"SM-A516N"의 두 판 사이의 차이

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image:sm_a516n_002.jpg | 뒤면 커버는 >PC+PMMA< 수지
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image:sm_a516n_002.jpg | 뒤면 커버는 >PC+PMMA< [[수지]]
 
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<li>뒤면 커버에 붙인 [[서멀 패드]]형 방열 테이프. 이쪽으로는 크게 열나는 부품은 없기 때문에 대충 방열해도 된다.
 
<li>뒤면 커버에 붙인 [[서멀 패드]]형 방열 테이프. 이쪽으로는 크게 열나는 부품은 없기 때문에 대충 방열해도 된다.
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image:sm_a516n_005.jpg | 제조년월 2020.05.30
 
image:sm_a516n_005.jpg | 제조년월 2020.05.30
 
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<li>5A 방전시, 표면온도를 [[열화상카메라]]로 측정하니 50'C이다.
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<li>5A 충방전, 49싸이클 측정 엑셀 파일  
 
<li>5A 충방전, 49싸이클 측정 엑셀 파일  
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image:sm_a516n_005_002.png | 충방전싸이클당 방전용량 (3700mAh@5A, 4370mAh정격용량이므로 85% 나온다.)
 
image:sm_a516n_005_002.png | 충방전싸이클당 방전용량 (3700mAh@5A, 4370mAh정격용량이므로 85% 나온다.)
 
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<li>5A 방전시 표면온도는 50'C이다.
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<li>불규칙한 충방전 그래프가 나온 이유는, 300V 8A 용량을 갖는 3.81mm 피치용 [[터미날블록]]에서 문제를 일으켰다.
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<li>300V 8A 용량을 갖는 3.81mm 피치용 [[터미날블록]]에서 문제를 일으켰다.
 
 
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image:screw_block02_010.jpg | 접촉저항이 높아져 불꽃이 튀고 과열되었다.
 
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<li>보호회로
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<li>배터리 보호회로(BMS;Battery management system)
 
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<li>앞 뒤면
 
<li>앞 뒤면
 
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image:sm_a516n_005_005.jpg
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image:sm_a516n_005_005.jpg | 정확한 전압 측정을 위해 4단자 측정법([[4PP]])을 사용한다.
 
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<li>저항을 줄이기 위해 대면적을 사용하는 BGA 전력용 스위칭 [[FET]]
 
<li>저항을 줄이기 위해 대면적을 사용하는 BGA 전력용 스위칭 [[FET]]
 
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image:sm_a516n_005_006.jpg | 두 다이가 180도 본딩되어 있다.
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image:sm_a516n_005_006.jpg | 두 다이가 서로 180도 회전되어 본딩되어 있다.
 
image:sm_a516n_005_007.jpg | Panasonic WK0064
 
image:sm_a516n_005_007.jpg | Panasonic WK0064
 
image:sm_a516n_005_008.jpg
 
image:sm_a516n_005_008.jpg
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<li> [[SMD타입 전류검출용R]] 저저항
 
<li> [[SMD타입 전류검출용R]] 저저항
 
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image:sm_a516n_005_009.jpg | U자홈으로 갈아내면서 트리밍했다.
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image:sm_a516n_005_009.jpg | 두꺼운 구리는 빠른 열전달 때문에 [[레이저 트리밍]]을 할 수 없어, U자홈으로 갈아내면서 트리밍했다.
 
image:sm_a516n_005_010.jpg | 2.05mΩ
 
image:sm_a516n_005_010.jpg | 2.05mΩ
 
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<li>아래쪽 안테나 스피커,USB-C,3.5mm 단자구멍
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<li>아래쪽 [[안테나]], [[마이크로 스피커]], [[USB 커넥터]] C타입, [[3.5mm 이어폰 커넥터]] 단자구멍
 
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image:sm_a516n_006.jpg
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image:sm_a516n_006.jpg | 아래쪽에 있기 때문에 보통은 다이버시티 안테나이다.
 
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image:sm_a516n_013.jpg | 빨강은 침수되었다는 표시?
 
image:sm_a516n_013.jpg | 빨강은 침수되었다는 표시?
 
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<li> [[접지]]. 안테나를 위해서는 핸드폰 전체 금속 프레임이 반드시 확실한 접지로 취급한다.
+
<li> [[접지]].
 +
<ol>
 +
<li>기술
 +
<ol>
 +
<li>여기에 사용되는 모든 [[안테나]]를 위해서는 전체 금속 프레임이 반드시 확실한 접지로 사용되어야 한다.
 +
<li>금속 프레임이 알루미늄 합금이므로 표면에 [[녹]]이 슨다.
 +
<li>표면을 (밀링가공 또는 레이저로)깍아내고 ([[녹]]슬지 않는) 금도금철판을 [[레이저 용접]]으로 붙였다.
 +
</ol>
 +
<li>사진
 
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image:sm_a516n_010.jpg | 위쪽
 
image:sm_a516n_010.jpg | 위쪽
 
image:sm_a516n_011.jpg | 물이 닿았던, 아래쪽
 
image:sm_a516n_011.jpg | 물이 닿았던, 아래쪽
 
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 +
</ol>
 
<li>(내용중복) [[코인타입]] ERM 진동모터
 
<li>(내용중복) [[코인타입]] ERM 진동모터
 
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<li>내부
 
<li>내부
 
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image:sm_a516n_019.jpg | Anti-Aliasing(안티에일리어싱)을 위해 약 15도 회전시켜 [[다이본딩]]
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image:sm_a516n_019.jpg | [[안티에일리어싱]]을 위해 약 15도 회전시켜 [[다이본딩]]
 
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image:sm_a516n_035.jpg | 지문센서 쪽에서 볼 때 투과사진
 
image:sm_a516n_035.jpg | 지문센서 쪽에서 볼 때 투과사진
 
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<li>카메라
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<li>흑백용 [[카메라 모듈]]
 
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image:sm_a516n_026.jpg
 
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image:sm_a516n_027.jpg | [[Au 볼 와이어본딩]]
 
image:sm_a516n_027.jpg | [[Au 볼 와이어본딩]]
image:sm_a516n_028.jpg | 이지스테크(Egis Technology, ET713
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image:sm_a516n_028.jpg | 이지스테크(Egis Technology) 제조, ET713
 
image:sm_a516n_029.jpg | 약 6.85um 피치 흑백 센서이다. 마이크로렌즈가 붙어 있다.
 
image:sm_a516n_029.jpg | 약 6.85um 피치 흑백 센서이다. 마이크로렌즈가 붙어 있다.
 
image:sm_a516n_030.jpg | 약 180x180 픽셀이다.
 
image:sm_a516n_030.jpg | 약 180x180 픽셀이다.
 
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</ol>
<li>전면 카메라를 위해, [[OLED]] 디스플레이 패턴이 형성되어 있지 않는 구멍
 
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<li> [[리시버용 스피커]]
 
<li> [[리시버용 스피커]]
 
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image:sm_a516n_016_001.jpg
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<li>솔더 필렛이 형성될 수 없는 2단자 LGA 부품에서는 [[납땜 불량]]에서 솔더 과다 불량에 해당되는 문제점이 있다.
 
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<li> [[정전식 터치스크린]]을 뜯으면
 
<li> [[정전식 터치스크린]]을 뜯으면
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<li>솔더 필렛이 형성될 수 없는 2단자 LGA 부품에서는 [[납땜 불량]]에서 솔더 과다 불량에 해당되는 문제점이 있다.
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 +
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<li>OLED용 DDI
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<li>전면 카메라를 위해, [[OLED]] 디스플레이 패턴이 형성되어 있지 않는 구멍
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<li> [[OLED]]용 DDI
 
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image:sm_a516n_046.jpg | IC 두께만큼 양면접착테이프로 보강
 
image:sm_a516n_046.jpg | IC 두께만큼 양면접착테이프로 보강
image:sm_a516n_047.jpg
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image:sm_a516n_047.jpg | 매우 긴 IC이다.
 
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<li>OLED 후면, 방열구리판에 기포 방열패드
 
<li>OLED 후면, 방열구리판에 기포 방열패드
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image:sm_a516n_054.jpg | 금속 메인프레임과 맞닿는, 뒷면
 
image:sm_a516n_054.jpg | 금속 메인프레임과 맞닿는, 뒷면
 
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<li>10층 PCB
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<li> [[기판 층수]]는 10층
 
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<li>Qorvo 78077
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<li>Qorvo 78077 [[PAM]]
 
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<li>외관
 
<li>외관
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</ol>
 
</ol>
<li>Murata 452, (Diversity OMH LFEM;LFEM=lna+FEM)
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<li>Murata 452, (Diversity OMH LFEM;LFEM=lna+FEM)으로 일종의 [[FEMiD]]이다.
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>외관
 
<li>외관
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</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
<li>아날로그 RF IC (WiFi용으로 검색됨. 디지털신호처리 파트는 없는 듯)
+
<li>아날로그 RF IC ([[WiFi모듈]]로 검색됨. 디지털신호처리 파트는 없는 듯)
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>좌측 최상단
 
<li>좌측 최상단
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image:sm_a516n_071.jpg | S620 W2006, 마킹필름
 
image:sm_a516n_071.jpg | S620 W2006, 마킹필름
 
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<li>다이패턴
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<li>RF 패턴 주변에는 금속막이 없어야 한다. 빈 영역은 staggered fill 작업이 되어 있다. [[안티에일리어싱]] 참조.
 
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image:sm_a516n_071_002.jpg | S5N5 C20X00
 
image:sm_a516n_071_002.jpg | S5N5 C20X00
 
image:sm_a516n_071_001.jpg | 화살표 2군데 확대하면
 
image:sm_a516n_071_001.jpg | 화살표 2군데 확대하면
 
image:sm_a516n_071_003.jpg | [[박막형 RF용 인덕터]] 표면위로 점퍼
 
image:sm_a516n_071_003.jpg | [[박막형 RF용 인덕터]] 표면위로 점퍼
image:sm_a516n_071_004.jpg | [[박막형 RF용 인덕터]] 밑으로 점퍼
+
image:sm_a516n_071_004.jpg | [[박막형 RF용 인덕터]] 밑으로 점퍼.
 
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image:sm_a516n_063_002_002.jpg
 
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<li>Murata K21 JrCVB(Main Low-Middle Band LFEMID) LFEM=lna+FEM
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<li>Murata K21 JrCVB(Main Low-Middle Band LFEMID) LFEM=lna+FEM으로 일종의 [[FEMiD]]이다.
 
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<li>윗면, 아랫면
 
<li>윗면, 아랫면

2022년 11월 5일 (토) 21:33 기준 최신판

삼성 갤럭시 A51 휴대폰, SM-A516N

  1. 링크
    1. 전자부품
      1. 핸드폰
        1. 2020 삼성 갤럭시 A51 SM-A516N 휴대폰 - 이 페이지
  2. 기술자료
    1. 사용자 설명서 - 152p
    2. 외부 링크
      1. 나무위키 https://namu.wiki/w/%EA%B0%A4%EB%9F%AD%EC%8B%9C%20A51
      2. 2019년 12월 출시 발표
    3. 규격
      1. 메모리: 6GB(48Gb) LPDDR4X SDRAM, 128GB UFS 2.1 규격 내장 메모리
      2. 주파수
        1. NR, band 78
          1. 송신(TX): 3420~3700 MHz, 수신(RX): 3420~3700 MHz
        2. LTE Bands, Band 1/Band 2/Band 3/Band 4/Band 5/Band 7/Band 8/Band 12/Band 13/Band 17/Band 20/Band 26/Band 28/Band 66/Band 38/Band 40/Band 41
          1. Tx 1920~1980/1850~1910/1710~1785/1710~1755/824~849/2500~2570/880~915/699~716/777~787/704~716/832~862/814~849/703~748/1710~1780/2570~2620/2300~2400/2496~2690 MHz
          2. Rx 2110~2170/1930~1990/1805~1880/2110~2155/869~894/2620~2690/925~960/729~746/746~756/734~746/791~821/859~894/758~803/2110~2180/2570~2620/2300~2400/2496~2690 MHz
        3. WCDMA(Band 1/Band 2/Band 4/Band 5/Band 8)
          1. TX: 1922.4~1977.6/1852.4~1907.6/1712.4~1752.6/826.4~846.6/882.4~912.6 MHz
          2. RX: 2112.4~2167.6/1932.4~1987.6/2112.4~2152.6/871.4~891.6/927.4~957.6 MHz
        4. GSM850, GSM900, DCS1800, DCS1900
          1. TX: 824.2~848.8 MHz, 880.2~914.8 MHz, 1710.2~1784.8 MHz, 1850.2~1909.8 MHz
          2. RX: 869.2~893.8 MHz, 925.2~959.8 MHz, 1805.2~1879.8 MHz, 1930.2~1989.8 MHz
      3. CPU: EXYNOS980
      4. WiFi:
        1. 2412~2472 MHz(802.11 b/g/n)
        2. 5180~5240, 5260~5320, 5500~5700, 5745~5825 MHz(802.11a/n/ac)
      5. MST: 송수신: 1.6/3.3 KHz, 모듈:ISP7022, 최대5cm
      6. NFC: 송수신: 13.56 MHz
      7. ANT+: 송수신: 2402~2480 MHz, 모듈: S5N5C20X00-6030
        1. 2.4GHz ISM밴드를 사용하는 저전력 센서네트워크용 무선통신규격 이름.
    4. 전원켜기 끄기
      1. 전원켜기: 측면 버튼을 몇 초간 길게 누른다.
      2. 전원끄기: 음량 하 버튼 + 측면버튼을 동시에 길게 누르고, 전원 끄기를 선택한다.
        1. 아무 반응이 없으면, 7초 이상 길게 누른다. (강제로 다시 시작하기)
  3. 이력
    1. 2022/09/30 입수됨
  4. 뒤면 커버를 뜯어내면, 양면 접착테이프로 붙어 있다.
  5. 뒤면 커버에 붙인 서멀 패드형 방열 테이프. 이쪽으로는 크게 열나는 부품은 없기 때문에 대충 방열해도 된다.
  6. NFC+MST(Samsung Pay) 코일
    1. (내용중복) 페라이트 시트 에서 자세히 분석
      1. 외관
      2. 분해
      3. 밝은 회색영역은 PMS(Polymeric Magnet Sheet)이다. 아마 Sendust(Fe-Si-Al) 재료로 만들 것이다. 진한 회색영역에는 페라이트 시트가 있다.
      4. 코일 관찰
  7. 파우치 2차-리튬, 모델:EB-BA516ABY, 정격 3.86V 4370mAh 16.87Wh, 제조자:Ningde Amperex Technology(암페렉스 테크놀로지)
    1. 사진
    2. 5A 방전시, 표면온도를 열화상카메라로 측정하니 50'C이다.
    3. 5A 충방전, 49싸이클 측정 엑셀 파일
    4. 불규칙한 충방전 그래프가 나온 이유는, 300V 8A 용량을 갖는 3.81mm 피치용 터미날블록에서 문제를 일으켰다.
    5. 배터리 보호회로(BMS;Battery management system)
      1. 앞 뒤면
      2. 저항을 줄이기 위해 대면적을 사용하는 BGA 전력용 스위칭 FET
      3. SMD타입 전류검출용R 저저항
  8. 아래쪽 안테나, 마이크로 스피커, USB 커넥터 C타입, 3.5mm 이어폰 커넥터 단자구멍
  9. USB-C 단자구멍. 침수라벨
  10. 접지.
    1. 기술
      1. 여기에 사용되는 모든 안테나를 위해서는 전체 금속 프레임이 반드시 확실한 접지로 사용되어야 한다.
      2. 금속 프레임이 알루미늄 합금이므로 표면에 이 슨다.
      3. 표면을 (밀링가공 또는 레이저로)깍아내고 (슬지 않는) 금도금철판을 레이저 용접으로 붙였다.
    2. 사진
  11. (내용중복) 코인타입 ERM 진동모터
      1. 외관
      2. 회전이 시작되는 전압
        1. 실험 방법
        2. 8번 측정한 엑셀 파일
        3. 실험 결과에 대한 의견
          1. 정지했을 때 두 군데 접점이 연결된다. 두 접점별로 접촉저항이 다르다.
          2. 접촉저항이 높은 지점에서는 전류가 적게 흐른다. 회전하면 전류가 많이 흐른다.
          3. 접촉저항이 낮은 지점에서는 전류가 많이 흐른다. 회전하면 전류가 적게 흐른다.
          4. 회전하면 정지 지점과 무관하게 일정한 전류가 흐른다.
          5. 회전하는 전압은 0.65V ~ 0.9V 사이이다.
  12. 테이프를 뜯어보니, 아무것도 아니다. OLED 디스플레이를 바로 볼 수 있는 여러 구멍이 있다. (표준화를 위해 다른 어떤 부품을 설치하기 위한 옵션으로 뚫어놓았다.)
  13. 스크류 5개가 부족하다. 먼저 분해했던 사람이 나사 5개를 체결하지 않았다.
  14. (내용중복) under-display fingerprint sensor, 광학식 지문센서 -> 자세히 분석
    1. 모듈
    2. 내부
    3. 렌즈 및 광학필터
    4. OLED 디스플레이 패널을 보면
    5. 흑백용 카메라 모듈
  15. 리시버용 스피커
  16. 정전식 터치스크린을 뜯으면
    1. 사진
    2. 참고, 아래 사진은 2014년 10월 출시된 SM-G5308W용 터치 스크린 패턴이다. 이 패턴과 같은 모양을 갖는다.
    3. 이 핸드폰이 (침수로 인해) 고장난 현상(좌측 터치영역이 동작하지 않는다. qwerty자판으로 볼 때 1 이 2로 입력된다.)
    4. 솔더 필렛이 형성될 수 없는 2단자 LGA 부품에서는 납땜 불량에서 솔더 과다 불량에 해당되는 문제점이 있다.
  17. 터치패널을 분리하면
  18. 전면 카메라를 위해, OLED 디스플레이 패턴이 형성되어 있지 않는 구멍
  19. OLED용 DDI
  20. OLED 후면, 방열구리판에 기포 방열패드
  21. 금속 메인프레임
  22. 메인보드
    1. 앞면 및 뒷면
    2. 기판 층수는 10층
    3. 앞면 부품
      1. 카메라 장착 방법
      2. 앞면 방열
      3. 실드 깡통을 벗기면
        1. 대부분 L, C인 수동부품이 많다.
        2. 뜯어보면
      4. RF모듈에서 실드 코팅된 모듈 4개가 보인다.
        1. 전체
        2. 무라타(?) 스위치+LNA 모듈인듯. 두 개가 있다.
          1. #1
          2. #2
        3. 솔더링 패드, 2사분면 IC는 Murata 452, 4사분면 IC는 Qorvo 78077
        4. 측면 구조. 위 Qorvo 78077(6층 PCB), 아래 Murata 452(4층 PCB)
        5. Qorvo 78077 PAM
          1. 외관
          2. 조개면
          3. 주요 부품 분리
          4. 반도체 다이 5개
        6. Murata 452, (Diversity OMH LFEM;LFEM=lna+FEM)으로 일종의 FEMiD이다.
          1. 외관
          2. 내부
          3. 스위치 + LNA
          4. SAW #1
          5. SAW #2
          6. SAW #3
          7. SAW #4
          8. SAW #5
      5. 아날로그 RF IC (WiFi모듈로 검색됨. 디지털신호처리 파트는 없는 듯)
        1. 좌측 최상단
        2. RF 패턴 주변에는 금속막이 없어야 한다. 빈 영역은 staggered fill 작업이 되어 있다. 안티에일리어싱 참조.
      6. NXP 55303, NFC
        1. 외관
        2. Au 볼 와이어본딩하므로, 본딩패드가 있는 유기물기판 동박에는 전기금도금을 위한 타이바 연결되어 있다.
        3. 실리콘 다이 마킹: HPN553VOB, 2016
      7. SAMSUNG SHANNON5510, RF Transceiver IC
      8. Murata K21 JrCVB(Main Low-Middle Band LFEMID) LFEM=lna+FEM으로 일종의 FEMiD이다.
        1. 윗면, 아랫면
        2. LTCC 기판
        3. 다층형 RF용 인덕터 0.4x0.2mm
        4. 23개 다이(19번 잃어버림. 9번과 같은 크기로 추측)
        5. #01
        6. #02
        7. #03
        8. #04
        9. #05
        10. #06
        11. #07
        12. #08
        13. #09
        14. #10
        15. #11
        16. #12
        17. #13
        18. #14
          1. WLP 납땜
          2. 다이 관찰
        19. #15, Si접합 투명다이 7개 모두는 IDT가 약 5도 기울어져 있다.
          1. 위에서 볼 때
          2. 옆에서 볼 때
        20. #16
        21. #17
        22. #18
        23. #19 - 잃어버림
        24. RF스위치IC
          1. 스위치-1, Peregrine
          2. 스위치-2, Peregrine
          3. 스위치-3, Peregrine
          4. 스위치-4, Peregrine
      9. 단품 SAW 필터 관련
        1. 쏘필터 #1,#2,#3 그리고 세라믹 다이플렉서 #4
        2. #1, SAW-GPS HG89XA4, HBC LMH
        3. #2, 다이 분석 실패
        4. #3, (중복 내용) GPS extractor 필터, WG89PE4 HJD KSJ
          1. 외관
          2. 내부 다이 및 PCB
          3. SAW 다이. IDT C 설계 방식이 매우 특이하다. low ESL 또는 ESR을 위해서 이렇게 설계한 듯 하다.
        5. #4, 세라믹필터인 다이플렉서
    4. 뒤면 부품
      1. 디스플레이쪽으로, 금속 메인프레임과 맞닿게 그라파이트 시트로 방열
      2. (금속 메인프레임과 닿아 확실히 방열이 되어야 하는) 뒷면 방열
      3. 비교적 두꺼운, 방열 검정 스폰지 테이프 밑에는 그라파이트 시트가 깡통에 붙는다.
      4. 열이 많이 발생하여 확실히 방열하고 있는 두 부품
        1. 외관
        2. 두 칩을 뜯으면
        3. 모바일AP, Samsung Exynos 980(엑시노스 980)
        4. 메모리: 6GB(48Gb) LPDDR4X SDRAM, 128GB UFS 2.1 규격 내장 Flash 메모리
      5. (PAM에서 내용중복) Qorvo QPA4580 PAM, RF모듈에서 실드 코팅 방법으로 차폐시켰다.
        1. 외관
        2. 측면 관찰하면
        3. 측면 금속 코팅을 칼로 긁어보니
        4. 타이바. 타이바가 반드시 있어야 하므로, 이왕이면 전기도금을 하면 좋을 것이다.
        5. 꼭지점을 칼로 절단한 후
        6. 내부
      6. (PAM에서 내용중복) Skyworks 77786-11 2.3GHz~2.7GHz multimode multiband(MMMB), single high band LTE block, PAM
        1. 3x3mm, 분해하면 IC 다이가 두 개 있다.
        2. PA용 Indium gallium phosphide(InGaP) 다이
        3. MIPI 콘트롤러 silicon 다이
      7. 필터 3개
        1. 외관
        2. 디캡핑(decapping)
        3. 다이싱 관찰
          1. 와이솔
          2. 무라타
          3. 엡코스
        4. 다이 패턴
          1. 와이솔, DG93AQ5 MP3 WJL
          2. 무라타, BQ66
          3. 엡코스, AQ65B
      8. IC처럼 패키징된 4개
        1. 화살표 1,2,3,4
        2. 화살표 1, 다이오드
        3. 화살표 2,3,4