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image:block03_001.jpg | 일진다이아몬드에서 2003년도(추정)에 만든 모형
 
image:block03_001.jpg | 일진다이아몬드에서 2003년도(추정)에 만든 모형

2023년 9월 8일 (금) 21:39 기준 최신판

SAW 웨이퍼

  1. 전자부품
    1. SAW대문
      1. SAW자재
        1. SAW 웨이퍼 - 이 페이지
    2. 참고
      1. 웨이퍼
  2. 재료 상수
    1. 위키페디아
      1. LT https://en.wikipedia.org/wiki/Lithium_tantalate
        1. https://en.wikipedia.org/wiki/Lithium_tantalate_(data_page)
      2. LN https://en.wikipedia.org/wiki/Lithium_niobate
    2. 기타
      1. http://www.roditi.com/SingleCrystal/Lithium-Tantalate/LiTaO3-Properties.html
      2. https://www.pmoptics.com/lithium_tantalate.html
    3. 기술자료
  3. LiNbO3, LiTaO3 웨이퍼
    1. 절단각도
      1. X-cut, Y-cut, Z-cut이란? (Z축으로 다이폴이 형성된다. 그러므로 가장 큰 압전효과는 Z축 위아래로 전극을 형성하는 것이다.)
    2. 단결정 각도
      1. 잉곳에서
      2. 커팅 각도, http://www.buysemi.co.kr/에서
        1. 그림
        2. 128 rot-Y cut 과 52 rot-Y cut는 완전히 다르다.
          1. 결정구조가 cubic 이라면 같은데, rhombohedral lattice systems 에서는 전혀 다르다.
      3. 웨이퍼에서
      4. 다이에서
  4. pyroelectrivity 조사
  5. 폴링 poling, 분극 역전 polarization reversal
    1. 기술자료
      1. 논문, 쏘필터 웨이퍼는 congruent 조성이다.
      2. - Minerva Gonzalez 프랑스
        1. 도메인 스위칭을 하려면 일반 LT에서는 20kV/mm 이상 전압이 필요하다.
        2. 합동조성은 화학양론조성에 비해 1/5 전압으로 domain switching된다.
        3. 상온에서 Z방향 폴링은 액체전극(liquid electrodes)으로 saturated KNO3 solution in water를 사용했다.
          1. 샘플 위 아래로 실리콘 고무 O-ring을 두고 내부에 포화전해액(LiCl 또는 KCl)을 넣는다.
        4. domain reversal 이 일어나는 전압에서 전류피크 변화가 일어난다.
        5. 첫 domain reversal 이 일어나는 것을 forward poling Ef, 다음으로 반대로 걸어서 일어나는 domain reversal을 reverse poling이라고 한다면, Er로 표시하였다.
        6. 두 값 차이는 내부 전계(internal fields) 존재를 말한다. 이를 Eint = (Ef-Er)/2로 한다.
        7. 도메인 변경 영역은 polarized light microscope 로 보인다.
  6. 유전율
      1. 엑셀파일
      2. 웨이퍼 두께방향으로의 비유전율은 ~46이다.
  7. 내전압 조사
  8. 절연저항 조사
  9. 자료
  10. 접합 웨이퍼
    1. Lithium Tantalate on Insulator(LTOI)
    2. Piezoelectric-on-Insulator(POI) wafer: soitec
      1. Smart Cut 기술, 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Smart_cut
  11. 깨짐
      1. LT/LN 단결정의 fracture toughness 는 (다른 단결정에 비해) 비교적 낮다. ~1MPam^1/2
        1. 그러므로 웨이퍼 가공(컷팅,그라인딩,폴리싱)때 주의해야 할 뿐더러,
        2. 조립공정에서 다이가 접촉하는 부분에서 발생되는 sub-surface crack이 쉽게 발생된다.
          1. 특히 쏘필터 조립시, pick and place 공정에서 뽀족한 바늘에 의해 단결정 재료의 좁은 영역에 힘이 집중될 때를 고려해야 한다.
          2. 이런 접촉을 Hertzian contact 이라고 한다. (1881년 Hertz 연구에 의해 시작됨)
          3. 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Contact_mechanics
      2. 3가지 방향을 고려한다. cleavage planes, twinning planes or slip planes
      3. biaxial strength는 LN ~700MPa, LT ~1800MPa이다. LT가 훨씬 강하다.
      4. LT LN의 단결정 구조
        1. trigonal crystal, 3 m point group, R3c space group(no.161)에 속한다.
        2. hexagonal axes(a=b≠c and α=β=90°,γ=120°)
        3. C축으로 가장 강력한 결합력을 갖는다. (가장 높은 Young's modulus. 가장 낮은 열팽창율. 그래서 빠른 파동속도, 큰 전기기계결합계수,낮은 tcf)
  12. 웨이퍼 절단 각도 표현
    1. 42도Y-X LT란?
      1. 단결정 X축을 회전축으로, Y축을 반시계방향으로 42도 회전시킨다.
      2. 회전된 결정 Y축에 수직으로 자른다.
      3. 그려면, 웨이퍼를 직교좌표 XY평면에 놓아보면(즉, -Z축으로 보면)
        1. 웨이퍼 플랫존은 Y축과 평행하게 있고,
        2. 웨이퍼 결정의 +Z축은 전체 시스템의 +Z축(솟아있는)이 내 눈에서 멀어지는 쪽으로 48도 기울어져 있다.
    2. 단결정 모델