"SO-DIMM"의 두 판 사이의 차이

2024년 1월 2일 (화) 20:24 기준 최신판

SO-DIMM

전자부품
1. IC
  1. 메모리
    1. RAM
      1. 메모리모듈
        
        SIMM
        DIMM
        SO-DIMM - 이 페이지
SO-DIMM(small outline DIMM)
1. 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/SO-DIMM
2. 144-pin, SDR
  1. 8960 무선 통신 테스트 세트, DSP board에서
    - Micron Technology MT4LSDT464HG-662F2, 32MB, 66MHz, 48LC4M16A2 64Mbit SDRAM x 4 = 32MB
3. 200-pin, DDR
  1. Infineon
    1. LG IBM T40 노트북에서
      1. 뒷면 추가 메인메모리 확장 슬롯(200-pin, SO-DIMM)
        
        철판을 고정시키는 방법
        
        IBM P/N=10K0031, 256MB PC2100(DDR 266)
  2. Micron
    1. LG IBM T40 노트북에서
      1. 앞면 메인 메모리 모듈(200-pin, SO-DIMM) 슬롯
        
        IBM P/N=38L3904, 512MB PC2100 DDR-SDRAM
  3. Samsung, 1GB 2Rx16 PC2-5300S-555-12-A3 M470T2864AZ3-CE6
    1. 2006년 03월 출시 노트북, IBM T43p에서 앞면, 뒷면에 각각 사용. 즉, 2개
4. 200-pin, DDR-2
  1. Samsung
    1. 2006년 07월 출시, 노트북 Compaq nx6320
      - Samsung 1GB 2Rx8(2rank, 칩구성비트) M470T2953CZ3-CE6, PC2-5300S-555-12-E3
5. 204-pin, DDR-3
  1. Elpida (NEC - NEC+Hitachi - Elpida - Micron) 엘피다(NEC,Hitachi합작 일본의 유일한 DRAM업체, 2012년 파산하여 그해 미국 마이크론으로 인수됨
    1. 2018.12 채기병 기증품에서. 2GB, PC3-10600S-999,
  2. Hynix
    1. Single Board Computers-1에서
      - Kingmax Semiconductor 2048 MB (DDR3-1333), FSFE85F-C8HS9
      - 66+36pin x 2 = 204-pin
  3. Micron
    1. 2011년 06월 출시 노트북, HP ProBook 4530S 노트북
      1. DDR3-1333MHz, HP 621565-001, 2GB, PC3-10600 256x64 CL9 1.5V, 2011/06/10
        
        Micron 칩
  4. Samsung
    1. 2GB, PC3-10600S, M471B5773DH0-CH9
      1. 2024/01/01 1개 있다.
      2. 2011년 06월 출시 노트북, HP ProBook 4530S 노트북에 꼽아 2GB를 4GB로 용량을 높였다.
  5. SK Hynix
    1. 2013년 06월 제조 노트북, LG울트라북 LGZ36에서
      - 앞뒤로 SK Hynix H5TQ2G83CFR(2Gb DDR3 SDRAM) 16개 부착되어 있다.
6. DDR-4
  1. Gigabyte P34, Windows 10 노트북에서 사용됨.

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 <li> [[RAM]]
 <ol>
-<li> [[메모리모듈]], [[DIMM]]
+<li> [[메모리모듈]]
 <ol>
 <li> [[SIMM]]