"PCB 커패시터"의 두 판 사이의 차이

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<li> 삼성전자 TV [[LN32N71BD]], CCFL용 파워에서
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image:lcdtv01_01_006.jpg | CCFL에 걸리는 전압에 대한 Overvoltage protection 검출을 위한 피드백용 C(~10pF 인듯)
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<li>Knowles, [[MEMS마이크]] 앰프 출력에 두 개의 C필요.
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<li>[[MEMS마이크]]에서는 앰프 출력에 두 개의 C필요.
 
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<li>S190에서
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<li>Knowles, S190에서
 
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<li>PCB 기판
 
<li>PCB 기판
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<li>동박
 
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image:knowles01_012.jpg | 납땜면 1층
image:knowles01_013.jpg | PCB로 C를 형성했다. C가 필요하다.
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image:knowles01_013.jpg | 그 위 2층. PCB로 C를 형성했다. C가 필요하다.
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image:knowles01_014.jpg | 그 위 3층
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image:knowles01_015.jpg | 맨 위 부품면 4층
 
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<li>S150에서
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<li>Knowles, S150에서
 
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image:z8m01_024.jpg | 아랫쪽에도 도전성 가스켓이 있다.
 
image:z8m01_024.jpg | 아랫쪽에도 도전성 가스켓이 있다.
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image:z8m01_024_004.jpg | 하양 유전체 수지 위아래 동박이 있어 embedded capacitor를 형성했다.
 
image:z8m01_024_004.jpg | 하양 유전체 수지 위아래 동박이 있어 embedded capacitor를 형성했다.
 
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<li> Xiaomi [[Redmi Note 4X]] 휴대폰에서
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<li>메인 마이크
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image:redmi_note4x_048.jpg | 납땜으로 금속 뚜껑을 붙임
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image:redmi_note4x_053.jpg | PCB top(1층) 동박
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image:redmi_note4x_054.jpg | top(1층) 동박
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image:redmi_note4x_055.jpg | 1층과 2층 동박사이에 있는 FR4 유전체
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image:redmi_note4x_056.jpg | 2층 동박
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image:redmi_note4x_057.jpg | 2층 동박을 벗기면, 하양 유전체가 보인다. 이 유전체 두께로 C값을 좌우한다.
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image:redmi_note4x_058.jpg | 하양 유전체 두께는 매우 얇다. 유전율을 높일수 없어서 두께를 얇게해서 C값을 높인다.
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image:redmi_note4x_059.jpg | 3층 동박. 두 개의 C가 형성되어 있다.
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image:redmi_note4x_060.jpg | 납땜을 위한 bottom면(4층) 동박
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<li>귀쪽에 위치한, 소음 제거용 [[MEMS마이크]]
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image:redmi_note4x_077.jpg | MN7A7 7719 3021
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image:redmi_note4x_078.jpg | PCB 3개를 붙여서 만들었다.
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image:redmi_note4x_082.jpg
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image:redmi_note4x_083.jpg | C embedded PCB를 사용했다.
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2021년 9월 9일 (목) 16:54 판

PCB C

  1. 전자부품
    1. RLC
      1. 캐퍼시터
        1. PCB C - 이 페이지
  2. FR-4
    1. 층간 C 측정 방법
      1. 18/05/25 강대리에게 해당 PCB를 얻어서(테프론이라 했으나)
          일부 영역을 잘라내
      2. C값을 측정함
      3. 내부 전극 연결방법
      4. 18/05/26 - +1250ppm/'C 나옴. 테프론이 아님
    2. 삼성전자 TV LN32N71BD, CCFL용 파워에서
  3. MEMS마이크에서는 앰프 출력에 두 개의 C필요.
    1. Knowles, S190에서
      1. PCB 기판
      2. 동박
    2. Knowles, S150에서
    3. Xiaomi Redmi Note 4X 휴대폰에서
      1. 메인 마이크
      2. 귀쪽에 위치한, 소음 제거용 MEMS마이크