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2024년 11월 5일 (화) 20:31 기준 최신판
커패시터
- 전자부품
- 상식
- Q=It [Coulomb]=[Ampere][Second]
- Q=CV [Coulomb]=[Farad][Volt]
- C=Q/V [Farad] = [Coulomb]/[Volt]
- Energy=1/2CV^2 [Joule]=1/2 [Farad] [Volt]^2
- 커패시터에서 Q 증가에 따라 V도 증가한다. 그래프에서 면적이 Energy(Joule)이다.
- Energy = W.s [Joule]=[Watt][Second]
- Power[W] = VI
- 교육자료
- - 66p,
- - 21p
- - 4p
- preferred numbers
- 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/E_series_of_preferred_numbers
- 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Renard_series
- 1~10 사이를 5, 10, 20, 40개 간격으로 나누는 preferred numbers 시스템.
- 그러면 10^(1/10), 10^(1/10), 10^(1/20), 10^(1/40) = 1.58, 1.26, 1.12, 1.06이 된다.
- 커패시터 내전압에서 100V 160V 250V 400V 630V 도 1.58배수에 해당된다. 이는 R5 시리즈이다.
- time constant
- charge, discharge 엑셀 그래프
- 절연저항(IR)
- MLCC에서 정리
- 무라타 기종 GRM155B31H103KA88(1005mm, 10nF, 범용, 1kHz에서 측정)
- 0.047uF 이하에서는 10,000MΩ(1E10Ω) 이상, 50V. 누설전류는 0.0005uA 이하가 된다.
- 0.047uF 이상에서는 500ΩF 이상
- 무라타 기종 GRM188B30J106ME47(1608mm, 10uF, 범용, 1kHz에서 측정)
- 50ΩF 이상 - 만약 10uF이면 IR은 5MΩ이상. 누설전류는 1.26uA 이하
- 무라타 기종 GRM155B31H103KA88(1005mm, 10nF, 범용, 1kHz에서 측정)
- 측정 치구
- 부유용량(stray capacitance) 또는 기생용량(parasite capacitance; parasitic capacitance) 제거
- 보통은 같은 의미로 사용된다.
- 기생용량: 불가피한 경우가 조금 강하다.
- 측정 방법
- 측정 주파수
- 범용 MLCC에서 <=1000pF이면 1MHz, >1000pF이면 1kHz
- 전해C에서 120Hz
- Film C에서 1kHz(rms 전류는 주파수에 의존한다.)
- 555timer로 발진주파수로 C값 구하기
- 17/11/02
- 555 timer로 발진주파수를 변경시시고, 12kHz 주파수로 8비트 MCU에서 샘플링가능하도록 함.
- 17/11/02
- single slop ADC로 C값 구하기
- 17/09/23
- 참조: TI MSP430x2xx MCU user's guide - 644p, 써미스터로 온도를 측정하는 방법이 528p에 나온다.
- 오실로스코프 파형 데이터
- 실험 사진
- 원리
- 파형
- 서로 다른 C에 따른 파형비교
- 참조: TI MSP430x2xx MCU user's guide - 644p, 써미스터로 온도를 측정하는 방법이 528p에 나온다.
- 측정 주파수
- 위로 쌓아 특성향상(?-low ESL) 하기
- omniBER에서, 고주파 잡음 감쇠를 위해 작은 C를 덧붙임. - 손으로 납땜
- RF 전력 검출기, R&K DE010-0F, 100kHz~3GHz에서
- 참고,
- R&K A0825-4343-R RF Power Amplifier에서, 감쇠기에서
- R&K A0825-4343-R RF Power Amplifier에서, 감쇠기에서
- omniBER에서, 고주파 잡음 감쇠를 위해 작은 C를 덧붙임. - 손으로 납땜
- 직렬연결하여 수정하기
- ABO AVX-310B 오디오 측정기에서
- ABO AVX-310B 오디오 측정기에서
- Q=It [Coulomb]=[Ampere][Second]