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| + | <li>빛이 들어오면 저항이 감소한다. 약 10msec 지연시간(latency)을 갖는다. | ||
| + | <li>빛을 차단하면 수MΩ 저항을 보이고, 지연시간 lag time은 ~1초로 매우 길다. 그러므로 빠르게 깜박이는 신호는 처리하지 못한다. 대신 오디오 신호를 부드럽게 처리하는 곳에 이용할 수 있다. | ||
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| + | <li>Silonex TO-18 photocell, NSL-시리즈 - 1p | ||
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<li> [[PIR]], 오토리모;Autorimo 재실감지센서에서 | <li> [[PIR]], 오토리모;Autorimo 재실감지센서에서 | ||
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| + | <li>외관 | ||
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image:pir_sw01_012.jpg | image:pir_sw01_012.jpg | ||
| + | image:pir_sw01_017.jpg | 투명 에폭시(딱딱하다)로 전체가 코팅되어 있다. | ||
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| + | <li>측정 엑셀 파일 | ||
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| + | image:cds01_001.png | LED 손전등을 매우 빠르게 점멸시킬 때. 충분히 빠르다. 저항 측정에 사용한 DMM 샘플링속도가 문제이다. | ||
| + | image:cds01_002.png | 아주 밝을 때 200Ω, 사무실 밝기에서 100kΩ, 암흑에서는 서서히 어두워져 1GΩ이상 | ||
| + | image:cds01_003.png | 낮 사무실에서. 실내용 평균 밝기 센서로 사용될 수 있다. | ||
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<li>계측기에서 | <li>계측기에서 | ||
2024년 8월 17일 (토) 15:44 기준 최신판
CdS 센서
- 전자부품
- CdS; cadmium sulfide
- 기술자료
- 위키페디아 Photoresistor https://en.wikipedia.org/wiki/Photoresistor
- photoresistor = Photocell = light-dependent resistor;LDR = photo-conductive cell
- photoconductivity 를 보인다. 즉, 빛이 들어오면 전도도가 커진다.
- 빛이 들어오면 저항이 감소한다. 약 10msec 지연시간(latency)을 갖는다.
- 빛을 차단하면 수MΩ 저항을 보이고, 지연시간 lag time은 ~1초로 매우 길다. 그러므로 빠르게 깜박이는 신호는 처리하지 못한다. 대신 오디오 신호를 부드럽게 처리하는 곳에 이용할 수 있다.
- EE Power https://eepower.com/resistor-guide/resistor-types/photo-resistor/
- electronics notes https://www.electronics-notes.com/articles/electronic_components/resistors/light-dependent-resistor-ldr.php
- 위키페디아 Photoresistor https://en.wikipedia.org/wiki/Photoresistor
- 데이터시트
- Silonex TO-18 photocell, NSL-시리즈 - 1p
- 대만 Token PGM-시리즈 - 7p
- 중국 Nanyang Senba GL55-시리즈 - 5p
- 기술자료
- 조명장치 스위치에서
- 계측기에서
