4시간, 53분 - Togotech

"커패시터"의 두 판 사이의 차이

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<li>부유용량(stray capacitance) 또는 기생용량(parasite capacitance; parasitic capacitance) 제거
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<li>보통은 같은 의미로 사용된다.
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<li>기생용량: 불가피한 경우가 조금 강하다.
 
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<li>측정 방법
 
<li>측정 방법
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<li>다층세라믹 SMD - 삼성전기 2012 샘플 키트
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<li>MLCC, 삼성전기 2012 샘플 키트
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<li>측정 방법 및 결과
 
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<li>전원회로 잡음제거(L을 사용해서 100MHz 이상 다시 제거)
+
<li>의견
 
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<li>인터넷 자료
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<li>정전용량 2오더에 주파수 1오더
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+
<li>즉, 1M, 10M, 100MHz 주파수를 제거하려면 10uF, 100n, 1nF C를 사용한다.
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<li>
 
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<li>  
 
 
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<li>후지쯔 노트북에서
 
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image:c03_001.jpg | Fujitsu 노트북에서
 
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image:c03_004.png | 앞 삼성전기 키트 측정 데이터로 계산한 그래프
 
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<li>OmniBER에서, VCXO 전원
 
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<li>OmniBER에서, VCXO ctrl용 DC 회로에서
 
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image:j1409a00_033_003_015.jpg | 측정 케이블 접지 방법에 따라
 
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<li>전원회로 잡음제거 - 실제 측정함
 
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image:c04_001.jpg | USB 전원
 
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image:c04_002.jpg | L제거
 
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image:c04_003.jpg | 150nF 제거
 
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image:c04_004.jpg | 1nF 제거
 
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image:c04_005.jpg | 10uF 제거
 
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2023년 6월 1일 (목) 20:53 판

캐퍼시터

  1. 전자부품
    1. RLC
      1. 캐퍼시터 - 이 페이지
        1. 종류
          1. 표준C
          2. MLCC
          3. SLC ,
          4. 단판C , 고압 단판C
          5. 튜브C
          6. 가변C
          7. 필름C , 스파크 킬러 , 모터C , 오일C
          8. 탄탈C
          9. 전해C , 고체 전해C , 포토플래시 전해C , 고압 전해C
          10. 운모C
          11. IDT C ,
          12. PCB C
          13. EDLC
          14. 리튬이온 캐퍼시터
        2. 기술
          1. 용량온도계수
          2. 디커플링 캐퍼시터, 바이패스 캐퍼시터
        3. 관련부품
          1. MEMS마이크
          2. 가속도
      2. 참조
        1. SAW부품 정전용량 측정치구
    2. 참조
      1. 마주보는 두 철판으로 만든 기다란 전원 버스(bus)
  2. 상식
    1. Q=It [Coulomb]=[Ampere][Second]
      1. Q=CV [Coulomb]=[Farad][Volt]
      2. C=Q/V [Farad] = [Coulomb]/[Volt]
      3. Energy=1/2CV^2 [Joule]=1/2 [Farad] [Volt]^2
          캐퍼시터에서 Q 증가에 따라 V도 증가한다. 그래프에서 면적이 Energy(Joule)이다.
      4. Energy = W.s [Joule]=[Watt][Second]
          Power[W] = VI
    2. 교육자료
      1. - 66p,
    3. - 21p
      1. - 4p
    4. preferred numbers
      1. 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/E_series_of_preferred_numbers
      2. 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Renard_series
        1. 1~10 사이를 5, 10, 20, 40개 간격으로 나누는 preferred numbers 시스템.
        2. 그러면 10^(1/10), 10^(1/10), 10^(1/20), 10^(1/40) = 1.58, 1.26, 1.12, 1.06이 된다.
        3. 캐퍼시터 내전압에서 100V 160V 250V 400V 630V 도 1.58배수에 해당된다. 이는 R5 시리즈이다.
    5. time constant
      1. charge, discharge 엑셀 그래프
    6. 절연저항(IR)
      2. MLCC에서 정리
        1. 무라타 기종 GRM155B31H103KA88(1005mm, 10nF, 범용, 1kHz에서 측정)
          1. 0.047uF 이하에서는 10,000MΩ(1E10Ω) 이상, 50V. 누설전류는 0.0005uA 이하가 된다.
          2. 0.047uF 이상에서는 500ΩF 이상
        2. 무라타 기종 GRM188B30J106ME47(1608mm, 10uF, 범용, 1kHz에서 측정)
          1. 50ΩF 이상 - 만약 10uF이면 IR은 5MΩ이상. 누설전류는 1.26uA 이하
      3. 측정 치구
    7. 부유용량(stray capacitance) 또는 기생용량(parasite capacitance; parasitic capacitance) 제거
      1. 보통은 같은 의미로 사용된다.
      2. 기생용량: 불가피한 경우가 조금 강하다.
    8. 측정 방법
      1. 측정 주파수
        1. 범용 MLCC에서 <=1000pF이면 1MHz, >1000pF이면 1kHz
        2. 전해 C에서 120Hz
        3. Film C에서 1kHz(rms 전류는 주파수에 의존한다.)
      2. 555timer로 발진주파수로 C값 구하기
        1. 17/11/02
            555 timer로 발진주파수를 변경시시고, 12kHz 주파수로 8비트 MCU에서 샘플링가능하도록 함.
      3. single slop ADC로 C값 구하기
        2. 17/09/23
          1. 참조: TI MSP430x2xx MCU user's guide - 644p, 써미스터로 온도를 측정하는 방법이 528p에 나온다.
            • apresys d99 008.png
            • apresys d99 009.png
          2. 오실로스코프 파형 데이터
          3. 실험 사진
            • single slope adc 002.jpg
            • single slope adc 003.jpg
          4. 원리

            • C0=9.64uF C1=4.37uF으로 C0:C9+C1=1:1.45 이다.

            • (참조-고정C가 있을 때 저항 측정 방식) 저항전압상승곡선 수식, 시상수 수식, 사용표준저항 수식 등

            • 측정시간 및 선택할 수 있는 R에 따른 측정할 수 있는 C범위

          5. 파형
            • single slope adc 004.png
            • single slope adc 005.png
          6. 서로 다른 C에 따른 파형비교

            • 상승시상수 0.632 되는 시간을 찾으면 1.04초와 1.48초로 1:1.42

            • 하강시상수 0.368 지점의 시간은 0.98초와 1.43초로 1:1.46 (이 값이 참값 1.45에 근접한다.)

    9. 네트워크분석기로 C 등가회로 구하기
      1. 통과특성으로
        1. 자료
        2. 사진
          1. 디스크 - LG 저전력 노트북용, LCAP48-WK 파워서플라이 회로에서
            1. 측정 방법

              • 1

              • 2

              • 3

            2. S21 진폭특성

              • 통과 진폭특성

            3. S21 임피던스로 변환

              • 임피던스로 변환

              • 한쪽에 ferrite sleeve끼웠을 때

          2. 필름 - LG 저전력 노트북용, LCAP48-WK 파워서플라이 회로에서
            • c01 002 002.jpg
            • c01 002 003.jpg
            • c01 006.png
          3. MLCC, 삼성전기 2012 샘플 키트
            1. 측정 방법 및 결과
              • c02 002.jpg
              • c02 003.png
            2. 의견
              1. 정전용량 2오더에 주파수 1오더
              2. 즉, 1M, 10M, 100MHz 주파수를 제거하려면 10uF, 100n, 1nF C를 사용한다.
      2. 튜브C
        1. TV카드에 사용된 TV튜너속에서
          1. 삼성전기 Flat 타입과 MELF형(MELF는 아님) 타입과 비교

            • 2.0x1.2mm, 삼성전기 flat type MLCC와 비교

          2. 측정 방법

            • 여기에 끼워서 서로 비교

          3. 네트워크 분석기로 반사 S11 및 통과 S21 특성
            • tubular c01 002.png

            • flat 타입은 SRF가 880MHz, MELF 타입은 940MHz이다.

    10. 위로 쌓아 특성향상(?-low ESL) 하기
      1. omniBER에서, 고주파 잡음 감쇄를 위해 작은 C를 덧붙임. - 손으로 납땜
        • j1409a00 026 021.jpg
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        • j1409a00 026 027.jpg
      2. RF 전력 검출기, R&K DE010-0F, 100kHz~3GHz에서
        • rnk a0825 035.jpg

        • 1R2=1.2pF

      3. 참고,
        1. R&K A0825-4343-R RF Power Amplifier에서, 감쇠기에서

          • R위에 L

    11. 직렬연결하여 수정하기
      1. ABO AVX-310B 오디오 측정기에서
        • avx310b01 022.jpg
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