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| 1번째 줄: |
1번째 줄: |
| | 가공 forming | | 가공 forming |
| | <ol> | | <ol> |
| − | <li>절단 | + | <li>링크 |
| | <ol> | | <ol> |
| − | <li>반도체 다이싱 | + | <li> [[다이싱]] |
| − | <ol>
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| − | <li>실리콘 웨이퍼
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| − | <ol>
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| − | <li>CIS #1 - 회전 다이아몬드 휠로 절단
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| − | <gallery>
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| − | image:cis03_018.jpg
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| − | image:cis03_016.jpg | 칩 두께 0.34mm, 두 칩 간격 20um
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| − | image:cis03_017.jpg | 블레이드 다이싱, 수평간격이 0.1mm이므로 30krpm이면 50mm/sec 절단속도
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| − | </gallery>
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| − | <li>CIS #2 - 레이저
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| − | <gallery>
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| − | image:cis02_006_004.jpg | 센서 경계선
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| − | image:cis02_006_008.jpg | 센서 칩 두께 250um, 레이저 다이싱
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| − | </gallery>
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| − | <li>MEMS 마이크
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| − | <gallery>
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| − | image:knowles01_003.jpg
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| − | image:knowles01_004.jpg
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| − | image:knowles01_007.jpg | 레이저 다이싱 5회
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| − | </gallery>
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| | </ol> | | </ol> |
| − | <li>쏘필터용 웨이퍼 | + | <li>절단 |
| | <ol> | | <ol> |
| − | <li>무라타, 1.4x1.1mm | + | <li> [[다이싱]] |
| − | <gallery>
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| − | image:saw1411_01_001.jpg
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| − | image:saw1411_01_002.jpg | 줄무늬 수평 간격이 절단 속도에 비례한다.
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| − | image:saw1411_01_003.jpg | 두께 5% 매우 빠르게, 두께 60% 천전히, 그리고 뒤집어서 다시. 총 4번 다이싱
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| − | image:saw1411_01_004.jpg | 4번 다이싱 때문에, 뒷면 칩핑이 매우 적음
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| − | </gallery>
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| − | </ol>
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| − | </ol>
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| | </ol> | | </ol> |
| | <li>금속 | | <li>금속 |
| 46번째 줄: |
18번째 줄: |
| | image:grinding1_004.jpg | | image:grinding1_004.jpg |
| | </gallery> | | </gallery> |
| | + | <li>밀링 |
| | + | <ol> |
| | + | <li>DSRC ETCS RSE 장치에서, |
| | + | <gallery> |
| | + | image:dsrc_rse01_012.jpg |
| | + | image:dsrc_rse01_013.jpg | 일체형으로 가공했다. |
| | + | image:dsrc_rse01_014.jpg | O-ring 형성 방법 |
| | + | </gallery> |
| | + | </ol> |
| | <li>spin forming | | <li>spin forming |
| | <ol> | | <ol> |
