"Redmi Note 4X"의 두 판 사이의 차이

2020년 7월 7일 (화) 18:41 판

Xiaomi, Redmi Note 4X

링크
1. 전자부품
  1. 핸드폰
    1. Xiaomi Redmi Note 4X 휴대폰 - 이 페이지
기술자료
2. 출시년도: 2017년 2월
3. 사용 네트워크
  1. 2G GSM 850/900/1800/1900, CDMA800 & TD-SCDMA
  2. 3G HSDPA 850/900/1900/2100
  3. 4G 1, 3, 5, 7, 8, 38, 39, 40, 41 - Mediatek model
    1. B1: 2100
    2. B3: 1800
    3. B5: 850
    4. B7: 2600
    5. B8: 900
    6. B38: 2600
    7. B39: 1900
    8. B40: 2300
    9. B41: 2500
외관
finger ring stand
- conical 형태를 갖는 peen shape로 눌러, rivet head를 expanded 형태로 만들었다.
분해시작
- 케이스를 접합하거나 나사를 사용하지 않고, 플라스틱끼리 끼워 조립한다.
- 배터리가 가장 넓다.
안테나
1. 다이버시티 안테나인지, 아니면 하단은 저주파 1GHz, 상단은 2GHz 전용인지 정확하지 않음.
2. 상단
  - 위쪽 메탈케이스 표면 5군데와 접지 연결 및 안테나 3군데 연결 방법
  - 메탈 케이스 접지
  - 위쪽 안테나는 양면접착제로 붙어 있다.
  - 2면에 걸쳐 일정한 높이를 갖어야 안테나 방향성 이득이 좋다. GPS/BT/WiFi2.4+5G 안테나와 다이버시티 안테나
3. 하단
  - 아래쪽 메탈케이스와 3군데 연결 및 안테나와 연결방법
  - 아랫쪽 안테나와 메탈 케이스 접지 접촉
  - 안테나는 양면접착제로 붙어 있다.
  - 아랫쪽에 있는 메인안테나. 2면에 걸쳐 일정한 높이를 갖어야 안테나 방향성 이득이 좋다. 800~2600MHz 모두 매칭되어 있다.
  - 금속은 전파를 반사하므로 금속을 사용하면 안된다.
4. 하단 안테나 매칭
  - 아래쪽 메인 안테나와 케이블 연결 매칭
  - 메인 마이크 입구 및 안테나 접지와 연결되는 단자패드
  - 그 중 중간 단자만 사용하는 회로(스위치?) 1GHz 최적매칭 및 2GHz 최적 매칭을 위한 선택???
  - 측면 전극이 없는 부품에 많은 솔더를 발라서
5. LDS(Laser Direct Structuring)
  - laser induced selective activation(LISA) electroless plating 을 위해서 앞 뒤로 전기 연결하기 위한 원뿔 사출.
  - 앞뒤 연결을 위한, 반대편 원뿔. 반대편에서 전극이 튀어나온 것이 보인다.
6. 메탈 케이스를 피해서 설치된, 위 아래 안테나 위치
지문 센서
1. 위치
  - 지문센서 부착방법.
2. PCB
  - FPMJ012 17269006
  - 납땜 패드만(?) 전기도금한다.(?)
3. 표면에 열풍을 가하면
  - 페인트 칠이다. 지문 기름성분이 잘 안묻는 수지 코팅만 했다.
4. 다이
  - 5.9x5.75mm die size
  - 5.6x4.4mm sensing area size, 112x88=9856 cells
  - 50x50um pitch
  - 7033
5. 동작원리
안테나 접지면 기준이 되는 후면 메탈 케이스
- anodized aluminum 금속 케이스를 접지면으로 만들기 위해 산화피막을 제거하고, PCB 접지와 연결하기 위한 스프링 핀 연결
- 풀칠
- anodized aluminum에서 산화피막을 제거
- anodized aluminum 금속 케이스를 접지면으로 만들기 위해 산화피막을 레이저로 제거하고, PCB 접지와 연결하기 위한 스프링 인터커넥터 핀 연결
- 메탈케이스를 접지 시키기 위해서, mid-금속 프레임 산화피막을 표면을 레이저로 깍음
- 메탈케이스를 완전히 분해한 후 살펴보니
진동모터
- 진동모터 고정방법 및 (매우싼) 나사
- 소형 진동모터. 너무 소형이어서 진동량이 매우 작아 문제이다.
배터리
- 큰 전류를 위한 배터리 연결 커넥터
- 배터리 부착은 풀칠로
하단, 스피커 박스 근처
- 스피커 박스. 메탈케이스와 연결을 위한 포고핀 3개, 왼쪽 스피커 구멍, 오른쪽은 메인 마이크를 위한 공기 통로
- 메인 마이크 및 90도 꺽인 공기 통로
- 스피커 박스
- 스피커 박스속 백볼륨에 있는, 금속판에 붙어 있는 스폰지
- 스피커 진동판 및 마주보고 있는 금속판
메인 마이크
1. 메인 마이크와 맨 아래 버튼 스위치용 LED 연결
2. 메인 MEMS 마이크, XN7A7 7722 3014
  - 납땜으로 금속 뚜껑을 붙임
  - E2140C 11581
  - 실리콘 MEMS 마이크 뒷면
3. 사용 PCB 분석
  - PCB top(1층) 동박
  - top(1층) 동박
  - 1층과 2층 동박사이에 있는 FR4 유전체
  - 2층 동박
  - 2층 동박을 벗기면, 하양 유전체가 보인다. 이 유전체 두께로 C값을 좌우한다.
  - 하양 유전체 두께는 매우 얇다. 유전율을 높일수 없어서 두께를 얇게해서 C값을 높인다.
  - 3층 동박. 두 개의 C가 형성되어 있다.
  - 납땜을 위한 bottom면(4층) 동박
메인보드 방열 및 차폐
- 메인회로는 방열특성을 높이기 위해 표면을 검게처리함.
- 디스플레이와 만나는 면은 검게 처리된 동테이프
카메라
1. 후면 메인 카메라용 Dual-tone LED flash
  1. 기술
    1. 기존 단일 LED 플래시로 사진을 찍으면 부자연스럽고 차가운 톤으로 사진이 찍힌다.
    2. 서로 다른 색온도를 갖는 두 LED를 사용해서 색상 균형을 쉽게 맞출 수 있다.
    3. 2013년 9월 iPhone 5S에서 처음으로 등장. 흰색white과 호박색amber 사용함.
    4. 주변광의 화이트밸런스를 판단하여 플래시 색상을 조정한다.(맞나?)
  2. Dual-tone LED flash
    - 드라이브 IC 두 출력에 각각 연결되어 있다.
    - 흰색white과 호박색amber
  3. 형광체를 뜯어내면
    - AlN(알루미늄 나이트라이드) 기판에 두꺼운 구리전극+은 도금위에
  4. 켜보면
  5. LED 다이를 뜯으면
    - 솔더링플립칩 본딩
2. 후면 메인 카메라
  1. 위치
    - 카메라 모듈 뒷면 방열
    - 카메라 모듈 뒤면에 동테이프
  2. 카메라 뒷면 방열판
  3. 외관
    - 후면 메인 카메라
  4. VCM 분해
  5. IR컷 필터 분해
    - OHP0046
  6. 이미지 센서
  7. red dot pitch 약 2.2um, 파랑 점에 결점이 있다. phase detect auto focus(PDAF)를 위한 센서 픽셀. 한 축으로만 배열되어 예를 들면 수평 자동초점을 맞춘다. 센서 전영역에 걸쳐 형성되어 있으면 전영역에 자동초점을 맞출 수 있다.
  8. S5K3L8 삼성전자제조, 4208x3120(13M), 1.12um, 1/3.1", pixel type:ISOCELL, PDAF auto focus
3. 전면 보조 카메라
  - 전면 보조 카메라
적외선 근접센서(IR proximity sensors) 및 조도센서(Ambient Light Sensor)
1. 사진
  - 적외선 근접센서 및 조도센서 위치
  - 고무마개에는 Tx/Rx isolation을 위한 중간벽이 보인다.
  - 설치위치를 높이기 위해
2. 외관
  - 적외선 근접센서. 통화를 위해 귀에 대면 화면을 꺼지게 한다. (참고로 화면밝기를 조정하기 위해 주변밝기를 검출하는 조도센서 Ambient Light Sensor도 겸할 수 있다.)
  - 발광부 광원이 직접 수광부로 가는 것을 차단(isolation을 높이는 행위)하기 위해 도랑을 파, 검정 뚜껑에 있는 벽으로 확실히 차단하고 있다.
3. 분해
  - 각도에 따라 검출하는 기능은 아니다. 큰 면적은 에너지가 작은 반사빛을 검출하기 위해 면적이 크고, 작은 영역은 빛을 직접 받는 조도센서인듯
4. 인터포저
  - 센서 바닥의 8군데 패드와 1:1 매칭되는 인터포저 패드
  - 센서 설치를 높이기 위한 단순 PCB 인터포저
위 모서리에 IR통신(리모콘)용 LED (앞에 검정 플라스틱 창이 있다.)
- 수분이 침투한 듯
전면 상단에 3색 LED
- 3색 LED
귀쪽에 위치한, 소음 제거용 마이크
- MN7A7 7719 3021
- PCB 3개를 붙여서 만들었다.
- reverse top 형태로 만드는 이유
메인 PCB에서 방열
- 깡통이 튀어나온 부분(AP와 RAM이 PoP 되어 있어 두껍다.)은 anodized aluminum mid-frame은 오목하게 들어가 있다.
- 3군데 방열실리콘용 IC는 Micron 6QB47 D9TPL RAM, Mediatek MT6351V PMIC, Dialog DA9214 step down converter
- 쑥색은 테이프가 아니라 페인트칠이다.
- 전력변환 수동부품 영역에는 실리콘 접착제(방열? 진동억제?) 도포
- BGA bare die에서 붙인 마킹 필름이 떨어졌다.
Skyworks 77645-11, multimode multiband(MMMB) PAM
1. 부근 부품
2. Triquint SMR-baw 필터, 80C
3. Taiyo-Yuden(다이요유덴;태양유전) saw 필터, LAFy
  1. 특성 그래프
  2. 내부
하단 안테나에서 온 동축케이블과 연결된, 안테나 스위치(?)
1. 외관
  - 회사 마크가 RFMD
2. 다이 분석
  - M1D1643A01 RFMD 2013
Skyworks 77912-51 PAM(LTE B7,38,41,40,AXGP 등 2300~2690MHz)
Mediatek MT6631N, WiFi abgn+ac, BT4.1, GPS, FM 칩
1. 사진
  - Murata, GPS Rx saw filter, 1.1x0.9mm
2. 83C 227 Triquint WiFi/BT SMR-BAW filter 1.5x1.3
  1. 주파수 특성
  2. 패키징
    - Au stud 초음파 플립 본딩
    - 실리콘 결정은 특별한 벽개면이 존재한다.
  3. 칩
    - TQS 2013 EG9489 D6A
3. 다이플렉서 측정
  - 1.5GHz GPS 포트
  - 2.4GHz WiFi/BT 포트
  - 5GHz WiFi 포트
- 직렬로 연결된 전원용 노이즈 필터
SanDisk SDINADF4-64G, iNAND 7232, 64GB embedded flash drive, 14nm
- 128Gb x 4 = 64GB NAND flash
- flash memory controller
- 다이접착용 필름 두 개가 보인다.
- wire bonded multi-stack die
- Stand-off Stitch Bonding
- 와이어본딩을 겹쳐 하기 때문에 정전기 방지용(?) R패턴(?)
- SANDISK/TOSHIBA FFK8 128G, 16GB용이다.
- SANDISK/TOSHIBA FFK8 128G, 15nm NAND
TCXO
- TCXO 전체를 shield can으로 감쌌다.
- TCXO 전체를 shield can으로 감쌌다.
RF transceiver IC 구역
1. Mediatek MT6176V transceiver RF IC
  - Mediatek MT6176V transceiver RF IC
  - transceiver RF IC 주변 filter
  - 대충 회로도
2. Rx 다이버시티
  1. Rx 다이버시티용 스위치
    - Skyworks SKY13418 SP8T Antenna Switch, 0.1~6.0GHz
  2. 쏘필터 8개 1.1x0.9mm
    - 측정을 위해 #1~#8 번호부여
    - 회로도
  3. 노랑점선: 안테나, 쏘필터 그리고 이들 사이 매칭영역, 주황점선: 모듈과 트랜시버IC 사이의 매칭영역
    - 모든 매칭이 가능한 pi 구조로 PCB를 만든다.
  4. 필터 8개 주파수특성 측정을 위해 간이 연결
  5. 필터 8개 주파수특성 엑셀 데이터
  6. 필터 8개 주파수특성 그래프
    - P2 YE
    - 46 ~cD
    - X6 AB
    - PO ~cB
    - 24 MD
    - XT fC
    - MH8 0 1
    - P5 YA
  7. #7번 필터, 2017년 8월, China 제조
    - 구조
    - H881AA0 MP4 KKS G1
    - 주기: 4.53um
3. 듀플렉서 1.8x1.4mm 7개, 무라타1, 트라이퀸트1, Taiyo Yuden 5개
  1. 전체
    - 701/F01, 7B1/Fb3, 1003/VK5Q, 7A4/F3j, CG/3J, 7G6/Ek9, 7E4/Dq8
    - 노랑점선 내부가 Tx,Rx 매칭(안테나 포트 매칭은 뒷면에 있다.)
  2. Murata CG/3J, 1.55x1.15mm 크기
    1. 외관
    2. 패키징
      - 패키지 크기 1.55x1.15mm 다이 크기 1.22x0.84mm 여유 0.33mm 및 0.31mm
    3. 다이
      - EK18
      - 주기 2.04um(2000MHz 근처 필터)
  3. Qorvo TQQ1003(?) 1747.5/1842.5MHz Band3 WLP BAW Duplexer
    1. 외관
    2. 유기물 PCB
      - PCB 내부에 L을 많이 넣었다. 그래야 2GHz Duplexer가 된다.
      - WLP에 구리 기둥이 있다. EMC 수지 색상이 지금까지 분석했던 것과 다르다.
      - PCB 내부에 C도 넣었다. 내부에 L과 C가 많아 비아홀도 많다.
    3. 다이 분리
    4. 두 다이
    5. 빈공간을 유지하는, 벽과 지붕
      - 참조: https://en.wikipedia.org/wiki/SU-8_photoresist
    6. 본딩 패드와 검사용 패드
      - 인접한 다이와 연결된 패턴이 있다.
      - 용도가 다른 패드. 사각형 바늘
플라스틱 보호 커버(뭔가 누르기 위해 존재?)
메인 모드 뒷면
카드 소켓
- 매우 얇은 금도금
AP + RAM PoP(Package On Package)
- Mediatek MT6797W AP + Micron RAM
- 레이저 드릴로 EMC 제거함.
리시버
- AAC 회사 제품인 듯
디스플레이 파트
1. 강화유리(+LCD)와 anodized aluminum mid-frame과 분리
  - (아랫쪽) anodized aluminum mid-frame, (윗쪽) LCD 패널 접착은 가장자리 테두리로 양면접착제
  - (왼쪽) LCD 패널, (오른쪽) anodized aluminum mid-frame
2. anodized aluminum mid-frame에서 (방열용) 검정색 테이프 두 가지
  - LCD패널 뒷면에 접촉하는 anodized aluminum mid-frame에서 검정색 테이프
  - anodized aluminum mid-frame에서 검정색 테이프를 뜯으면
  - 유기물 테이프이다.
  - 메인 PCB가 접촉하고 있는 영역에만 붙어 있는 graphite sheet
  - 메인 PCB가 접촉하고 있는 영역에만 붙어 있는 graphite sheet
  - anodized aluminum mid-frame에서 산화피막을 레이저로 벗긴 부분
3. anodized aluminum mid-frame과 플라스틱 동시 사출 구조
  - 20170628, X1602-V.3 JYH M3-1
4. 강화유리와 LCD 패널 뜯기, 강화유리만 깨끗하게 뜯어내는 것에 실패
  - 뜨거운 물을 부으면, LCD 두 유리창 접착제를 뜯어낼 수 있지만, 한 쪽 유리판이 깨진다.
  - 터치 패널용 그리드영역 감지를 위한 X, Y 전선 및 매우 긴 DDI(1080x1920 pixels)
5. LCD용 LED 백라이트
  - LCD 백라이트용, 12개 LED, 6S2P

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 <li>카메라
 <ol>
-<li>후면 메인 카메라용 플래시 조명
+<li>후면 메인 카메라용 Dual-tone LED flash
+<ol>
+<li>기술
+<ol>
+<li>기존 단일 LED 플래시로 사진을 찍으면 부자연스럽고 차가운 톤으로 사진이 찍힌다.
+<li>서로 다른 색온도를 갖는 두 LED를 사용해서 색상 균형을 쉽게 맞출 수 있다.
+<li>2013년 9월 iPhone 5S에서 처음으로 등장. 흰색white과 호박색amber 사용함.
+<li>주변광의 화이트밸런스를 판단하여 플래시 색상을 조정한다.(맞나?)
+</ol>
+<li>Dual-tone LED flash
+<gallery>
+image:redmi_note4x_171.jpg | 드라이브 IC 두 출력에 각각 연결되어 있다.
+image:redmi_note4x_172.jpg | 흰색white과 호박색amber
+</gallery>
+<li>형광체를 뜯어내면
 <gallery>
-image:redmi_note4x_171.jpg
-image:redmi_note4x_172.jpg | 두 색(피부톤 강조?)을 사용한다.
 image:redmi_note4x_173.jpg | AlN(알루미늄 나이트라이드) 기판에 두꺼운 구리전극+은 도금위에
+</gallery>
+<li>켜보면
+<gallery>
+image:redmi_note4x_173_001.jpg
+image:redmi_note4x_173_002.jpg
+</gallery>
+<li>LED 다이를 뜯으면
+<gallery>
 image:redmi_note4x_174.jpg | 솔더링플립칩 본딩
 </gallery>
+</ol>
 <li>후면 메인 카메라
 <ol>
@@ 421번째 줄: / 442번째 줄: @@
 image:redmi_note4x_125.jpg | Mediatek MT6176V transceiver RF IC
 image:redmi_note4x_126.jpg | transceiver RF IC 주변 filter
+image:redmi_note4x_125_001.jpg | 대충 회로도
 </gallery>
 <li>Rx 다이버시티
@@ 428번째 줄: / 450번째 줄: @@
 image:redmi_note4x_133.jpg | Skyworks SKY13418 SP8T Antenna Switch, 0.1~6.0GHz
 </gallery>
-<li>쏘필터 8개
+<li>쏘필터 8개 1.1x0.9mm
 <gallery>
 image:redmi_note4x_130.jpg
@@ 435번째 줄: / 457번째 줄: @@
 				P2 46 X6 PO 24 XT MH8 P5
 image:redmi_note4x_130_013.jpg | 회로도
+</gallery>
+<li>노랑점선: 안테나, 쏘필터 그리고 이들 사이 매칭영역, 주황점선: 모듈과 트랜시버IC 사이의 매칭영역
+<gallery>
+image:redmi_note4x_130_018.jpg | 모든 매칭이 가능한 pi 구조로 PCB를 만든다.
 </gallery>
 <li>필터 8개 주파수특성 측정을 위해 간이 연결
@@ 463번째 줄: / 489번째 줄: @@
 </gallery>
 </ol>
-<li>듀플렉서
+<li>듀플렉서 1.8x1.4mm 7개, 무라타1, 트라이퀸트1, Taiyo Yuden 5개
+<ol>
+<li>전체
+<gallery>
+image:redmi_note4x_129.jpg | 701/F01, 7B1/Fb3, 1003/VK5Q, 7A4/F3j, CG/3J, 7G6/Ek9, 7E4/Dq8
+image:redmi_note4x_129_001.jpg | 노랑점선 내부가 Tx,Rx 매칭(안테나 포트 매칭은 뒷면에 있다.)
+</gallery>
+<li>Murata CG/3J, 1.55x1.15mm 크기
+<ol>
+<li>외관
 <gallery>
 image:redmi_note4x_127.jpg
-image:redmi_note4x_128.jpg | 1.8x1.4mm, Qorvo TQQ1003(?) 1747.5/1842.5MHz Band3 WLP BAW Duplexer
-image:redmi_note4x_129.jpg
 </gallery>
+<li>패키징
+<gallery>
+image:redmi_note4x_127_001.jpg | 패키지 크기 1.55x1.15mm 다이 크기 1.22x0.84mm  여유 0.33mm 및 0.31mm
+image:redmi_note4x_127_002.jpg
+</gallery>
+<li>다이
+<gallery>
+image:redmi_note4x_127_003.jpg | EK18
+image:redmi_note4x_127_004.jpg | 주기 2.04um(2000MHz 근처 필터)
+</gallery>
+</ol>
+<li>Qorvo TQQ1003(?) 1747.5/1842.5MHz Band3 WLP BAW Duplexer
+<ol>
+<li>외관
+<gallery>
+image:redmi_note4x_128.jpg
+</gallery>
+<li>유기물 PCB
+<gallery>
+image:redmi_note4x_128_001.jpg | PCB 내부에 L을 많이 넣었다. 그래야 2GHz Duplexer가 된다.
+image:redmi_note4x_128_002.jpg | WLP에 구리 기둥이 있다. EMC 수지 색상이 지금까지 분석했던 것과 다르다.
+image:redmi_note4x_128_003.jpg | PCB 내부에 C도 넣었다. 내부에 L과 C가 많아 비아홀도 많다.
+</gallery>
+<li>다이 분리
+<gallery>
+image:redmi_note4x_128_004.jpg
+</gallery>
+<li>두 다이
+<gallery>
+image:redmi_note4x_128_005.jpg
+image:redmi_note4x_128_006.jpg
+image:redmi_note4x_128_007.jpg
+</gallery>
+<li>빈공간을 유지하는, 벽과 지붕
+<gallery>
+image:redmi_note4x_128_008.jpg
+image:redmi_note4x_128_009.jpg | 참조: https://en.wikipedia.org/wiki/SU-8_photoresist
+</gallery>
+<li>본딩 패드와 검사용 패드
+<gallery>
+image:redmi_note4x_128_010.jpg | 인접한 다이와 연결된 패턴이 있다.
+image:redmi_note4x_128_011.jpg | 용도가 다른 패드. 사각형 바늘
+</gallery>
+</ol>
+</ol>
 </ol>
 <li>플라스틱 보호 커버(뭔가  누르기 위해 존재?)