 무관하게 위상0 지점은 바이어스 전압 0.6V에 나타난다.