"다이싱"의 두 판 사이의 차이

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다이싱 dicing
 
다이싱 dicing
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<li>링크
 
 
<ol>
 
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<li> [[전자부품]]
 
<li> [[전자부품]]
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<ol>
 
<li> [[다이싱]] - 이 페이지
 
<li> [[다이싱]] - 이 페이지
 +
<ol>
 +
<li> [[다이싱된 다이 모양]]
 +
<li> [[하프 커팅후 절단]]
 +
<li> [[레이저 다이싱]]
 +
<li> [[도랑 파기]]
 +
<li> [[드레싱 보드]]
 +
</ol>
 +
<li>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>참조
 
<li>참조
 
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 +
<li> [[다이싱 테이프]]
 +
<li> [[다이싱 프레임]]
 +
</ol>
 +
<li>참조
 +
<ol>
 +
<li> [[버]]
 
<li> [[천공]]
 
<li> [[천공]]
 
<li> [[스크라이버]]
 
<li> [[스크라이버]]
</ol>
 
 
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</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>기계장치에서
 
<li>기계장치에서
 
<ol>
 
<ol>
<li>스핀들, 회전 밸런스가 무너짐
+
<li>스핀들, [[회전체 밸런싱]]에 문제
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:090130_091028.jpg | 오랫동안 조이니 부러짐
 
image:090130_091028.jpg | 오랫동안 조이니 부러짐
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>절단된 가루가 구배없는 배수관에 쌓이면
+
<li>절단된 가루가 구배없는 [[배관]]에 쌓이면
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:090131_091708.jpg
 
image:090131_091708.jpg
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</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>다이싱 모양
+
<li>절삭속도 추정
 
<ol>
 
<ol>
<li>삼각형
+
<li>K3953D에서, 30krpm이라면, 60um 수평간격이면 절삭속도는 30mm/sec.
<ol>
 
<li>
 
<ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>평행사변형을 자른 삼각형
 
<ol>
 
<li>MSC가 있는, high out-of-band rejection in surface acoustic wave (SAW) filters,
 
 
<gallery>
 
<gallery>
image:saw_if_etc01_001.jpg
+
image:saw_if_tv_sipd03_012.jpg | 표면에서 각도는 블레이드 직경을 알 수 있다.
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>매우 긴 직각사각형 - 그냥 직사각형, 정사각형은 가장 널리 사용되므로 첨부 생략
+
<li>기타
 
<ol>
 
<ol>
<li>CIS - 스캐너용 contact image sensor
+
<li>초콜릿 [[과자]]에서, Kiru Kezuru Migaku (절단 연삭 연마)
 
<gallery>
 
<gallery>
image:ddi01_001.jpg | X축 IC 18.2x1.35x0.64mm, Y축 IC 11.2x1.35x0.64mm
+
image:151104_173634.jpg | 2015/11/04일, 디스코 Disco에서 받은 선물인데, 투고기술 방문자로부터 받음
</gallery>
 
<li>DDI - [[능동LCD]]용 Display Driver
 
<gallery>
 
image:cis03_020.jpg | 이런 센서(합성 때 약간 문제로 줄어듬) 15개를 사용한다.
 
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>평행사변형(parallelogram)
+
<li>재질에 따라
 
<ol>
 
<ol>
<li>TV용 IF SAW필터
 
<gallery>
 
image:saw_if_tv02_014.jpg | 112LT Sanyo 마킹
 
</gallery>
 
</ol>
 
<li>육각형(hexagon), 직선으로 자를 수 없다. 그러므로 레이저 다이싱 또는 플라즈마 에칭(plasma etching)으로 다이싱해야 한다.
 
<ol>
 
<li>LED칩
 
<gallery>
 
image:led_module01_006.jpg
 
image:led_module01_007.jpg | 한변 길이가 1.2mm
 
</gallery>
 
<li> [[다이오드]]
 
<ol>
 
<li> [[산타페 발전기]]에서 발견
 
<gallery>
 
image:generator01_031_001.jpg
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
 
<li>금속 다이싱
 
<li>금속 다이싱
 
<ol>
 
<ol>
88번째 줄: 66번째 줄:
 
image:csp_plating01_011.jpg
 
image:csp_plating01_011.jpg
 
image:csp_plating01_012.jpg
 
image:csp_plating01_012.jpg
image:csp_plating01_013.jpg | 다이싱 2nd 채널에서, 구리는 burr가 쉽게 발생됨.
+
image:csp_plating01_013.jpg | 다이싱 2nd 채널에서, 구리는 [[버]]가 쉽게 발생됨.
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>리드프레임
 
<li>리드프레임
</ol>
 
<li>스크라이빙 후 부러뜨림
 
<ol>
 
<li>쏘필터, 매우 긴 칩 - 러시아?
 
<gallery>
 
image:saw_if_etc04_001.jpg
 
image:saw_if_etc04_002.jpg | 패키지 길이 21.4mm
 
image:saw_if_etc04_003.jpg | 스크라이빙 후 부러뜨렸다.
 
</gallery>
 
</ol>
 
<li>half-cut 다이싱 후
 
<ol>
 
<li>Bevel cut
 
<ol>
 
<li>2012 삼성 갤럭시 S3 [[SHV-E210K]]
 
<ol>
 
<li> [[SAW-핸드폰DPX]]에서
 
<gallery>
 
image:shv_e210k_060_010.jpg | V-shaped dicing blade로 bevel half cut 한 후 다음에 full cut한다.
 
image:shv_e210k_060_011.jpg
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>step cut: 두꺼운 블레이드로 1차 자르고, 가는 블레이드로 완전히 자르는 방법을 말한다.
 
<ol>
 
</ol>
 
<li>half-cut 후 부러뜨렸다.
 
<ol>
 
<li> [[TR6878]] DMM 정밀저항기에서
 
<gallery>
 
image:tr6878_026_003.jpg | [[다이싱]]은 half-cut
 
</gallery>
 
</ol>
 
<li>LTCC 몰딩품에서
 
<ol>
 
<li> Motorola [[Z8m]] 휴대폰에서, [[SAW-모듈]]
 
<gallery>
 
image:z8m01_069_001.jpg
 
image:z8m01_069_002.jpg | LTCC는 레이저 [[천공]], 에폭시는 half-cut [[다이싱]] 후 부러뜨린 듯
 
</gallery>
 
<li> Motorola [[Z8m]] 휴대폰에서, [[SAW-모듈]]
 
<gallery>
 
image:z8m01_089.jpg
 
image:z8m01_090.jpg
 
image:z8m01_091.jpg
 
image:z8m01_092.jpg
 
image:z8m01_093.jpg | LTCC [[다이싱]] 방법
 
</gallery>
 
<li>2015 [[LG-F570S]] LG Band Play 에서
 
<gallery>
 
image:lg_f570s_037_001.jpg | 양면 half 다이싱
 
image:lg_f570s_037_002.jpg | 잘리지 않은 에폭시층을 부러뜨렸다.
 
</gallery>
 
</ol>
 
<li>실리콘 웨이퍼
 
<ol>
 
<li>Panasonic [[VP-7750A]] Wow Flutter 미터
 
<gallery>
 
image:vp_7750a_080.jpg | LM306H, high-speed voltage comparators
 
image:vp_7750a_084.jpg | NEC uPC157A, op amp.
 
</gallery>
 
<li>HP [[8112A]] 50 MHz pulse generator에서, 어떤 [[Tr]]에서
 
<gallery>
 
image:tr_metal03_004.jpg
 
image:tr_metal03_005.jpg
 
</gallery>
 
<li>인텔 8085 [[MCU]], 1985년 제조품에서. 당시 full dicing은 어려운 기술이었다.(?)
 
<gallery>
 
image:intel8085_01_001.jpg | 60% 깊이로 블레이드 휠 다이싱 후 부러뜨렸다.
 
image:intel8085_01_002.jpg
 
image:intel8085_01_003.jpg
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>반도체 웨이퍼 다이싱
 
<ol>
 
<li>레이저 기술
 
<ol>
 
<li>용어 stealth dicing, ultrashort pulsed(USP)
 
<li>유리(soda lime glass)
 
<ol>
 
<li> - 10p
 
<li>기술
 
<ol>
 
<li>장점: high speed cutting, no chipping, dust-free, zero-kerf, no chemicals
 
<li>스텔스 다이싱 단점: 절단면에 큰 거칠기 존재, 완전히 분리하는 개별화 작업을 위해 기계적인 충격이 필요함.
 
<li>완전한 절단(Full ablation cutting) - 작업속도가 느리다. 측벽이 매우 거칠다. 많은 먼지가 발생된다.
 
<li>제어된 파괴전파(Controlled fracture propagation) - 시작지점을 기계적으로 긁고, 이후 레이저로 가열하여 균열 발생하는 기법(절단면이 매끄럽다. 곡선이 안된다. 경로가 부정확하다. 열을 받는다.)
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>레이저 촛점을 이룬 공간에 웨이퍼 재료가 깨져 개질층(빈공간) 형성해야 한다.
 
<ol>
 
<li>레이저 촛점은 레이저 진행 방향에 따라 원형, 진행방향 타원, 진행에 수직방향 타원 등을 만들 수 있다.
 
<li>개질층이 웨이퍼 두께에 따라 1~5회 형성해야 하므로, 촛점 깊이를 정확히 맞출 수 있어야 한다.
 
<li>웨이퍼 표면 높이를 레이저 센서로 미리 측정하여 촛점을 맞춘다.
 
<li>레이저가 나오는 렌즈는 NA값이 큰 대구경을 사용하여 촛점 깊이(DOF)를 낮게 형성시킨다.
 
<li>빈공간이 작아야 정교하게 개질층이 형성된다. 생산성 때문에 펄스 주파수(Q-rate)가 높아야 한다.
 
<li>레이저 빔 직경이 기존대비 1/10이면 Q-Rate는 x10 이어야 절삭속도가 동일해진다.
 
</ol>
 
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>실리콘 웨이퍼
 
<li>실리콘 웨이퍼
<ol>
 
<li>레이저
 
<ol>
 
<li>CIS #2 - 레이저
 
<gallery>
 
image:cis02_006_004.jpg | 센서 경계선
 
image:cis02_006_008.jpg | 센서 칩 두께 250um, 레이저 다이싱
 
</gallery>
 
<li>MEMS 마이크 - 1
 
<gallery>
 
image:knowles01_003.jpg
 
image:knowles01_004.jpg
 
image:knowles01_007.jpg | 레이저 다이싱 5회
 
</gallery>
 
<li>MEMS 마이크 - 2, 인기 레이저 다이싱 장비를 조사하니, 실리콘에 흡수율이 좋은 IR 파장에 전력은 10W.
 
<gallery>
 
image:mems_mic01_008.jpg | 측면 다이싱 관찰
 
image:mems_mic01_010.jpg | 레이저 4회
 
image:mems_mic01_011.jpg
 
image:mems_mic01_012.jpg
 
image:mems_mic01_013.jpg | 천공 간격 약 3um, Q-rate 100kHz 레이저를 사용했다면 300mm/sec 전진 속도. 4회 반복하므로 약 70mm/sec 절삭속도가 나올 것으로 예상.
 
</gallery>
 
<li>인포콤 RF하이패스, 스위치
 
<gallery>
 
image:hipass_rf02_051.jpg | 중심 위: common, 좌우가 sig1,2, 아래 두 개가 각 sig1,2에 대응하는 gnd, 오른쪽 위가 ctrl.
 
image:hipass_rf02_052.jpg | 레이저 다이싱
 
</gallery>
 
</ol>
 
<li>회전 블레이드
 
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>CIS #1 - 회전 [[다이아몬드]] 휠로 절단
 
<li>CIS #1 - 회전 [[다이아몬드]] 휠로 절단
249번째 줄: 99번째 줄:
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>2012 삼성 갤럭시 S3 [[SHV-E210K]] 핸드폰에서
+
<li>2012.06 출시 삼성 [[SHV-E210K]] 갤럭시 S3 스마트폰
 
<ol>
 
<ol>
 
<li> [[핸드폰에서 발견한 대기압 센서]]
 
<li> [[핸드폰에서 발견한 대기압 센서]]
256번째 줄: 106번째 줄:
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 +
<li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰 , [[핸드폰용 이미지센서]]
 +
<ol>
 +
<li>실리콘 센서는 앞면에서 회전 블레이드로 두 번(?) [[다이싱]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_079.jpg
 +
image:iphone5s01_080.jpg
 +
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
267번째 줄: 124번째 줄:
 
image:saw1411_01_004.jpg | 4번 다이싱 때문에, 뒷면 칩핑이 매우 적음
 
image:saw1411_01_004.jpg | 4번 다이싱 때문에, 뒷면 칩핑이 매우 적음
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>2008년 1월 제조된 [[LG-SH170]] 슬라이드 피처폰
+
<li>2007.10 출시 [[LG-SH170]] 슬라이드 피처폰
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>무라타 SAW UMTS 2100(Tx 1920-1980, Rx 2110-2170) DPX, 3.2x2.5mm LTCC 구리전극 캐비티, 2칩, 플립본딩, AuSn 실링
 
<li>무라타 SAW UMTS 2100(Tx 1920-1980, Rx 2110-2170) DPX, 3.2x2.5mm LTCC 구리전극 캐비티, 2칩, 플립본딩, AuSn 실링
276번째 줄: 133번째 줄:
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
</ol>
+
<li>2020 삼성 갤럭시 A51 [[SM-A516N]] 휴대폰
</ol>
 
<li>절삭속도 추정
 
 
<ol>
 
<ol>
<li>K3953D에서, 30krpm이라면, 60um 수평간격이면 절삭속도는 30mm/sec.
+
<li>와이솔
 
<gallery>
 
<gallery>
image:saw_if_tv_sipd03_012.jpg | 표면에서 각도는 블레이드 직경을 알 수 있다.
+
image:sm_a516n_073_002.jpg | 긴쪽 50um
 +
image:sm_a516n_073_005.jpg | 짧은쪽
 
</gallery>
 
</gallery>
</ol>
+
<li>무라타
<li>뒷면 그루빙(도랑 파기)
 
<ol>
 
<li>K3953D에서 - 다이싱(칩두께 500um) 및 뒷면 그루빙(간격 330um, 깊이 110um, 폭 55um)
 
 
<gallery>
 
<gallery>
image:saw_if_tv_sipd03_002.jpg | 가장자리 칩핑이 많다.
+
image:sm_a516n_073_003.jpg | 긴쪽 100um (다이싱 속도가 비례하여 빠르다.)
image:saw_if_tv_sipd03_004.jpg | 두번 다이싱
+
image:sm_a516n_073_006.jpg | 짧은쪽
image:saw_if_tv_sipd03_005.jpg
 
image:saw_if_tv_sipd03_009.jpg | 항상 원형으로 깍인다.
 
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>벌크파동을 제거하기 위한, 뒷면 grooving 및 Ag 에폭시 다이 접착제
+
<li>엡코스
 
<gallery>
 
<gallery>
image:saw_if_tv_sipm01_005.jpg
+
image:sm_a516n_073_004.jpg | 긴쪽 40um
image:saw_tech01_001.jpg | [[SAW기술]]에서
+
image:sm_a516n_073_007.jpg | 짧은쪽
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>기타
+
</ol>
 +
<li>LED, 사파이어 웨이퍼가 아닐 때
 
<ol>
 
<ol>
<li>초콜릿 [[과자]]에서, Kiru Kezuru Migaku (절단 연삭 연마)
+
<li> [[7-segment LED]], [[오토닉스 TZ4ST 온도조절기]]에서
 
<gallery>
 
<gallery>
image:151104_173634.jpg | 2015/11/04일, 디스코 Disco에서 받은 선물인데, 투고기술 방문자로부터 받음
+
image:7seg_led03_004.jpg | 다이본딩
 +
image:7seg_led03_007.jpg | 다이싱 절단면
 +
image:7seg_led03_008.jpg | 다른 쪽, 90도 방향 절단면은 부러뜨렸나?
 
</gallery>
 
</gallery>
 +
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>

2023년 10월 21일 (토) 22:06 기준 최신판

다이싱 dicing

  1. 전자부품
    1. 가공
      1. 다이싱 - 이 페이지
        1. 다이싱된 다이 모양
        2. 하프 커팅후 절단
        3. 레이저 다이싱
        4. 도랑 파기
        5. 드레싱 보드
    2. 참조
      1. 다이싱 테이프
      2. 다이싱 프레임
    3. 참조
      1. 천공
      2. 스크라이버
  2. 기계장치에서
    1. 스핀들, 회전체 밸런싱에 문제
    2. 절단된 가루가 구배없는 배관에 쌓이면
  3. 절삭속도 추정
    1. K3953D에서, 30krpm이라면, 60um 수평간격이면 절삭속도는 30mm/sec.
  4. 기타
    1. 초콜릿 과자에서, Kiru Kezuru Migaku (절단 연삭 연마)
  5. 재질에 따라
    1. 금속 다이싱
      1. 얇은 구리판(PCB용 도금 동박 등)
        1. 도금 CSP 쏘필터
      2. 리드프레임
    2. 실리콘 웨이퍼
      1. CIS #1 - 회전 다이아몬드 휠로 절단
      2. 만도 RF하이패스, 로스윈 PLL 모듈에 있는 TCXO용 IC
      3. 인포콤 RF하이패스, PAM용 TR 두 개
        1. first stage amp.
        2. second stage amp.
      4. 2012.06 출시 삼성 SHV-E210K 갤럭시 S3 스마트폰
        1. 핸드폰에서 발견한 대기압 센서
      5. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰 , 핸드폰용 이미지센서
        1. 실리콘 센서는 앞면에서 회전 블레이드로 두 번(?) 다이싱
    3. 쏘필터용 웨이퍼
      1. 무라타, 1.4x1.1mm
      2. 2007.10 출시 LG-SH170 슬라이드 피처폰
        1. 무라타 SAW UMTS 2100(Tx 1920-1980, Rx 2110-2170) DPX, 3.2x2.5mm LTCC 구리전극 캐비티, 2칩, 플립본딩, AuSn 실링
      3. 2020 삼성 갤럭시 A51 SM-A516N 휴대폰
        1. 와이솔
        2. 무라타
        3. 엡코스
    4. LED, 사파이어 웨이퍼가 아닐 때
      1. 7-segment LED, 오토닉스 TZ4ST 온도조절기에서