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2022년 11월 4일 (금) 11:10 판
IDT C
- 전자부품
- 기술정보, (plannar) InterDigitated electrode Capacitor(IDC) Conventional parallel plate capacitor(평행판 캐퍼시터)
- Vacuum permittivity = electric constant = 8.854E-12 [F/m] = 8.854E-14 [F/cm]
- 정리
- 논문
- 논문-1
- 논문-2
- 논문-3
- 논문-4
- 설계
- EEsof EDA에서 Agilent
- low ESL 이 안된다.
- 대비되는 평행판 캐퍼시터보다 ESR 및 ESL이 모두 크다.(좋지 않다.)
- 논문
- 이론
계산식
h를 무한대로, t는 매우 얇다고 가정함.
- 엑셀 계산식
- 두 계산식
- 전도도 센서를 바탕으로 하는 엑셀 계산식
- 정전용량 직접 계산하는
- 두 계산식 차이
- 어떤 SAW필터용 IDT에서
- 어떤 SAW필터용 IDT에서
- 두 계산식
- 실제 어떤 PCB에서
- 시험용 PCB에서
- 계측기에서
- 3490xA에서
- 34901
- 34905
- 34908
- 34901
- 3490xA에서
- RF IC에서
- 위성방송 수신 셋탑박스 DMT-3700HD, Broadcom BCM4505 에서
- QSC6240, 3G 통신모듈에서
- Apple [[iPhone 5S], 튜너블C에서
- 폴리이미드 층을 불로 태워 제거한 후 다이
주기 1.67um 구경 24.7um 39주기
- 중요 치수
1.98x1.6mm (active area 1130x567um) 0.04pF이 최소라면, 0.04x20줄x14행=11pF
추정 동작 원리
- 폴리이미드 층을 불로 태워 제거한 후 다이
- Apple [[iPhone 5S], 터치 콘트롤러 IC에서
- Broadcom, Touchscreen Controller
- Broadcom, Touchscreen Controller
- 위성방송 수신 셋탑박스 DMT-3700HD, Broadcom BCM4505 에서
- SAW 필터에서
- 포켓WiFi, 2.0x1.6mm 1800MHz용 DPX에서
- 내부
Rx 아래 - 밸런스 출력
- Rx 칩
interdigitated C(IDT C)
- 내부
- StarTAC 휴대폰에서
SAW-핸드폰RF Fujitsu, Rx 881MHz 필터
- 2012 삼성 갤럭시 S3 SHV-E210K
IDT C 패턴
- 2020 삼성 갤럭시 A51 SM-A516N 휴대폰에서
- SAW 다이. IDT C 설계 방식이 매우 특이하다.
아래쪽 패턴에는 전극막 한 층이 더 있다.
좁은 틈새가 C를 형성시킨다. 1차: 알루미늄-IDT, 2차: 알루미늄-두꺼운막, 3차: 금 두꺼운막
- 이론
- SAW 다이. IDT C 설계 방식이 매우 특이하다.
- 포켓WiFi, 2.0x1.6mm 1800MHz용 DPX에서
- 센서에서
- 습도센서
- Sensirion SHTC1, Digital Humidity and Temperature Sensor IC, capacitive humidity sensor
CMOSens Technology
- Sensirion SHTC1, Digital Humidity and Temperature Sensor IC, capacitive humidity sensor
- 습도센서
