"가공"의 두 판 사이의 차이

2019년 6월 15일 (토) 16:40 판

가공 forming

절단
1. 반도체 다이싱
  1. 실리콘 웨이퍼
    1. CIS #1 - 회전 다이아몬드 휠로 절단
      - 칩 두께 0.34mm, 두 칩 간격 20um
      - 블레이드 다이싱, 수평간격이 0.1mm이므로 30krpm이면 50mm/sec 절단속도
    2. CIS #2 - 레이저
      - 센서 경계선
      - 센서 칩 두께 250um, 레이저 다이싱
    3. MEMS 마이크
      - 레이저 다이싱 5회
  2. 쏘필터용 웨이퍼
    1. 무라타, 1.4x1.1mm
      - 줄무늬 수평 간격이 절단 속도에 비례한다.
      - 두께 5% 매우 빠르게, 두께 60% 천전히, 그리고 뒤집어서 다시. 총 4번 다이싱
      - 4번 다이싱 때문에, 뒷면 칩핑이 매우 적음
금속
1. 두 회전체 동원
2. spin forming
  1. SMC 회사 에어 실린더, CDJ2D16-125-B
    - spin forming
수지
1. 수지에 구멍 뚫는 법
  - 15/02/23

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 가공 forming
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+<li>절단
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+<li>반도체 다이싱
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+<li>실리콘 웨이퍼
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+<li>CIS #1 - 회전 다이아몬드 휠로 절단
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+image:cis03_016.jpg | 칩 두께 0.34mm, 두 칩 간격  20um
+image:cis03_017.jpg | 블레이드 다이싱, 수평간격이 0.1mm이므로 30krpm이면 50mm/sec 절단속도
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+<li>CIS #2 - 레이저
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+image:cis02_006_004.jpg | 센서 경계선
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+<li>MEMS 마이크
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+image:knowles01_007.jpg | 레이저 다이싱 5회
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+<li>쏘필터용 웨이퍼
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+<li>무라타, 1.4x1.1mm
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+image:saw1411_01_002.jpg | 줄무늬 수평 간격이 절단 속도에 비례한다.
+image:saw1411_01_003.jpg | 두께 5% 매우 빠르게, 두께 60% 천전히, 그리고 뒤집어서 다시. 총 4번 다이싱
+image:saw1411_01_004.jpg | 4번 다이싱 때문에, 뒷면 칩핑이 매우 적음
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 <li>금속
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 image:air_cylinder02_001.jpg
-image:air_cylinder02_002.jpg|spin forming
+image:air_cylinder02_002.jpg | spin forming
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 <li>수지에 구멍 뚫는 법
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+image:grinding02_001.jpg | 15/02/23
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