질화알루미늄

전자부품
1. 세라믹기판
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질화알루미늄(aluminium nitride, AIN) 기판
1. 위키페디아 Aluminium nitride https://en.wikipedia.org/wiki/Aluminium_nitride
  1. 열전도도는 다결정 세라믹 상태에서는70~210W/(mK), 단결정상태에서는 285W/(mK)를 갖는다. 최대 321W/(mK)이다.
  2. 불활성 상태에서는 2200도씨에서 녹는다. 진공상태에서는 1800도씨에서 분해된다. 공기중에서는 700도씨에서 산화되어 실온에서 5~10nm 산화층을 형성한다. 산화층은 1370도씨까지 재료를 보호한다.
  3. Cl2 기반 반응성 이온 에칭으로 에칭된다.
  4. 애피택셜 방식으로 성장한 박막 결정질은 압전특성을 갖는다. FBAR 필터에 사용된다.
기술
1. 특징
  1. 알루미나에 비해 열전도도가 6배 이상 높다.
  2. 기판용으로는 백색기판(마루와), DBC기판, DBA기판, 박막기판, 패키지기판, 메탈라이징기판 등이 있다.
  3. 순도
    1. 고품질 99.9% 평균입도 1um 이하
    2. 중급품질 순도 99.0% 평균입도 1um 급
2. 자료
  1. - 8p
발견
1. 플래시LED
  1. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰
    - 질화알루미늄을 사용하는 DBC 기판에 은도금을 하여
2. 나사체결형 정류다이오드, APT2X30D100J, 1000V 30A, APT(Advanced Power Technology) Ultrafast Recovery 다이오드 두 개, 질화알루미늄 AlN 기판을 사용한 듯.
  - 마킹, ALN, Philippines