"Tr"의 두 판 사이의 차이

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<li> [[FET]]
 
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<li> [[Triac]]
 
<li> [[IGBT]]
 
<li> [[마이크로-X]]
 
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<li>트랜지스터
 
 
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<li>Complementary Transistors
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<li>기술
 
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<li>NPN, PNP 두 차이점
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<li> [[Tr 측정]]
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<li>패키지
 
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<li>전자 이동도가 전공 이동도에 비해 빠르다. NPN이 더 많은 전류를 흐르게 할 수 있고, 스위칭 속도가 빠르다.
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<li> [[TO-3]] 다이아몬드형 금속패키지
 +
<li> [[TO-5]] 원형 금속패키지
 +
<li> [[TO-220]] 플라스틱 패키지
 +
<li> [[TO-92]] 플라스틱 패키지
 
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</ol>
<li>STA341M - 3p
 
<ol>
 
<li>외형 및 내부 구조
 
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image:cdplayer01_010.jpg | STA341M Complementary Transistors [[디스크리트]]가 3개 있음
 
image:cdplayer01_010_001.jpg | 칩 하나는 PNP, 하나는 NPN
 
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<li>칩
 
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image:cdplayer01_010_002.jpg | 본딩 와이어 굵기가 다른 것처럼 보인다.
 
image:cdplayer01_010_003.jpg | 실제 그렇지 않다.
 
image:cdplayer01_010_004.jpg | 왼쪽은 EMC속에서 열을 받아, 높은 압력 때문에 금이 퍼진 듯
 
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</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
<li>디지털 트랜지스터 - 내부 저항 2개 들어간 트랜지시터
 
<ol>
 
<li>기술문서
 
<ol>
 
<li>
 
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 +
<li>트랜지스터
 +
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<li>의미있는 사진들
 
<li>의미있는 사진들
 
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<li>삼성
 
<li>삼성
 
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 +
image:103_2_a1_008.jpg | [[103]] 전압소스에서. 삼성 KSC1520 npn Tr, 1970년대말에 제조한 것으로 추정
 
image:hrp_303s_011.jpg | 삼성 Tr(?)
 
image:hrp_303s_011.jpg | 삼성 Tr(?)
 
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</gallery>
<li>마킹이 잘보이게 흰페이트칠 및 EBC 전극 표시
+
<li>EBC 전극 표시
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<ol>
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<li> [[HP5328B]] 카운터에서
 +
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 +
image:hp5328b02_033.jpg | 2N3906 [[Tr]]에 적힌 EBC
 +
</gallery>
 +
<li>마킹이 잘보이게 페인트칠
 
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<gallery>
 
image:guildline9540_017.jpg | Guildline 9540 백금온도계에서
 
image:guildline9540_017.jpg | Guildline 9540 백금온도계에서
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image:7060a01_029.jpg | [[7060]] DMM에서, LED 제어용 Motorola 2N4403, PNP [[Tr]]
 +
</gallery>
 +
<li>금형으로
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<li> YHP [[LCR-4260A]] Universal Bridge에서
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image:yhp4260a_105.jpg | 4-071 Motorola136 EBC [[Tr]]
 
</gallery>
 
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 
<li>페라이트슬리브가 꼽히고, EBC 전극 표시
 
<li>페라이트슬리브가 꼽히고, EBC 전극 표시
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:3421_44461_007.jpg
 
image:3421_44461_007.jpg
 
  [[4446xA]]
 
  [[4446xA]]
 +
</ol>
 +
<li>수정
 +
<ol>image:m_gage_069.jpg | [[m-gage]]에서
 +
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 +
<li>리드가 보이지 않게 짧게 잘라 납땜함
 +
<ol>
 +
<li> [[SR606H 라벨 프린터]]에서
 +
<gallery>
 +
image:epson_label06_030.jpg | [[Tr]]에서 리드를 매우 짧게 잘라 납땜한, 2SB1269 pnp, 2SD1805 npn
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>사용 기술
 +
<ol>
 +
<li>디지털 트랜지스터 - 내부 저항 2개 들어간 트랜지시터
 +
<ol>
 +
<li>기술정보
 +
<ol>
 +
<li>링크 http://www.rohm.com/web/in/faq_search/-/faq_search/FaqId/234
 +
<ol>
 +
<li>저항1: 베이스에 직렬저항을 넣으면 입력 전압을 전류로 변환하여 동작을 안정화시킨다. 그래서 꼭 넣는다.
 +
<li>저항2: 베이스와 이미터 사이에 저항을 넣는다. 베이스에 걸리는 노이즈에 의한 누설전류를 접지로 보내 오동작을 방지한다.
 +
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
<li>플라스틱
+
<li>Complementary Transistors
 
<ol>
 
<ol>
<li>방열 기능이 있는 모양
+
<li>NPN, PNP 두 차이점
 
<ol>
 
<ol>
<li>RCA, 1976년
+
<li>전자 이동도가 전공 이동도에 비해 빠르다. NPN이 더 많은 전류를 흐르게 할 수 있고, 스위칭 속도가 빠르다.
<ol>image:3455a01_052.jpg | HP 3455A DMM에서
+
</ol>
</gallery>
+
<li>STA341M - 3p
<li>66311B, Mobile Communications DC Sources, 15V 3A
+
<ol>
 +
<li>외형 및 내부 구조
 
<gallery>
 
<gallery>
image:66311b02_010.jpg
+
image:cdplayer01_010.jpg | STA341M Complementary Transistors [[디스크리트]]가 3개 있음
image:66311b02_011.jpg | MJL21194, 16A 250V 200W, NPN Si Power Tr. MJL21193(pnp)
+
image:cdplayer01_010_001.jpg | 칩 하나는 PNP, 하나는 NPN
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>Meanwell MPS-6003LK-1(60V,3A) 파워서플라이에서
+
<li>
 
<gallery>
 
<gallery>
image:mps_6003lk_1_010.jpg | 2SC5200 방열
+
image:cdplayer01_010_002.jpg | 본딩 와이어 굵기가 다른 것처럼 보인다.
 +
image:cdplayer01_010_003.jpg | 실제 그렇지 않다.
 +
image:cdplayer01_010_004.jpg | 왼쪽은 EMC속에서 열을 받아, 높은 압력 때문에 금이 퍼진 듯
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>13003 High Voltage Switch Mode Applications,
+
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>Pair
 
<ol>
 
<ol>
<li>우리조명 20EX-L 형광등 전자식 안정기에서
+
<li>2N3810A, dual silicon PNP transistors, monolithic NPN transistor pairs, 6-lead TO-5 metal can package
 
<gallery>
 
<gallery>
image:electrical_ballast03_007.jpg
+
image:uthe10h01_016.jpg | - UTHE 10H Ultrasonic Generator에서
image:e13003_001.jpg
 
image:e13003_002.jpg
 
image:e13003_003.jpg
 
image:e13003_004.jpg
 
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>Philips Tonado 24W, Compact fluorescent lamp(CFL) 에서
+
<li>Motorola 3-075
 
<ol>
 
<ol>
<li>제품 외관
+
<li>외관 및 방열세라믹기판
 
<gallery>
 
<gallery>
image:fluorescent_int02_001.jpg
+
image:tr_pair01_001.jpg | 6-pin
image:fluorescent_int02_002.jpg | 13003, high voltage fast-switching NPN power transistor, 700V 1.5A
+
image:tr_pair01_002.jpg
 +
image:tr_pair01_003.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>Tr 외관
+
<li>왼쪽 칩
 
<gallery>
 
<gallery>
image:fluorescent_int02_008.jpg
+
image:tr_pair01_004.jpg
image:fluorescent_int02_009.jpg | 13003 Tr 하나에서
+
image:tr_pair01_006.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>Tr 분해
+
<li>오른쪽 칩
 
<gallery>
 
<gallery>
image:e13003_02_001.jpg
+
image:tr_pair01_005.jpg
image:e13003_02_002.jpg
+
image:tr_pair01_007.jpg
image:e13003_02_003.jpg | 볼본딩. EMC 몰딩 관찰하니, 구리 볼본딩으로 추정
 
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
<li>PC SMPS에서
 
<gallery>
 
image:tr01_001.jpg | 2SC4138
 
</gallery>
 
<li>DC voltage standard, model 103, Kisusui에서
 
<gallery>
 
image:103_2_a1_008.jpg | 삼성전자 KSC1520
 
</gallery>
 
<li>니콘 넥시브, 헤드 드라이브에서
 
<gallery>
 
image:vm150n04_005.jpg
 
image:vm150n04_040.jpg
 
image:vm150n04_041.jpg | 2SD1267
 
image:vm150n04_042.jpg
 
image:vm150n04_043.jpg
 
</gallery>
 
<li>가습기용 진동회로에서
 
<ol>
 
<li>Tr 2SC3834
 
<ol>
 
<li>규격서
 
<ol>
 
<li>ISC - 3p
 
<li>Sanken - 1p
 
 
</ol>
 
</ol>
<li>구입
+
<li>패키징 방법에 따라
 
<ol>
 
<ol>
<li>isc(INCHANGE Semiconductor) 회사제품 사용중
+
<li>플라스틱
<li>Vce=120V, Ic=7A, Pc=50W, 30MHz
 
<li>16/02/15 5,000개 구입 발주서 - 1p
 
<ol>
 
<li>C&Tech(씨앤테크, Component&Technology) 서울시 구로구 경인로53길 15 중앙유통상가 바동4313호. 천승우 070-7619-5943 010-4258-0943 swchun0943@hanmail.net
 
</ol>
 
<li>16/03/23 4K 교환 물류비 113,294 입금함.
 
</ol>
 
<li>측정
 
 
<ol>
 
<ol>
<li>16/03/21
+
<li>1W 이상 사용되는 [[TO-220]] 플라스틱 패키지
<li>소스미터로 증폭률 측정
+
<li>1W 미만으로 방열필요없는
<gallery>
 
image:2sc3834_001.png | 측정 방법
 
image:2sc3834_002.png | 1348로트 2개
 
image:2sc3834_003.png | 1534로트 2개
 
image:2sc3834_004.png | 1538로트 3개
 
image:2sc3834_005.png | 1548로트 1개
 
image:2sc3834_006.png | 1608로트 3개
 
image:2sc3834_007.png | 1612로트 3개
 
image:2sc3834_008.png | 로트에 따른 증폭률 차이 정리
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>2SC3835 - 70W, 3834가 50W,
 
<ol>
 
<li>Sanken - 1p
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>방열필요없는
 
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>Silk Hat 타입
 
<li>Silk Hat 타입
183번째 줄: 153번째 줄:
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>기타 모양
+
<li> [[TO-92]] 플라스틱 패키지
<ol>
 
<li>CRT 모니터, 미쓰비시, EUM-1491A
 
<gallery>
 
image:crt04_012.jpg | TR
 
image:crt04_015.jpg | TR
 
</gallery>
 
<li>1979년산 HP 5328B counter에서
 
<gallery>
 
image:hp5328b02_033.jpg | 2N3906 Tr에 적힌 EBC
 
</gallery>
 
<li>Yokogawa 2807 digital multimeter, 76년
 
<gallery>
 
image:yokogawa2807_01_028.jpg | Tr
 
</gallery>
 
</ol>
 
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>리드 지지 방법
 
<li>리드 지지 방법
211번째 줄: 166번째 줄:
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>방열 방법
 
<li>방열 방법
<ol> , [[방열]]
+
<ol> [[방열]]
 
</ol>
 
</ol>
<li>TO-3
+
<li> [[TO-3]] 다이아몬드형 금속패키지
<ol>
+
<li> [[TO-5]] 원형 금속패키지
<li>DC voltage standard, model 103, Kisusui에서
 
<gallery>
 
image:103_2_004.jpg | TO-3
 
image:103_2_ps_004.jpg
 
</gallery>
 
<li>KEPCO, Bipolar Operational Power Supplies에서
 
<gallery>
 
image:amp1_001.jpg
 
image:amp1_003.jpg
 
image:amp1_004.jpg
 
</gallery>
 
<li>Yokogawa 2807 digital multimeter, 76년
 
<gallery>
 
image:yokogawa2807_01_019.jpg | 2SD297, Si NPN Tr, 80V 3A 25W
 
</gallery>
 
<li>올림푸스 BH2 현미경 밝기 조정용
 
<gallery>
 
image:bh2_1_013.jpg | 2SC2507
 
</gallery>
 
<li>6651A 파워서플라이에서 8V 50A 400W
 
<gallery>
 
image:6651a01_008.jpg | MJ15003: Bipolar Transistor, NPN, 140V, 20A
 
image:6651a01_009.jpg
 
</gallery>
 
<li>협성 HRP-303S 파워
 
<gallery>
 
image:hrp_303s_014.jpg
 
</gallery>
 
 
</ol>
 
</ol>
<li>헤더 두께가 두꺼운
+
<li> [[하이브리드IC]]에서
 
<ol>
 
<ol>
<li>HP part no. 1853-0357, 측면 마킹 3-218, 8252 (H8112A에서 Q283) PNP Tr.
+
<li> [[오디오앰프IC]]
 
<ol>
 
<ol>
<li>HP 8112A, 50 MHz pulse generator에서
+
<li>전체
 
<gallery>
 
<gallery>
image:hp8112a_a1_023.jpg
+
image:audio_amp01_003.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>방열판 및 헤더가 두꺼워 방열에 유리한
+
<li>하나인 어떤 [[Tr]] 다이
 
<gallery>
 
<gallery>
image:tr_metal03_001.jpg
+
image:audio_amp01_004.jpg
image:tr_metal03_002.jpg
+
image:audio_amp01_005.jpg
image:tr_metal03_003.jpg
 
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>다이본딩, 칩 다이싱, 칩 표면
+
<li>4개인 주 [[Tr]] 다이
 
<gallery>
 
<gallery>
image:tr_metal03_004.jpg
+
image:audio_amp01_006.jpg
image:tr_metal03_005.jpg
+
image:audio_amp01_007.jpg
image:tr_metal03_006.jpg
+
image:audio_amp01_008.jpg
image:tr_metal03_007.jpg
+
image:audio_amp01_009.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>다이 본딩 방법
+
<li>단순한 전극 모양의 두 개인 [[Tr]] 다이
<ol>
 
<li>이 방법인 듯. https://en.wikipedia.org/wiki/Eutectic_bonding
 
<ol>Au-Si, 97.15/2.85 wt%, eutectic temp. 370'C
 
</ol>
 
<li>사진
 
 
<gallery>
 
<gallery>
image:tr_metal03_008.jpg
+
image:audio_amp01_010.jpg
image:tr_metal03_009.jpg
+
image:audio_amp01_011.jpg
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li> [[7060]] DMM에서
 
<gallery>
 
image:7060a01_063_001.jpg | SM BCY70
 
image:7060a01_063_002.jpg
 
image:7060a01_063_003.jpg
 
</gallery>
 
<li>8753D-K36
 
<gallery>
 
image:k36_02_005.jpg | 2A2222A NPN, small signal switching 50V 0.8A
 
</gallery>
 
<li>라이카 현미경 수은등 전원장치에서
 
<ol>
 
<li>외관, Motorola 2N2219A, dia. 8.9mm, npn
 
<gallery>
 
image:mecury_lamp01_039.jpg
 
image:tr_metal01_001.jpg
 
</gallery>
 
<li>내부
 
<gallery>
 
image:tr_metal01_002.jpg
 
image:tr_metal01_003.jpg
 
image:tr_metal01_004.jpg
 
image:tr_metal01_005.jpg
 
image:tr_metal01_006.jpg
 
</gallery>
 
<li>다이
 
<gallery>
 
image:tr_metal01_007.jpg
 
image:tr_metal01_008.jpg
 
image:tr_metal01_009.jpg
 
</gallery>
 
<li>와이어본딩
 
<gallery>
 
image:tr_metal01_010.jpg
 
image:tr_metal01_011.jpg
 
</gallery>
 
</ol>
 
<li>Takeda Riken(Advantest) TR-6150  - DC Voltage/Current Source
 
<gallery>
 
image:tr6150_026.jpg | 2SC505 300V Silicon NPN Transistor, 2N5416 PNP Silicon High Voltage Transistor
 
image:tr6150_030.jpg
 
image:tr6150_033.jpg
 
image:tr6150_034.jpg
 
image:tr6150_066.jpg | 2SD201
 
</gallery>
 
<li>HP 70001A mainframe 에서, -65~+200'C 사용온도범위
 
<ol>
 
<li>외관, 2N2907A pnp
 
<gallery>
 
image:tr_metal02_001.jpg
 
</gallery>
 
<li>칩
 
<gallery>
 
image:tr_metal02_002.jpg
 
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li> [[마이크로-X]]
 
<li> [[마이크로-X]]
<li>Pair
 
<ol>
 
<li>2N3810A, dual silicon PNP transistors, monolithic NPN transistor pairs, 6-lead TO-5 metal can package
 
<gallery>
 
image:uthe10h01_016.jpg | - UTHE 10H Ultrasonic Generator에서
 
</gallery>
 
<li>Motorola 3-075
 
<ol>
 
<li>외관 및 방열세라믹기판
 
<gallery>
 
image:tr_pair01_001.jpg | 6-pin
 
image:tr_pair01_002.jpg
 
image:tr_pair01_003.jpg
 
</gallery>
 
<li>왼쪽 칩
 
<gallery>
 
image:tr_pair01_004.jpg
 
image:tr_pair01_006.jpg
 
</gallery>
 
<li>오른쪽 칩
 
<gallery>
 
image:tr_pair01_005.jpg
 
image:tr_pair01_007.jpg
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>

2021년 12월 20일 (월) 20:42 판

Tr

  1. 전자부품
    1. 반도체
      1. 디스크리트
        1. Tr - 이 페이지
          1. 기술
            1. Tr 측정
          2. 패키지
            1. TO-3 다이아몬드형 금속패키지
            2. TO-5 원형 금속패키지
            3. TO-220 플라스틱 패키지
            4. TO-92 플라스틱 패키지
  2. 트랜지스터
    1. 의미있는 사진들
      1. 홍콩 마킹
      2. 삼성
      3. EBC 전극 표시
        1. HP5328B 카운터에서
        2. 마킹이 잘보이게 페인트칠
        3. 금형으로
          1. YHP LCR-4260A Universal Bridge에서
      4. 페라이트슬리브가 꼽히고, EBC 전극 표시
      5. 리드가 보이지 않게 짧게 잘라 납땜함
        1. SR606H 라벨 프린터에서
  3. 사용 기술
    1. 디지털 트랜지스터 - 내부 저항 2개 들어간 트랜지시터
      1. 기술정보
        1. 링크 http://www.rohm.com/web/in/faq_search/-/faq_search/FaqId/234
          1. 저항1: 베이스에 직렬저항을 넣으면 입력 전압을 전류로 변환하여 동작을 안정화시킨다. 그래서 꼭 넣는다.
          2. 저항2: 베이스와 이미터 사이에 저항을 넣는다. 베이스에 걸리는 노이즈에 의한 누설전류를 접지로 보내 오동작을 방지한다.
    2. Complementary Transistors
      1. NPN, PNP 두 차이점
        1. 전자 이동도가 전공 이동도에 비해 빠르다. NPN이 더 많은 전류를 흐르게 할 수 있고, 스위칭 속도가 빠르다.
      2. STA341M - 3p
        1. 외형 및 내부 구조
    3. Pair
      1. 2N3810A, dual silicon PNP transistors, monolithic NPN transistor pairs, 6-lead TO-5 metal can package
      2. Motorola 3-075
        1. 외관 및 방열세라믹기판
        2. 왼쪽 칩
        3. 오른쪽 칩
  4. 패키징 방법에 따라
    1. 플라스틱
      1. 1W 이상 사용되는 TO-220 플라스틱 패키지
      2. 1W 미만으로 방열필요없는
        1. Silk Hat 타입
          1. DC voltage standard, model 103, Kisusui에서
        2. TO-92 플라스틱 패키지
      3. 리드 지지 방법
        1. 니콘 넥시브, XYZ 모터 드라이브에서
    2. 금속 캔
      1. 방열 방법
          방열
      2. TO-3 다이아몬드형 금속패키지
      3. TO-5 원형 금속패키지
    3. 하이브리드IC에서
      1. 오디오앰프IC
        1. 전체
        2. 하나인 어떤 Tr 다이
        3. 4개인 주 Tr 다이
        4. 단순한 전극 모양의 두 개인 Tr 다이
    4. 마이크로-X