2년, 18일, 8시간, 41분 - Togotech

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<li>220V 13.4W 23.4VA PF0.5 전력소모로 생각보다 커서, 아마 +-5V만 사용하는데, 이를 위해 먼저 +-8V로 만든 후 다시 전압을 +-5V로 떨어뜨리는 듯.
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image:dk_10a_016.jpg | -8V 47'C로 상대적으로 높다.
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image:dk_10a_017.jpg | +8V 32'C로 낮다.
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image:dk_10a_019.jpg | 채널별 Tr이 51'C로 가장 높다.
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<li>rubidium source 외부 신호를 분배기로 통과하면 지터가 낮아진다.
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image:dk2000a_014.png | Ribidium Source 지터 0.07%
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image:dk2000a_015.png | 7개 분배포트에서 평균 지터 0.05%
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2021년 1월 28일 (목) 23:35 판

주파수표준; Frequency standard

  1. 전자부품
    1. 계측기
      1. 주파수표준 - 이 페이지
        1. 루비듐 Rubidium 발진기
        2. GPSDO
        3. OCXO
      2. 참조
        1. 신호발생기
        2. 펄스발생기
  2. 표준 10MHz 발생기
    1. 기술 문서
      1. 1987 - 73p
      2. 15/06/10
  3. 10MHz 분배기, Distribution Amplifier
    1. DaeKyoung Technologies(대경 테크놀로지), DK-10A, 10MHz AGC Distribution Amplifier, 7-ch
      1. 외관
        • dk 10a 001.jpg
        • dk 10a 002.jpg
        • dk 10a 003.jpg
      2. 내부
        • dk 10a 004.jpg

        • 전원부

      3. linear voltage regulator

        • -8V JRC

        • -5V JRC

        • +8V Goldstar

        • +5V Samsung

      4. 분배 앰프 회로 - 출력 Vp-p는 약 +-1.8~+-2.1V가 나타난다.
        • dk 10a 010.jpg

        • Mini-Circuits, T1-1, Trasnsformer, Balanced to Balanced, 0.15M~400MHz

        • MC1590G, AGC Wideband Amplifier

        • LF411, JFET OP amp // 2N2905A, PNP Silicon Small Signal Switching Transistor

        • 2N3904, 300MHz, NPN bipolar junction transistor, general-purpose

      5. 220V 13.4W 23.4VA PF0.5 전력소모로 생각보다 커서, 아마 +-5V만 사용하는데, 이를 위해 먼저 +-8V로 만든 후 다시 전압을 +-5V로 떨어뜨리는 듯.
        • dk 10a 015.jpg

        • -8V 47'C로 상대적으로 높다.

        • +8V 32'C로 낮다.

        • dk 10a 018.jpg

        • 채널별 Tr이 51'C로 가장 높다.

      6. rubidium source 외부 신호를 분배기로 통과하면 지터가 낮아진다.

        • Ribidium Source 지터 0.07%

        • 7개 분배포트에서 평균 지터 0.05%

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