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<li>정상동작한다.
 
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<li> 뒷면 패널에서, [[유리관형퓨즈]]를 5A에서 2A로 변경하고, 라벨을 AC100V에서 AC220V로 변경함.
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<li>뒷면 패널에서, [[유리관형퓨즈]]를 5A에서 2A로 변경하고, 라벨을 AC100V에서 AC220V로 변경함.
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<li>향후: 주파수별 RF 파워 측정
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<li> [[RF파워미터]]로 측정한다.
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<li>보유 센서 8482A가 300mW(20dBm)용이므로 43dBm을 측정하기 위해서는 23dB 이상 감쇠가 필요한 30W 30dB감쇠기가 필요하다.
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<li>아래 사진 제품이 필요하다.
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image:8482b01_005.jpg | 별도 모델명이 없다.
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2022년 3월 11일 (금) 11:36 기준 최신판

R&K A0825-4343-R

  1. 링크
    1. 전자부품
      1. 앰프
        1. R&K A0825-4343-R RF Power Amplifier - 이 페이지
      2. 참고
        1. RF앰프 모듈
  2. 정보
    1. 제조회사 R&N 알엔케이 https://rk-microwave.com/
    2. 데이터시트 - 1p
      1. 800~2500MHz, 20W @P1dB, gain 44dB, 3dBm max input, class A, AC100 400VA
      2. RF in: SMA(f), RF out: N(f)
      3. (W)480mm(D)499.5mm(H)149mm, 20.0kg
    3. 내부 회로
      1. 2022/02/02
    4. 구입이력
      1. 2022/01/13
      2. 판매자가 제공한 사진
      3. 2022/01/28 도착
    5. 외관
    6. 내부
    7. AC전원용 노이즈필터 소켓
    8. 판매용 표준 산업용 SMPS가 3개, 100Vac용이 있다.
      1. 100VAC를 사용하는 두 개
        1. 사진
        2. 부하 곡선 실험 데이터
      2. COSEL R10A-5-N, 85~132AC, 5V 2A
        1. 외관
        2. 내부
        3. SMPS 입력전압 100V를 220V로 변경실험
          1. 변경하지 않은 부품
          2. 변경한 부품
          3. 5V 출력에 20W 5Ω 저항을 부하로 연결하여 1A를 흘려보니
          4. AC 입력 전압에 따라, DC 로드로 1A 부하(정격 50%) 흘리면서 효율 측정
          5. 220V에서. 1A 부하에서 칩저항기 발열
          6. 1A 출력에서 가장 뜨거워지는 부품은 snubber RC회로에 사용된 R(270Ω2W)이다.
          7. 2A 출력에서는
          8. 270Ω 발열저항기에 150Ω 두 개를 직렬로 연결하여 총 570Ω연결하면. 최고온도를 떨어뜨리는데 약간 도움이 된다.
      3. COSEL R10A-12-N, 85~132AC, 12V 0.9A
      4. COSEL PBA300F-12, 100~240Vac, 12V 27A
    9. AC팬 4개, 모두 100Vac용이다.
    10. 입력단
      1. 입력, 전력 분배기
      2. 전력 검출기 및 프리 전력 증폭기
      3. RF 전력 검출기 R&K DE040
      4. 입력, 프리 전력 증폭기
    11. 파워 앰프, class A 앰프이다. 항상 바이어스 전류가 흐르고, 가장 좋은 선형 출력을 갖는다. 효율이 가장 낮다. 입력이 0이어도 소모전력은 그대로이다.
      1. 내부
      2. 분배기, 결합기에서 - 내부 쉽게 열 수 없어 관찰하지 못함.
      3. 4채널 앰프, FET Tr 출력이 5W이므로 4개를 병렬로 하여 20W를 만든다.
      4. 어느 한 채널에서
      5. Eudyna Device Inc. Sumitomo Electric Industries 계열사로 2009년에 합병됨.
        1. Gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) devices를
        2. 2004년도에 최초로 depletion-mode radio frequency (RF) transistors를 생산함.
        3. silicon carbide (SiC) substrates 에 GaN을 사용함.
        4. 이후 2005년도에는 Nitronex Corporation 회사가 실리콘 웨이퍼에 GaN을 키워 depletion-mode RF HEMT device를 최초로 생산함.
    12. 출력단
      1. 방향성 결합기
      2. 방향성 결합기에서 나오는 반사파, 통과파 포트에서
        1. 전체
        2. 감쇠기
        3. RF 전력 검출기, R&K DE010-0F, 100kHz~3GHz
          1. 사진
          2. 저항기 위에 올라가 있는 MLCC
    13. EMI용 (앞면에 장착된) Shielded Honeycomb Air Vent
      1. 벌집 치수(표준품이다.) - 가장 짧은 폭(cell size) 3.2mm(1/8=0.125"), 가장 긴 폭 6mm, 두께(깊이) 약 13mm(1/2=0.5")
      2. 알루미늄 아노다이징 제품이라면 1GHz(45,35dB) 5GHz(50,35dB) 10GHz(55,40dB) (짧은폭으로 통과하는 가로파, 긴쪽으로 통과하는 세로파에 대한 감쇠값이다.)
        1. 무전해 니켈도금 제품은 1GHz(80,85dB) 5GHz(85,85dB) 10GHz(80,85dB) 감쇠값을 보인다.
    14. 220V용으로 개조
      1. 100V AC 팬 4개를 220V AC 팬으로 교체 (2022/03/11 생각. 100V 두 개씩 있기 때문에 직렬로 연결할걸 그랬다.)
      2. +5V는 굴러다니는 판매용 표준 산업용 SMPS POWERLD PD-25-S5 제품으로 교체함.
      3. +12V는 구입함. Meanwell, RS-15-12, 12V 1.3A 15W
      4. 매우 뜨거워져 살펴보니, 100V용 릴레이가 있다. 2022/03/02 220V용 릴레이를 디바이스마트로부터 8,464원에 구입의뢰함.
      5. 220V 전원을 투입하고 발열부품을 찾음
    15. RF 인가 실험. 2022/03/11
      1. 간이 실험사진
      2. 정상동작한다.
      3. 뒷면 패널에서, 유리관형퓨즈를 5A에서 2A로 변경하고, 라벨을 AC100V에서 AC220V로 변경함.
    16. 향후: 주파수별 RF 파워 측정
      1. RF파워미터로 측정한다.
      2. 보유 센서 8482A가 300mW(20dBm)용이므로 43dBm을 측정하기 위해서는 23dB 이상 감쇠가 필요한 30W 30dB감쇠기가 필요하다.
        1. 아래 사진 제품이 필요하다.