"IDT 커패시터"의 두 판 사이의 차이

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<li> Apple [[iPhone 5S], [[튜너블C]]에서
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<li>폴리이미드 층을 불로 태워 제거한 후 다이
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image:iphone5s01_169.jpg | 주기 1.67um 구경 24.7um 39주기
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<li>중요 치수
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image:iphone5s01_170.jpg | 1.98x1.6mm (active area 1130x567um) 0.04pF이 최소라면, 0.04x20줄x14행=11pF
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<li> Apple [[iPhone 5S], 터치 콘트롤러 IC에서
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<li>Broadcom, Touchscreen Controller
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<li>SAW 필터에서
 
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<li> [[StarTAC]] 휴대폰에서
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image:startac01_010.jpg | [[SAW-핸드폰RF]]  Fujitsu, Rx 881MHz 필터
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<li>2012 삼성 갤럭시 S3 [[SHV-E210K]]
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image:shv_e210k_085_007.jpg | [[IDT C]] 패턴
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<li>센서에서
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<li> [[습도센서]]
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<li>Sensirion SHTC1, Digital Humidity and Temperature Sensor IC, capacitive humidity sensor
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image:humidity_sensor01_001.jpg
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image:humidity_sensor01_002.jpg | CMOSens Technology
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image:humidity_sensor01_003.jpg | [[IDT C]]
 
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2021년 9월 9일 (목) 16:56 판

IDT C

  1. 전자부품
    1. RLC
      1. 캐퍼시터
        1. IDT C - 이 페이지
  2. 기술정보, interdigitated capacitor
    1. 이론
    2. 실제
  3. 시험용 PCB에서
  4. 계측기에서
    1. 3490xA에서
      1. 34901
      2. 34905
      3. 34908
  5. RF IC에서
    1. QSC6240, 3G 통신모듈에서
    2. Apple [[iPhone 5S], 튜너블C에서
      1. 폴리이미드 층을 불로 태워 제거한 후 다이
      2. 중요 치수
    3. Apple [[iPhone 5S], 터치 콘트롤러 IC에서
      1. Broadcom, Touchscreen Controller
  6. SAW 필터에서
    1. 포켓WiFi, 2.0x1.6mm 1800MHz용 DPX에서
      1. 내부
      2. Rx 칩
    2. StarTAC 휴대폰에서
    3. 2012 삼성 갤럭시 S3 SHV-E210K
  7. 센서에서
    1. 습도센서
      1. Sensirion SHTC1, Digital Humidity and Temperature Sensor IC, capacitive humidity sensor