1년, 12일, 17시간, 48분 - Togotech

"DRAM"의 두 판 사이의 차이

(새 문서: DRAM <ol> <li>링크 <ol> <li> 전자부품 <ol> <li> 메모리 <ol> <li> ROM <ol> <li> PROM <li> EEPROM <li> Flash Memory, Flash <li> UV-EPROM </ol> <...)
 
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<li>이 페이지에서는 DRAM, SDRAM(synchronous dynamic RAM), SGRAM(Synchronous Graphics RAM) 구분하지 않는다.
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<li>ELPIDA B130ABC, 1Gb Mobile DDR2
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<li>트랜시버IC, GCT GDM7243S 에서
 
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<li>NANYA 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
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<li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰에서, Apple A7에서
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<li>패키지 위에 패키징된 [[DRAM]]이 올라가 있는 PoP(Package On Package) 형태임.
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<li>맨 위는 Elpida 8Gbit DDR3 [[DRAM]] 이다.
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<li>보드에서 [[실드 깡통]]을 벗기면
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image:iphone5s01_128.jpg | 특별히 캔 오른쪽에는 [[히트 스프레더]]용 [[그라파이트 시트]]가 붙어 있다.
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image:iphone5s01_129.jpg | IC와 캔 사이에는 특별한 [[서멀 패드]]가 없이 접촉하는 듯.
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image:iphone5s01_130.jpg | A7 마킹은 [[DRAM]]에 된다.
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<li>주변에 사용된 Low ESR, ESL [[MLCC]]
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image:iphone5s01_131.jpg | [[low ESL]] MLCC
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image:iphone5s01_132.jpg
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image:iphone5s01_133.jpg | 3단자 C [[LC필터]]
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<li>디솔더링 후, PoP된 층을 다시 디솔더링하면
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image:iphone5s01_130_003.jpg | PoP
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image:iphone5s01_130_002.jpg | AP 밑면 BGA
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image:iphone5s01_130_001.jpg | AP 다이방열을 위해 위에 있는 [[DRAM]]과 완전 밀착
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<li>순수한 [[모바일AP]]
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<li> [[임베디드PCB]]로 만든 [[인터포저]]
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image:iphone5s01_130_004.jpg
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image:iphone5s01_130_005.jpg | [[MLCC]] 1.0x0.5mm 도금으로 연결됨
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<li>AP 다이
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image:iphone5s01_130_006.jpg | [[발연질산]]에 넣어 분해시, [[유리섬유 직물]]이 부풀어 올라 다이 가장자리가 깨짐
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image:iphone5s01_130_007.jpg | 가열하여 솔더볼 SMT 접합으로 확인함
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<li> [[DRAM]] Elpida 8Gbit DDR3 이므로, 다이 하나가 4Gbit
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image:iphone5s01_130_008.jpg | 다이 두 개를 [[다이본딩]], [[와이어본딩]]
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image:iphone5s01_130_009.jpg
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image:iphone5s01_130_010.jpg | 위쪽 다이 ELPIDA F440AAA
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image:iphone5s01_130_011.jpg | 아래쪽 다이 ELPIDA F440AAA
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image:iphone5s01_130_012.jpg | 와이어를 찾을 수 없었기 때문에 [[Cu 볼 와이어본딩]]으로 추정함.
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<li> [[Sony XCD-SX910CR]] IEEE1394 동영상카메라에서
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image:xcd_sx910cr_007.jpg | Elpida DS1232AA, 128M-bit S[[DRAM]]
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<li>HYUNDAI
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<li> [[Palm Vx]] PDA에서
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image:palm_vx_013.jpg | HYUNDAI GM71VS65163CLT5, 64Mbit DRAM
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<li> [[ML-7110B, 파드(pod)]] 에서
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image:ml7110b_pod_015.jpg | FROM = [[Flash Memory]] Fujitsu 29LV160TE, Hyundai GM71VS18163CLT6 16Mbit [[DRAM]]
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</ol>
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<li>Hynix
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<li> [[DELL studio1737]] 노트북
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image:dell_studio1737_002.jpg | 그래픽용 Hynix HY5PS561621B 256M-bit DDR2 [[SDRAM]]
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<li> [[아이트로닉스 ITE-1000]], [[내비게이션]]에서에서, mobile용이란 뜻을 알 수 있는 제품
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<li> [[모바일AP]] 파트
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<li>하이닉스 H5MS5162DFR 512Mbit Mobile DDR SDRAM (두 개 이므로 128MB)
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<li>칩 전체
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image:ite1000_01_078_001.jpg | 질산에서 꺼내
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image:ite1000_01_078_002.jpg | 표면을 살짝 연마한 후
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<li>4사분면
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image:ite1000_01_078_003.jpg | DJC058C
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<li>2사분면
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image:ite1000_01_078_004.jpg
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image:ite1000_01_078_005.jpg
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<li>1사분면
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image:ite1000_01_078_007.jpg
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image:ite1000_01_078_008.jpg
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image:ite1000_01_078_009.jpg
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<li>상단 가장자리 다이싱 빈 공간에 길게 공정별 해상도 챠트가 있음
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image:ite1000_01_078_010.jpg
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<li>Infineon
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<li> [[Palm TX]] PDA에서
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image:palm_tx_013.jpg | Samsung K9F1G08U0A NAND Flash 128MByte, intel 28F640J3C115 64Mbit Flash, Infineon HYB25L256160AF 256Mbit Mobile [[DRAM]](=low-power SDRAM)
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<li>Micron
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<li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰에서, AP+RAM 붙인 PoP(Package On Package)에서
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<li>윗면에는 Micron 회사의 RAM 이다.
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image:redmi_note4x_138.jpg
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image:redmi_note4x_139.jpg | 밑면 솔더면은 AP이다.
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<li>PoP(Package On Package)
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image:redmi_note4x_140.jpg
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image:redmi_note4x_141.jpg | 패키지 위에 패키지가 있다.
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<li>두 패키지를 분리하면
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image:redmi_note4x_142.jpg | Mediatek MT6797W AP + Micron RAM
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image:redmi_note4x_143.jpg
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</ol>
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</ol>
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<li>NANYA 1Gbit - [[삼성 SL-C460W 컬러레이저 복합기]]
 
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<ol>
 
<li>외관
 
<li>외관
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</ol>
 
</ol>
 +
<li>NEC
 +
<ol>
 +
<li> [[HP 8714C 네트워크분석기]]
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image:hp8714c01_025.jpg | NEC D482234LE Graphics [[DRAM]]
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</ol>
 +
<li>Qimonda
 +
<ol>
 +
<li> 프린터용 [[LAN카드]] HP Jetdirect 620n(J7934g)에서
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image:print_card01_001.jpg
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image:print_card01_002.jpg | Qimonda DRAM, Spansion Flash
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</ol>
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<li>Samsung
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<ol>
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<li> [[삼성전자 UN32H4030AF LED TV]]
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image:un32h4030af_011.jpg | SoC 옆에 1Gbit DDR3-1600 [[SDRAM]], K4B1G1646G-BCK0가 있다.
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image:un32h4030af_009_001.jpg | SoC 방열판 58도씨, 1Gbit DDR3-1600 [[SDRAM]] 온도가 62도씨로 가장 높다.
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<li> [[PalmOne Zire72]] PDA에서
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image:palm_zire72_011.jpg | SEC K4S281633D 128Mbit Mobile SDRAM  x 2ea = 32MB RAM
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<li>2016년 출시 삼성 갤럭시 A7 [[SM-A710S]]에서
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image:a710s01_006.jpg | 왼쪽 SEC K4EHE30 4EAAGCF 3GB [[RAM]], 오른쪽 Toshiba THGBMFG7C2LBAIL, 16GB
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image:a710s01_007.jpg
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image:a710s01_020.jpg | [[모바일AP]] 위에 붙어 있는데 이를 뜯어서 태운 후,다이본딩면을 분리하면
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image:a710s01_021.jpg | 4개 다이를 쌓았다.
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image:a710s01_022.jpg | 다이 틈새로 Ball Stitch On Ball(BSOB) [[와이어본딩]]한 것으로 추정된다.
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<li>2020년 05월 출시 [[노트북]], [[MS Surface Book 3]]에서
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<ol>
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<li> [[DRAM]], K4U6E3S4AA-MGCL, 16Gbit, LPDDR4X, 4개 사용하므로 모두 8Gbyte
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image:surface_book3_023.jpg
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</ol>
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<li>2020 삼성 갤럭시 A51 [[SM-A516N]] 휴대폰에서
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<li>메모리: 6GB(48Gb) LPDDR4X S[[DRAM]], 128GB UFS 2.1 규격 내장 [[Flash]] 메모리
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image:sm_a516n_060.jpg | 삼성 KM2V8001CM-B707 Flash+DRAM [[모바일AP]]가 있는 곳에는 [[검정 금속 방열판]] 캔을 씌웠다.
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image:sm_a516n_060_004.jpg | 인터포저는 3층인듯
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image:sm_a516n_060_005.jpg | 가운데 작은 IC는 플래시 콘트롤러
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image:sm_a516n_060_006.jpg | 좌우 3-다이 총 6개는 DRAM일 것이고, 위에 쌓이는 4개는 flash 다이
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<li>SDRAM
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<li>SSD에서
 
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<li>Transcend SSD에서, K4B1G1646I-BCK0, 64Mx16=1Gb DDR3-1600Mbps SDRAM, 1.5V, 96FBGA
 
<li>Transcend SSD에서, K4B1G1646I-BCK0, 64Mx16=1Gb DDR3-1600Mbps SDRAM, 1.5V, 96FBGA
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image:ssd02_019.jpg | on-line에서 해석안됨
 
image:ssd02_019.jpg | on-line에서 해석안됨
 
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<li>그래픽램, Samsung K4W2G1646Q-BC1A, Graphic RAM, DDR3 SDRAM 2Gb 900MHz/1.5V FBGA96 - [[Lenovo ideapad 700-15isk]] 노트북에서
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</ol>
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<li> [[SGRAM]]
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<li> [[SUN Ultra 10]] [[워크스테이션]]에서
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image:sun_ultra10_009.jpg | Ati 3D Rage Pro Turbo PCI, Samsung K4G163222A 2Mbyte Synchronous Graphic DRAM(SG DRAM)
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<li>2013년 11월 출시 [[노트북]], [[Gigabyte P34]]에서 , Samsung K4620325FD-FC04 2Gbit GDDR5 SGRAM 2500MHz 170-FBGA, 총 8개이므로 2G바이트가 된다.
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image:gigabyte_p34_018.jpg | 앞면에 메모리칩 4개
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image:gigabyte_p34_019.jpg | 뒷면에 메모리칩 4개
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<li>2015년 12월 제조, 노트북 [[Lenovo ideapad 700-15isk]]
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<li>Samsung K4W2G1646Q-BC1A, Graphic RAM, DDR3 SDRAM 2Gb 900MHz/1.5V FBGA96
 
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<ol>
 
<li>GPU 옆에, 8개 사용 = 2G바이트
 
<li>GPU 옆에, 8개 사용 = 2G바이트
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<li>[[내비게이션]]에서, mobile용이란 뜻을 알 수 있는 제품
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<li> [[비디오카드]], ATi Radeon HD3850에서
 
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<li>하이닉스 Mobile DDR SDRAM와 삼성 NAND flash
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<li>Samsung K4J52324QE, 512Mbit GDDR3 SDRAM, 하나는 실리콘 방열패드가 닿지 않아, 실리콘이 번지지 않아 마킹이 깨끗
 
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image:ite1000_01_078.jpg
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image:video_card07_008.jpg | memory BUS width 256-bit
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image:video_card07_012.jpg | 실리콘패드에 닿지 않아 방열안되는 [[DRAM]]
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image:video_card07_013.jpg | 각 [[DRAM]] 뒤쪽 수동부품
 
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<li>두 회사 메모리를 동시에 질산에 넣은 후
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−
<ol>
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<li>Mobile용 IC란, 싸게 만들기 위해 EMC 특성(기계적강도, 열방출효과 등)이 낮고, 본딩와이어도 금 대신 구리(녹아 사라졌기 때문에)를 사용한다.
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</ol>
−
<li>하이닉스 H5MS5162DFR 512Mbit Mobile DDR SDRAM (두 개 이므로 128MB)
+
<li>Silicon Magic Corporation
 
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<li>칩 전체
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<li> [[비디오카드]], Diamond Stealth 3D 2000 S3-ViRGE PCI VGA graphic card에서
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image:ite1000_01_078_001.jpg | 질산에서 꺼내
 
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image:ite1000_01_078_002.jpg | 표면을 살짝 연마한 후
 
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<li>4사분면
 
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image:ite1000_01_078_003.jpg | DJC058C
 
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<li>2사분면
 
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<li>1사분면
 
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<li>상단 가장자리 다이싱 빈 공간에 길게 공정별 해상도 챠트가 있음
 
 
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image:ite1000_01_078_010.jpg
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image:video_card08_001.jpg | feature connector, LPB(Local Peripheral Bus) connector, MPEG connector
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image:video_card08_003.jpg | Silicon Magic Corporation SM81C256K16A1-40, 4Mbit Extended Data Out(EDO) RAM
 
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<li>삼성 K9F1208ROC 64M-8bit(64MB) NAND flash - 모바일용과 달리 EMC, 와이어가 녹지 않는다.
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<li>Vanguard International Semiconductor(VIS)
 
<ol>
 
<ol>
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<li>질산에 한 번
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<li> [[Palm m500]] PDA에서
 
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image:ite1000_01_078_011.jpg
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image:palm_m500_007.jpg | DragonBall VZ, MC68VZ328VF [[MCU]], AM29LV320DB 32Mbit [[Flash]], Vanguard International Semiconductor(VIS) VG36641641DTL 8Mbit S[[DRAM]]
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image:ite1000_01_078_012.jpg
 
 
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<li>질산에 더(두번째)
 
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<li>질산에 더(세번째)
 
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image:ite1000_01_078_014.jpg | 6.50x6.15mm, 규칙배열이 가로 32개x4열=128열, 세로 128줄
 
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image:ite1000_01_078_015.jpg | 64MB 용량 메모리 전체 면적이, 흰 박스 크기가 가로, 세로로 128개가 있다. 그러면 박스는 256kbit용량(=512x512bit = 64x64byte)이어야 한다.
 
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image:ite1000_01_078_016.jpg
 
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image:ite1000_01_078_017.jpg | 2006 SAMSUNG K9F1208R0C
 
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image:ite1000_01_078_018.jpg | 삼성마크 길이: 59um, 수직 직선 배경 전극: 주기 0.80um, 전극폭 0.4um
 
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2023년 5월 22일 (월) 20:58 기준 최신판

DRAM

  1. 전자부품
    1. IC
      1. 메모리
        1. RAM
          1. DRAM, SDRAM, SGRAM - 이 페이지
  2. 이 페이지에서는 DRAM, SDRAM(synchronous dynamic RAM), SGRAM(Synchronous Graphics RAM) 구분하지 않는다.
  3. 제조회사별 분류
    1. ELPIDA
      1. B130ABC, 1Gb Mobile DDR2
        1. 트랜시버IC, GCT GDM7243S 에서
          • mobile router01 011.jpg
        2. 1차 질산에 넣어서
          • mobile router01 024 002.jpg

          • DRAM 와이어본딩이 양쪽이어서 한쪽으로 연결하기 위해 인터포저를 사용

        3. 2차 질산에 넣어서
          • mobile router01 024 012.jpg

          • 칩 3개 크기 비교(아래 오른쪽 작은 칩은 TCXO용 AKM6617)

        4. DRAM 칩
          • mobile router01 024 015.jpg
          • mobile router01 024 016.jpg

          • DRAM 최상위 금속층은 구리 배선으로 덮혀있다.

      2. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰에서, Apple A7에서
        1. 패키지 위에 패키징된 DRAM이 올라가 있는 PoP(Package On Package) 형태임.
          1. 맨 위는 Elpida 8Gbit DDR3 DRAM 이다.
        2. 보드에서 실드 깡통을 벗기면
        3. 주변에 사용된 Low ESR, ESL MLCC
        4. 디솔더링 후, PoP된 층을 다시 디솔더링하면

          • PoP

          • AP 밑면 BGA

          • AP 다이방열을 위해 위에 있는 DRAM과 완전 밀착

        5. 순수한 모바일AP
          1. 임베디드PCB로 만든 인터포저
            • iphone5s01 130 004.jpg

            • MLCC 1.0x0.5mm 도금으로 연결됨

          2. AP 다이

            • 발연질산에 넣어 분해시, 유리섬유 직물이 부풀어 올라 다이 가장자리가 깨짐

            • 가열하여 솔더볼 SMT 접합으로 확인함

        6. DRAM Elpida 8Gbit DDR3 이므로, 다이 하나가 4Gbit
      3. Sony XCD-SX910CR IEEE1394 동영상카메라에서

        • Elpida DS1232AA, 128M-bit SDRAM

    2. HYUNDAI
      1. Palm Vx PDA에서

        • HYUNDAI GM71VS65163CLT5, 64Mbit DRAM

      2. ML-7110B, 파드(pod) 에서
    3. Hynix
      1. DELL studio1737 노트북

        • 그래픽용 Hynix HY5PS561621B 256M-bit DDR2 SDRAM

      2. 아이트로닉스 ITE-1000, 내비게이션에서에서, mobile용이란 뜻을 알 수 있는 제품
        1. 모바일AP 파트
          1. 하이닉스 H5MS5162DFR 512Mbit Mobile DDR SDRAM (두 개 이므로 128MB)
            1. 칩 전체

              • 질산에서 꺼내

              • 표면을 살짝 연마한 후

            2. 4사분면

              • DJC058C

            3. 2사분면
              • ite1000 01 078 004.jpg
              • ite1000 01 078 005.jpg
            4. 1사분면
              • ite1000 01 078 007.jpg
              • ite1000 01 078 008.jpg
              • ite1000 01 078 009.jpg
            5. 상단 가장자리 다이싱 빈 공간에 길게 공정별 해상도 챠트가 있음
              • ite1000 01 078 010.jpg
    4. Infineon
      1. Palm TX PDA에서

        • Samsung K9F1G08U0A NAND Flash 128MByte, intel 28F640J3C115 64Mbit Flash, Infineon HYB25L256160AF 256Mbit Mobile DRAM(=low-power SDRAM)

    5. Micron
      1. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서, AP+RAM 붙인 PoP(Package On Package)에서
        1. 윗면에는 Micron 회사의 RAM 이다.
          • redmi note4x 138.jpg

          • 밑면 솔더면은 AP이다.

        2. PoP(Package On Package)
          • redmi note4x 140.jpg

          • 패키지 위에 패키지가 있다.

        3. 두 패키지를 분리하면

          • Mediatek MT6797W AP + Micron RAM

          • redmi note4x 143.jpg
    6. NANYA 1Gbit - 삼성 SL-C460W 컬러레이저 복합기
      1. 외관
        • slc460w 07 008.jpg
      2. 분해시작
        • dram nanya 1gb 001.jpg

        • PCB 본딩 및 몰딩 방법

        • 태우고

        • 칼로 긁고

        • 치약으로 닦고

      3. 내부칩
        • dram nanya 1gb 006.jpg
        • dram nanya 1gb 007.jpg
        • dram nanya 1gb 008.jpg
        • dram nanya 1gb 009.jpg
        • dram nanya 1gb 010.jpg
        • dram nanya 1gb 011.jpg
        • dram nanya 1gb 012.jpg

        • 한셀이 0.4um이라면 2층구조이면 1Gbit

    7. NEC
      1. HP 8714C 네트워크분석기

        • NEC D482234LE Graphics DRAM

    8. Qimonda
      1. 프린터용 LAN카드 HP Jetdirect 620n(J7934g)에서
        • print card01 001.jpg

        • Qimonda DRAM, Spansion Flash

    9. Samsung
      1. 삼성전자 UN32H4030AF LED TV

        • SoC 옆에 1Gbit DDR3-1600 SDRAM, K4B1G1646G-BCK0가 있다.

        • SoC 방열판 58도씨, 1Gbit DDR3-1600 SDRAM 온도가 62도씨로 가장 높다.

      2. PalmOne Zire72 PDA에서

        • SEC K4S281633D 128Mbit Mobile SDRAM x 2ea = 32MB RAM

      3. 2016년 출시 삼성 갤럭시 A7 SM-A710S에서

        • 왼쪽 SEC K4EHE30 4EAAGCF 3GB RAM, 오른쪽 Toshiba THGBMFG7C2LBAIL, 16GB

        • a710s01 007.jpg

        • 모바일AP 위에 붙어 있는데 이를 뜯어서 태운 후,다이본딩면을 분리하면

        • 4개 다이를 쌓았다.

        • 다이 틈새로 Ball Stitch On Ball(BSOB) 와이어본딩한 것으로 추정된다.

      4. 2020년 05월 출시 노트북, MS Surface Book 3에서
        1. DRAM, K4U6E3S4AA-MGCL, 16Gbit, LPDDR4X, 4개 사용하므로 모두 8Gbyte
          • surface book3 023.jpg
      5. 2020 삼성 갤럭시 A51 SM-A516N 휴대폰에서
        1. 메모리: 6GB(48Gb) LPDDR4X SDRAM, 128GB UFS 2.1 규격 내장 Flash 메모리

          • 삼성 KM2V8001CM-B707 Flash+DRAM 모바일AP가 있는 곳에는 검정 금속 방열판 캔을 씌웠다.

          • 인터포저는 3층인듯

          • 가운데 작은 IC는 플래시 콘트롤러

          • 좌우 3-다이 총 6개는 DRAM일 것이고, 위에 쌓이는 4개는 flash 다이

      6. SSD에서
        1. Transcend SSD에서, K4B1G1646I-BCK0, 64Mx16=1Gb DDR3-1600Mbps SDRAM, 1.5V, 96FBGA
          • ssd02 016.jpg

          • 96 FBGA(Fine-pitch Ball Grid Array) Fine Pitch = 0.4~1.0mm

          • ssd02 018.jpg
          • ssd02 015.jpg

          • on-line에서 해석안됨

      7. SGRAM
        1. SUN Ultra 10 워크스테이션에서

          • Ati 3D Rage Pro Turbo PCI, Samsung K4G163222A 2Mbyte Synchronous Graphic DRAM(SG DRAM)

        2. 2013년 11월 출시 노트북, Gigabyte P34에서 , Samsung K4620325FD-FC04 2Gbit GDDR5 SGRAM 2500MHz 170-FBGA, 총 8개이므로 2G바이트가 된다.

          • 앞면에 메모리칩 4개

          • 뒷면에 메모리칩 4개

        3. 2015년 12월 제조, 노트북 Lenovo ideapad 700-15isk
          1. Samsung K4W2G1646Q-BC1A, Graphic RAM, DDR3 SDRAM 2Gb 900MHz/1.5V FBGA96
            1. GPU 옆에, 8개 사용 = 2G바이트
              • lenovo ideapad 065.jpg
              • lenovo ideapad 066.jpg
            2. 외관
              • lenovo ideapad 069.jpg

              • 뜯으면

            3. 패키지 분해

              • 다이, PCB, EMC 수지

              • PCB

              • BGA방식으로 접합된 다이

            4. PCB와 BGA로 연결된다. (즉, 와이어본딩이 아니다.)
              • lenovo ideapad 069 005.jpg
              • lenovo ideapad 069 006.jpg
              • lenovo ideapad 069 007.jpg
              • lenovo ideapad 069 008.jpg
            5. 다이 마킹 K4B2G1646Q, 128Mx16=2Gbit DDR3L Q-die, 96-FBGA (패키지 마킹은 K4W- 로 서로 다르다.)

              • 2013, SAMSUNG K4B2G1646Q

        4. 비디오카드, ATi Radeon HD3850에서
          1. Samsung K4J52324QE, 512Mbit GDDR3 SDRAM, 하나는 실리콘 방열패드가 닿지 않아, 실리콘이 번지지 않아 마킹이 깨끗

            • memory BUS width 256-bit

            • 실리콘패드에 닿지 않아 방열안되는 DRAM

            • 각 DRAM 뒤쪽 수동부품

    10. Silicon Magic Corporation
      1. 비디오카드, Diamond Stealth 3D 2000 S3-ViRGE PCI VGA graphic card에서

        • feature connector, LPB(Local Peripheral Bus) connector, MPEG connector

        • Silicon Magic Corporation SM81C256K16A1-40, 4Mbit Extended Data Out(EDO) RAM

    11. Vanguard International Semiconductor(VIS)
      1. Palm m500 PDA에서

        • DragonBall VZ, MC68VZ328VF MCU, AM29LV320DB 32Mbit Flash, Vanguard International Semiconductor(VIS) VG36641641DTL 8Mbit SDRAM

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