"커패시터"의 두 판 사이의 차이

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capacitor 캐퍼시터 관련 부품
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커패시터
 
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<li> [[표준 커패시터]]
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<li> [[MLCC]]
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<li> [[단판 커패시터]] , [[고압 단판 커패시터]]
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<li> [[튜브 커패시터]]
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<li> [[관통 커패시터]]
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<li> [[가변C]]
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<li> [[필름 커패시터]] , [[스파크 킬러]] , [[모터용 커패시터]] , [[오일 커패시터]]
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<li> [[전해C]] , [[고체 전해C]] , [[포토플래시 전해C]] , [[고압 전해C]]
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<li> [[운모 커패시터]]
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<li> [[IDT 커패시터]] ,
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<li> [[PCB 커패시터]]
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<li> [[EDLC]]
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<li> [[리튬이온 커패시터]]
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<li> [[용량온도계수]]
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<li> [[디커플링 커패시터]], [[바이패스 커패시터]]
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<li> [[불꽃방전 노이즈억제용 커패시터]]
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<li> [[네트워크분석기로 커패시터 측정]]
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<li> [[MEMS마이크]]
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<li> [[SAW부품 정전용량 측정치구]]
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<li>참조
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<li> [[마주보는 두 철판으로 만든 기다란 전원 버스(bus)]]
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<li>상식
 
<li>상식
 
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<li>- 66p,
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<li>Q=It [Coulomb]=[Ampere][Second]
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<li>Q=CV [Coulomb]=[Farad][Volt]
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<li>C=Q/V [Farad] = [Coulomb]/[Volt]
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<li>Energy=1/2CV^2 [Joule]=1/2 [Farad] [Volt]^2
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<ol>커패시터에서 Q 증가에 따라 V도 증가한다. 그래프에서 면적이 Energy(Joule)이다.
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<li>Energy = W.s [Joule]=[Watt][Second]
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<ol>Power[W] = VI
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<li>교육자료
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<li> - 66p,  
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<li>preferred numbers
 
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<li>- 4p
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<li>위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/E_series_of_preferred_numbers
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<li>위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Renard_series
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<li>1~10 사이를 5, 10, 20, 40개 간격으로 나누는 preferred numbers 시스템.
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<li>그러면 10^(1/10), 10^(1/10), 10^(1/20), 10^(1/40) = 1.58, 1.26, 1.12, 1.06이 된다.
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<li>커패시터 내전압에서 100V 160V 250V 400V 630V 도 1.58배수에 해당된다. 이는 R5 시리즈이다.
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<li>time constant
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<li>charge, discharge 엑셀 그래프
 
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<li>절연저항(IR)
 
<li>절연저항(IR)
 
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<li>MLCC에서 정리
 
<li>MLCC에서 정리
 
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<li>측정 치구
 
<li>측정 치구
 
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<li>부유용량(stray capacitance) 또는 기생용량(parasite capacitance; parasitic capacitance) 제거
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<li>보통은 같은 의미로 사용된다.
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<li>기생용량: 불가피한 경우가 조금 강하다.
 
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<li>측정 방법
 
<li>측정 방법
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<li>범용 MLCC에서 <=1000pF이면 1MHz, >1000pF이면 1kHz
 
<li>범용 MLCC에서 <=1000pF이면 1MHz, >1000pF이면 1kHz
<li>전해 C에서 120Hz
+
<li>[[전해C]]에서 120Hz
 
<li>Film C에서 1kHz(rms 전류는 주파수에 의존한다.)
 
<li>Film C에서 1kHz(rms 전류는 주파수에 의존한다.)
 
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<li>555timer로 발진주파수로 C값 구하기
 
<li>555timer로 발진주파수로 C값 구하기
 
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<li>17/11/02
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<ol>555 timer로 발진주파수를 변경시시고, 12kHz 주파수로 8비트 MCU에서 샘플링가능하도록 함.
 
<ol>555 timer로 발진주파수를 변경시시고, 12kHz 주파수로 8비트 MCU에서 샘플링가능하도록 함.
 
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</ol>
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<li>single slop ADC로 C값 구하기
 
<li>single slop ADC로 C값 구하기
 
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<li>17/09/23
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<li>
+
<li>참조: TI MSP430x2xx [[MCU]] user's guide - 644p, 써미스터로 온도를 측정하는 방법이 528p에 나온다.
<li>사진
+
<gallery>
 +
image:apresys_d99_008.png
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image:apresys_d99_009.png
 +
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 +
<li>오실로스코프 파형 데이터
 +
<li>실험 사진
 
<gallery>
 
<gallery>
image:single_slope_adc_001.jpg
 
 
image:single_slope_adc_002.jpg
 
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image:single_slope_adc_003.jpg
 
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image:single_slope_adc_007.png
 
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</ol>
 
</ol>
 
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<li>네트워크분석기로 C 등가회로 구하기
 
<ol>
 
<li>통과특성으로
 
<ol>
 
<li>자료
 
<ol>
 
<li>
 
<li>
 
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<li>사진
 
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<li>디스크 - LG 저전력 노트북용, LCAP48-WK 파워서플라이 회로에서
 
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image:c01_001.jpg
 
image:c01_002.jpg
 
image:c01_002_001.jpg
 
image:c01_003.png
 
image:c01_004.png
 
image:c01_005.png|한쪽에 ferrite sleeve끼웠을 때
 
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>필름 - LG 저전력 노트북용, LCAP48-WK 파워서플라이 회로에서
+
<li>원리
 
<gallery>
 
<gallery>
image:c01_002_002.jpg
+
image:single_slope_adc_001.jpg | C0=9.64uF C1=4.37uF으로 C0:C9+C1=1:1.45 이다.
image:c01_002_003.jpg
+
image:apresys_d99_010.png | (참조-고정C가 있을 때 저항 측정 방식) 저항전압상승곡선 수식, 시상수 수식, 사용표준저항 수식 등
image:c01_006.png
+
image:single_slope_adc_008.png | 측정시간 및 선택할 수 있는 R에 따른 측정할 수 있는 C범위
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>다층세라믹 SMD - 삼성전기 2012 샘플 키트
+
<li>파형
 
<gallery>
 
<gallery>
image:c02_001.jpg
+
image:single_slope_adc_004.png
image:c02_002.jpg
+
image:single_slope_adc_005.png
image:c02_003.png
 
</gallery>
 
<li>전원회로 잡음제거(L을 사용해서 100MHz 이상 다시 제거)
 
<ol>
 
<li>인터넷 자료
 
<ol>
 
<li>
 
<li>
 
</ol>
 
<li>후지쯔 노트북에서
 
<gallery>
 
image:c03_001.jpg|Fujitsu 노트북에서
 
image:c03_002.jpg
 
image:c03_003.jpg
 
image:c03_004.png|앞 삼성전기 키트 측정 데이터로 계산한 그래프
 
</gallery>
 
<li>OmniBER에서, VCXO 전원
 
<gallery>
 
image:j1409a00_033_003_010.jpg
 
image:j1409a00_033_003_011.jpg
 
image:j1409a00_033_003_012.png
 
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>OmniBER에서, VCXO ctrl용 DC 회로에서
+
<li>서로 다른 C에 따른 파형비교
 
<gallery>
 
<gallery>
image:j1409a00_033_003_013.jpg
+
image:single_slope_adc_006.png | 상승시상수 0.632 되는 시간을 찾으면 1.04초와 1.48초로 1:1.42
image:j1409a00_033_003_014.jpg
+
image:single_slope_adc_007.png | 하강시상수 0.368 지점의 시간은 0.98초와 1.43초로 1:1.46 (이 값이 참값 1.45에 근접한다.)
image:j1409a00_033_003_015.jpg|측정 케이블 접지 방법에 따라
 
image:j1409a00_033_003_016.png
 
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>전원회로 잡음제거 - 실제 측정함
 
<gallery>
 
image:c04_001.jpg|USB 전원
 
image:c04_002.jpg|L제거
 
image:c04_003.jpg|150nF 제거
 
image:c04_004.jpg|1nF 제거
 
image:c04_005.jpg|10uF 제거
 
image:c04_006.png
 
</gallery>
 
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
</ol>
+
<li>위로 쌓아 특성향상(?-low ESL) 하기
<li>병렬연결하여 수정하기
 
 
<ol>
 
<ol>
<li>omniBER에서, 고주파 잡음 감쇄를 위해 작은 C를 덧붙임. - 손으로 납땜
+
<li>omniBER에서, 고주파 잡음 감쇠를 위해 작은 C를 덧붙임. - 손으로 납땜
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:j1409a00_026_021.jpg
 
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image:j1409a00_026_027.jpg
 
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</gallery>
 
</gallery>
</ol>
+
<li> [[RF 전력 검출기]], R&K DE010-0F, 100kHz~3GHz에서
<li>직렬연결하여 수정하기
 
<ol>
 
<li>ABO AVX-310B Audio Measure
 
 
<gallery>
 
<gallery>
image:avx310b01_022.jpg
+
image:rnk_a0825_035.jpg
 +
image:rnk_a0825_036.jpg | 1R2=1.2pF
 
</gallery>
 
</gallery>
</ol>
+
<li>참고,
</ol>
 
<li>
 
<li>
 
<li>
 
<li>Axial-lead,SMD C
 
 
<ol>
 
<ol>
<li>tubular
+
<li> [[R&K A0825-4343-R]] RF Power Amplifier에서, 감쇠기에서
<ol>
 
<li>자료
 
<ol>
 
<li>카탈로그
 
<ol>
 
<li>Spectrum Control(=api technologies)
 
<ol>
 
<li>- 3p
 
<li>- 3p
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>사진
 
<ol>
 
<li>SMD EMI 노이즈 필터에서 ->
 
<ol>
 
<li>Kikusui, Time Interval Jitter Meter, KJM6765
 
<gallery>
 
image:kjm6765_007.jpg|필터
 
image:noisefilter01_001.jpg
 
image:noisefilter01_002.jpg
 
</gallery>
 
<li>E-Cal. 85093-60003, 30kHz~6GHz
 
 
<gallery>
 
<gallery>
image:85093a_001.jpg
+
image:rnk_a0825_038.jpg | R위에 L
image:85093a_007.jpg
 
image:85093a_008.jpg
 
</gallery>
 
<li>니콘 넥시브, 엔코더 보드에서
 
<gallery>
 
image:vm150n04_029_007.jpg|필터
 
</gallery>
 
</ol>
 
<li>RS-232 커넥터 ->
 
<ol>
 
<li>SCI(Spectrum Control Inc.) API TECHNOLOGIES 56-705-009 (D-Sub EMI Filtered Connectors, series 700, Pin/Socket Adapter)
 
<gallery>
 
image:box_shield02_032.jpg
 
image:box_shield02_033.jpg
 
image:box_shield02_034.jpg
 
image:box_shield02_035.jpg
 
</gallery>
 
<li>분해
 
<gallery>
 
image:box_shield02_038.jpg
 
image:box_shield02_039.jpg
 
image:box_shield02_040.jpg
 
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
</ol>
+
<li>직렬연결하여 수정하기
<li>feedthrough
 
<ol>
 
<li>Tescom TC-5910DP 실드 박스(shield box) 에서
 
 
<ol>
 
<ol>
<li>DC 커넥터
+
<li> ABO [[AVX-310B]] 오디오 측정기에서
 
<gallery>
 
<gallery>
image:box_shield02_026.jpg
+
image:avx310b01_022.jpg
image:box_shield02_048.jpg
 
image:box_shield02_049.jpg|5.5/2.5
 
</gallery>
 
<li>분해
 
<gallery>
 
image:feedthrough01_001.jpg
 
image:feedthrough01_002.jpg
 
image:feedthrough01_003.jpg
 
image:feedthrough01_004.jpg
 
image:feedthrough01_005.jpg|13nF
 
image:feedthrough01_006.jpg|C-L-C 조합을 pi filter라 한다.
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>radial 판 캐퍼시터
 
<ol>
 
</ol>
 
<li>Oil-Filled Capacitor
 
<ol>
 
<li>엘컴텍 High Voltage Capacitor
 
<ol>
 
<li>2002.9 한성엘컴텍에서 중국천진 한성엘컴텍으로 이전
 
</ol>
 
<li>사진
 
<ol>
 
<li>전자레인지에서
 
<gallery>
 
image:microwave_oven01_006.jpg|고압다이오드
 
image:microwave_oven01_007.jpg|고압콘덴서
 
 
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</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>

2024년 11월 5일 (화) 20:31 기준 최신판

커패시터

  1. 전자부품
    1. RLC
      1. 정전용량
      2. 커패시터 - 이 페이지
        1. 종류
          1. 표준 커패시터
          2. MLCC
          3. SLC ,
          4. 단판 커패시터 , 고압 단판 커패시터
          5. 튜브 커패시터
          6. 관통 커패시터
          7. 가변C
          8. 필름 커패시터 , 스파크 킬러 , 모터용 커패시터 , 오일 커패시터
          9. 탄탈 커패시터
          10. 전해C , 고체 전해C , 포토플래시 전해C , 고압 전해C
          11. 운모 커패시터
          12. IDT 커패시터 ,
          13. PCB 커패시터
          14. EDLC
          15. 리튬이온 커패시터
        2. 기술
          1. 용량온도계수
          2. 디커플링 커패시터, 바이패스 커패시터
          3. 불꽃방전 노이즈억제용 커패시터
          4. 네트워크분석기로 커패시터 측정
        3. 관련부품
          1. MEMS마이크
          2. 가속도
      3. 참조
        1. SAW부품 정전용량 측정치구
    2. 참조
      1. 마주보는 두 철판으로 만든 기다란 전원 버스(bus)
  2. 상식
    1. Q=It [Coulomb]=[Ampere][Second]
      1. Q=CV [Coulomb]=[Farad][Volt]
      2. C=Q/V [Farad] = [Coulomb]/[Volt]
      3. Energy=1/2CV^2 [Joule]=1/2 [Farad] [Volt]^2
          커패시터에서 Q 증가에 따라 V도 증가한다. 그래프에서 면적이 Energy(Joule)이다.
      4. Energy = W.s [Joule]=[Watt][Second]
          Power[W] = VI
    2. 교육자료
      1. - 66p,
    3. - 21p
      1. - 4p
    4. preferred numbers
      1. 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/E_series_of_preferred_numbers
      2. 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Renard_series
        1. 1~10 사이를 5, 10, 20, 40개 간격으로 나누는 preferred numbers 시스템.
        2. 그러면 10^(1/10), 10^(1/10), 10^(1/20), 10^(1/40) = 1.58, 1.26, 1.12, 1.06이 된다.
        3. 커패시터 내전압에서 100V 160V 250V 400V 630V 도 1.58배수에 해당된다. 이는 R5 시리즈이다.
    5. time constant
      1. charge, discharge 엑셀 그래프
    6. 절연저항(IR)
      1. MLCC에서 정리
        1. 무라타 기종 GRM155B31H103KA88(1005mm, 10nF, 범용, 1kHz에서 측정)
          1. 0.047uF 이하에서는 10,000MΩ(1E10Ω) 이상, 50V. 누설전류는 0.0005uA 이하가 된다.
          2. 0.047uF 이상에서는 500ΩF 이상
        2. 무라타 기종 GRM188B30J106ME47(1608mm, 10uF, 범용, 1kHz에서 측정)
          1. 50ΩF 이상 - 만약 10uF이면 IR은 5MΩ이상. 누설전류는 1.26uA 이하
      2. 측정 치구
    7. 부유용량(stray capacitance) 또는 기생용량(parasite capacitance; parasitic capacitance) 제거
      1. 보통은 같은 의미로 사용된다.
      2. 기생용량: 불가피한 경우가 조금 강하다.
    8. 측정 방법
      1. 측정 주파수
        1. 범용 MLCC에서 <=1000pF이면 1MHz, >1000pF이면 1kHz
        2. 전해C에서 120Hz
        3. Film C에서 1kHz(rms 전류는 주파수에 의존한다.)
      2. 555timer로 발진주파수로 C값 구하기
        1. 17/11/02
            555 timer로 발진주파수를 변경시시고, 12kHz 주파수로 8비트 MCU에서 샘플링가능하도록 함.
      3. single slop ADC로 C값 구하기
        1. 17/09/23
          1. 참조: TI MSP430x2xx MCU user's guide - 644p, 써미스터로 온도를 측정하는 방법이 528p에 나온다.
          2. 오실로스코프 파형 데이터
          3. 실험 사진
          4. 원리
          5. 파형
          6. 서로 다른 C에 따른 파형비교
    9. 위로 쌓아 특성향상(?-low ESL) 하기
      1. omniBER에서, 고주파 잡음 감쇠를 위해 작은 C를 덧붙임. - 손으로 납땜
      2. RF 전력 검출기, R&K DE010-0F, 100kHz~3GHz에서
      3. 참고,
        1. R&K A0825-4343-R RF Power Amplifier에서, 감쇠기에서
    10. 직렬연결하여 수정하기
      1. ABO AVX-310B 오디오 측정기에서