18일, 4시간, 13분 - Togotech

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<li>중요 치수
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image:iphone5s01_170.jpg | 1.98x1.6mm (active area 1130x567um) 0.04pF이 최소라면, 0.04x20줄x14행=11pF
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image:iphone5s01_171.jpg | 추정 동작 원리
 
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<li>Broadcom, Touchscreen Controller
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<li>SAW 필터에서
 
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<li> [[StarTAC]] 휴대폰에서
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image:startac01_010.jpg | [[SAW-핸드폰RF]]  Fujitsu, Rx 881MHz 필터
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<li>2012 삼성 갤럭시 S3 [[SHV-E210K]]
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image:shv_e210k_085_007.jpg | [[IDT C]] 패턴
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<li>센서에서
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<li> [[습도센서]]
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<li>Sensirion SHTC1, Digital Humidity and Temperature Sensor IC, capacitive humidity sensor
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image:humidity_sensor01_002.jpg | CMOSens Technology
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2021년 9월 9일 (목) 16:56 판

IDT C

  1. 전자부품
    1. RLC
      1. 캐퍼시터
        1. IDT C - 이 페이지
  2. 기술정보, interdigitated capacitor
    1. 이론

      • 계산식

      • h를 무한대로, t는 매우 얇다고 가정함.

    2. 실제
      • idt c02 001.png
  3. 시험용 PCB에서
  4. 계측기에서
    1. 3490xA에서
      1. 34901
        • 34901a 003.jpg
      2. 34905
        • 34905 004.jpg
        • 34905 005.jpg
        • 34905 006.jpg
      3. 34908
        • 34908 003.jpg
        • 34908 009.jpg
  5. RF IC에서
    1. QSC6240, 3G 통신모듈에서
      • 3g module01 026 008.jpg
      • 3g module01 026 011.jpg
      • 3g module01 026 013.jpg
      • 3g module01 026 014.jpg
      • 3g module01 026 015.jpg
    2. Apple [[iPhone 5S], 튜너블C에서
      1. 폴리이미드 층을 불로 태워 제거한 후 다이
        • iphone5s01 165.jpg
        • iphone5s01 166.jpg
        • iphone5s01 167.jpg
        • iphone5s01 168.jpg

        • 주기 1.67um 구경 24.7um 39주기

      2. 중요 치수

        • 1.98x1.6mm (active area 1130x567um) 0.04pF이 최소라면, 0.04x20줄x14행=11pF

        • 추정 동작 원리

    3. Apple [[iPhone 5S], 터치 콘트롤러 IC에서
      1. Broadcom, Touchscreen Controller
        • iphone5s01 112 003.jpg
        • iphone5s01 112 004.jpg
        • iphone5s01 112 005.jpg
        • iphone5s01 112 006.jpg
  6. SAW 필터에서
    1. 포켓WiFi, 2.0x1.6mm 1800MHz용 DPX에서
      1. 내부

        • Rx 아래 - 밸런스 출력

      2. Rx 칩

        • interdigitated C(IDT C)

    2. StarTAC 휴대폰에서
    3. 2012 삼성 갤럭시 S3 SHV-E210K
  7. 센서에서
    1. 습도센서
      1. Sensirion SHTC1, Digital Humidity and Temperature Sensor IC, capacitive humidity sensor
        • humidity sensor01 001.jpg

        • CMOSens Technology

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