2년, 256일, 8시간, 31분 - Togotech

"R&K A0825-4343-R"의 두 판 사이의 차이

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<li>파워 앰프, class A 앰프이다. 항상 바이어스 전류가 흐르고, 가장 좋은 선형 출력을 갖는다. 효율이 가장 낮다. 입력이 0이어도 소모전력은 그대로이다.
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image:rnk_a0825_015.jpg | 왼쪽이 출력 결합기, 중간 앰프, 오른쪽이 입력 분배기
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<li>분배기, 결합기에서 - 내부 쉽게 열 수 없어 관찰하지 못함.
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image:rnk_a0825_017.jpg | 피드 쓰루, 50ΩSMA 커넥터를 사용하면 공간이 줄어들기 때문에? 직접 납땜으로 연결
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image:rnk_a0825_019.jpg | 50Ω종단 (10W 이상?)
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<li>4채널 앰프, FET Tr 출력이 5W이므로 4개를 병렬로 하여 20W를 만든다.
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image:rnk_a0825_021.jpg | FLL177, P1dB=32.5dBm, gain=12.5dB
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image:rnk_a0825_022.jpg | 입력이 두 개로 나뉘어 병열동작하는 듯
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image:rnk_a0825_024.jpg | Eudyna Device FLL57 GaAs FET, P1dB=36dBm, gain=11.5dB
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<li>Eudyna Device Inc.  Sumitomo Electric Industries 계열사로 2009년에 합병됨.
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<li>이후 2005년도에는 Nitronex Corporation 회사가 실리콘 웨이퍼에 GaN을 키워 depletion-mode RF HEMT device를 최초로 생산함.
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image:rnk_a0825_030.jpg | [[감쇠기]] Mini-Circuit VAT-3+, 50Ω 1W 3dB DC~6000MHz
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<li>방향성 결합기에서 나오는 반사파, 통과파 포트에서
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image:rnk_a0825_031.jpg | [[RF 전력 검출기]] R&K DE010-0F
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<li> [[감쇠기]]
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image:rnk_a0825_037.jpg | 입력쪽 120-50(?)-120이면 (7.7dB -57dB), 출력 110-68-110 (9.2dB, -30dB)
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<li> [[RF 전력 검출기]], R&K DE010-0F, 100kHz~3GHz
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<li>사진
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image:rnk_a0825_034.jpg | pi-[[감쇠기]] 150-43-150Ω은 6.4dB 손실, 다이오드 뒤 C는 약 18nF
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<li>저항기 위에 올라가 있는 MLCC
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image:rnk_a0825_036.jpg | 1R2=1.2pF
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2022년 2월 3일 (목) 10:22 판

R&K A0825-4343-R

  1. 링크
    1. 전자부품
      1. 앰프
        1. R&K A0825-4343-R RF Power Amplifier - 이 페이지
      2. 참고
        1. RF앰프 모듈
  2. 정보
    1. 제조회사 R&N 알엔케이 https://rk-microwave.com/
    2. 데이터시트 - 1p
      1. 800~2500MHz, 20W @P1dB, gain 44dB, 3dBm max input, class A, AC100 400VA
      2. RF in: SMA(f), RF out: N(f)
      3. (W)480mm(D)499.5mm(H)149mm, 20.0kg
    3. 내부 회로
      1. 2022/02/02
        • rnk a0825 000 001.jpg
    4. 구입이력
      1. 2022/01/13
      2. 판매자가 제공한 사진
        • rnk a0825 001.jpg
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      3. 2022/01/28 도착
    5. 외관
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    6. 내부
      • rnk a0825 008.jpg
    7. AC전원용 노이즈필터 소켓

      • TDK, ZUG2210-11A, 250Vac 10A

    8. SMPS 3개, 100Vac용이 있다.

      • COSEL R10A-5-N, 85~132AC, 5V 2A

      • rnk a0825 010.jpg

      • COSEL PBA300F-12, 100~240Vac, 12V 27A

    9. AC팬 4개, 모두 100Vac용이다.

      • 뒤쪽 2개, Royal Electric, UT120C, 100Vac 14W, 103CFM, 120x38mm

      • 앞쪽 2개, NMB-MAT 4710PS-10T-B30, 100Vac 11W, 71CFM, Minebea-Matsushita Motor, 119x25mm

    10. 입력단
      1. 입력, 전력 분배기

        • PD2S-0725-SMA, 450~2400MHz power divider

      2. 전력 검출기 및 프리 전력 증폭기
        • rnk a0825 027.jpg
      3. RF 전력 검출기 R&K DE040
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        • rnk a0825 046.jpg

        • AD8318

      4. 입력, 프리 전력 증폭기
        • rnk a0825 039.jpg
        • rnk a0825 040.jpg

        • 180-18-180Ω감쇠기 (3.9dB, -23dB), RK16

        • FLL177, FLL57

        • rnk a0825 043.jpg
        • rnk a0825 044.jpg
    11. 파워 앰프, class A 앰프이다. 항상 바이어스 전류가 흐르고, 가장 좋은 선형 출력을 갖는다. 효율이 가장 낮다. 입력이 0이어도 소모전력은 그대로이다.
      1. 내부

        • 왼쪽이 출력 결합기, 중간 앰프, 오른쪽이 입력 분배기

        • 왼쪽이 입력 분배기, 오른쪽이 출력 결합기

      2. 분배기, 결합기에서 - 내부 쉽게 열 수 없어 관찰하지 못함.

        • 피드 쓰루, 50ΩSMA 커넥터를 사용하면 공간이 줄어들기 때문에? 직접 납땜으로 연결

        • rnk a0825 018.jpg

        • 50Ω종단 (10W 이상?)

      3. 4채널 앰프, FET Tr 출력이 5W이므로 4개를 병렬로 하여 20W를 만든다.
        • rnk a0825 020.jpg
      4. 어느 한 채널에서

        • FLL177, P1dB=32.5dBm, gain=12.5dB

        • 입력이 두 개로 나뉘어 병열동작하는 듯

        • rnk a0825 023.jpg

        • Eudyna Device FLL57 GaAs FET, P1dB=36dBm, gain=11.5dB

        • rnk a0825 025.jpg
        • rnk a0825 026.jpg
      5. Eudyna Device Inc. Sumitomo Electric Industries 계열사로 2009년에 합병됨.
        1. Gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) devices를
        2. 2004년도에 최초로 depletion-mode radio frequency (RF) transistors를 생산함.
        3. silicon carbide (SiC) substrates 에 GaN을 사용함.
        4. 이후 2005년도에는 Nitronex Corporation 회사가 실리콘 웨이퍼에 GaN을 키워 depletion-mode RF HEMT device를 최초로 생산함.
    12. 출력단
      1. 방향성 결합기
        • rnk a0825 029.jpg

        • 감쇠기 Mini-Circuit VAT-3+, 50Ω 1W 3dB DC~6000MHz

      2. 방향성 결합기에서 나오는 반사파, 통과파 포트에서
        1. 전체
        2. 감쇠기

          • 입력쪽 120-50(?)-120이면 (7.7dB -57dB), 출력 110-68-110 (9.2dB, -30dB)

          • rnk a0825 038.jpg
        3. RF 전력 검출기, R&K DE010-0F, 100kHz~3GHz
          1. 사진
            • rnk a0825 032.jpg
            • rnk a0825 033.jpg

            • pi-감쇠기 150-43-150Ω은 6.4dB 손실, 다이오드 뒤 C는 약 18nF

          2. 저항기 위에 올라가 있는 MLCC
            • rnk a0825 035.jpg

            • 1R2=1.2pF

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