267일, 7시간, 11분 - Togotech

"메모리"의 두 판 사이의 차이
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<li>ROM
 
<li>ROM
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<li>EEPROM (는 byte단위로 writing, flash 메모리는 블록단위로 writing 구조간단)
 
<li>EEPROM (는 byte단위로 writing, flash 메모리는 블록단위로 writing 구조간단)
 
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12번째 줄: 11번째 줄:
 
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−
 
 
<li>온도기록계에서
 
<li>온도기록계에서
 
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20번째 줄: 18번째 줄:
 
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−
 
 
<li>DELTATRAK, FlashLink CT 모델 20763
 
<li>DELTATRAK, FlashLink CT 모델 20763
 
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26번째 줄: 23번째 줄:
 
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−
 
 
<li>EL-USB-1
 
<li>EL-USB-1
 
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32번째 줄: 28번째 줄:
 
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<li>D99
 
<li>D99
 
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38번째 줄: 33번째 줄:
 
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−
 
 
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−
 
 
<li>Winbond, W27E512
 
<li>Winbond, W27E512
 
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−
 
 
<li>HP 35660A dynamic signal analyzer, ROM 보드에서
 
<li>HP 35660A dynamic signal analyzer, ROM 보드에서
 
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52번째 줄: 44번째 줄:
 
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<li>Flash Memory
 
<li>Flash Memory
 
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<li>UTHE 10H Ultrasonic Generator
 
<li>UTHE 10H Ultrasonic Generator
 
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−
image:uthe10h01_009.jpg|AT29C256;Flash Memory, 32KB // P80C32SBAA 80C51 8bit microcontroller family</gallery>
+
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−
 
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<li>PC, 노트북에서
 
<li>PC, 노트북에서
 
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<li>Fujitsu Notebook E8410
 
<li>Fujitsu Notebook E8410
 
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−
image:fujitsue8410_064.jpg|SPI Flash 메모리</gallery>
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image:fujitsue8410_064.jpg|SPI Flash 메모리
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<li>LG IBM ThinkPad T40, Type 2373
 
<li>LG IBM ThinkPad T40, Type 2373
 
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−
image:ibm_t40_108.jpg|SST 49LF008A - A Microchip Technology Company, 8Mbit Firmware Hub for PC-BIOS application</gallery>
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image:ibm_t40_108.jpg|SST 49LF008A - A Microchip Technology Company, 8Mbit Firmware Hub for PC-BIOS application
−
 
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</ol>
 
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−
 
 
<li>도시바 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
 
<li>도시바 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
 
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<gallery>
 
image:slc460w_07_012.jpg|1Gbit Flash(128MB)
 
image:slc460w_07_012.jpg|1Gbit Flash(128MB)
−
</ol>
+
image:flash01_001.jpg|TSOP(Thin Small Outline Package) 측면 타이바4개 보임.
−
 
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image:flash01_002.jpg
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image:flash01_003.jpg|우하 밝게빛나는 부분이 capacitor
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image:flash01_004.jpg
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image:flash01_005.jpg|NAND FLASH EEPROM으로 적혀있음
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image:flash01_006.jpg|본딩패드 밑에도 회로
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image:flash01_007.jpg|면적으로 계산하면 약 1M, 한 격자안에 1K 셀이 있어야 함
 +
image:flash01_008.jpg|3차원 배선
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image:flash01_009.jpg|inter-digital capacitor
 +
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<li>Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품
 
<li>Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품
−
<ol>image:agilent1260lc02_022.jpg|Flash Memory</gallery>
+
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−
 
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image:agilent1260lc02_022.jpg|Flash Memory
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<li>SSD에서
 
<li>SSD에서
 
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−
image:ssd02_004.jpg|TFGDMZT-1D04, 16nm Micron MLC NAND flash, 32GB</gallery>
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image:ssd02_004.jpg|TFGDMZT-1D04, 16nm Micron MLC NAND flash, 32GB
−
 
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<li>삼성 ES75 콤팩트 카메라, SEC K9F5608U0D-J, 32MByte FLASH MEMORY
 
<li>삼성 ES75 콤팩트 카메라, SEC K9F5608U0D-J, 32MByte FLASH MEMORY
 
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image:es75_006.jpg
 
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image:es75_011.jpg
 
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image:es75_012.jpg|PCB 전기도금</gallery>
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image:es75_012.jpg|PCB 전기도금
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<li>UV-EPROM
 
<li>UV-EPROM
 
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103번째 줄: 100번째 줄:
 
image:uveprom1_003.jpg
 
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−
 
 
<li>M27C040, 4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS EPROM
 
<li>M27C040, 4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS EPROM
 
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111번째 줄: 107번째 줄:
 
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−
 
 
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−
 
 
<li>ST
 
<li>ST
 
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127번째 줄: 120번째 줄:
 
image:uveprom2_004.jpg
 
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−
 
 
<li>Iwatsu DMM, VOAC 7513  메모리보드에서,
 
<li>Iwatsu DMM, VOAC 7513  메모리보드에서,
 
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139번째 줄: 131번째 줄:
 
image:uveprom04_007.jpg
 
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image:uveprom04_008.jpg|1992
 
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</ol>
 
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−
 
 
<li>M27C512, (512 Kbit 64Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM) ST, Kikusui, Time Interval Jitter Meter, KJM6765(CD/DVD 지터 측정기)
 
<li>M27C512, (512 Kbit 64Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM) ST, Kikusui, Time Interval Jitter Meter, KJM6765(CD/DVD 지터 측정기)
−
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+
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 +
image:kjm6765_001.jpg
 
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−
 
 
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−
 
 
<li>NEC
 
<li>NEC
 
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156번째 줄: 147번째 줄:
 
image:2533_024.jpg
 
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image:2533_024_001.jpg
 
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−
image:2533_024_002.jpg|NEC D27C256D-20</gallery>
+
image:2533_024_002.jpg|NEC D27C256D-20
−
 
+
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<li>RAM
 
<li>RAM
 
<ol>
 
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174번째 줄: 162번째 줄:
 
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image:dram_nanya_1gb_001.jpg
 
image:dram_nanya_1gb_002.jpg|PCB 본딩 및 몰딩 방법
 
image:dram_nanya_1gb_002.jpg|PCB 본딩 및 몰딩 방법
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+
image:dram_nanya_1gb_003.jpg|태우고
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<li>image:dram_nanya_1gb_006.jpg
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image:dram_nanya_1gb_004.jpg|칼로 긁고
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image:dram_nanya_1gb_005.jpg|치약으로 닦고
 +
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 +
<li><gallery>
 +
image:dram_nanya_1gb_006.jpg
 
image:dram_nanya_1gb_007.jpg
 
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image:dram_nanya_1gb_008.jpg
 
image:dram_nanya_1gb_008.jpg
182번째 줄: 174번째 줄:
 
image:dram_nanya_1gb_011.jpg
 
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image:dram_nanya_1gb_012.jpg
 
image:dram_nanya_1gb_012.jpg
−
image:dram_nanya_1gb_013.jpg|한셀이 0.4um이라면 2층구조이면 1Gbit</gallery>
+
image:dram_nanya_1gb_013.jpg|한셀이 0.4um이라면 2층구조이면 1Gbit
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+
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</ol>
 
−
 
 
 
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−
 
 
<li>SDRAM
 
<li>SDRAM
 
<ol>
 
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194번째 줄: 183번째 줄:
 
image:ssd02_016.jpg
 
image:ssd02_016.jpg
 
image:ssd02_017.jpg|96 FBGA(Fine-pitch Ball Grid Array) Fine Pitch = 0.4~1.0mm
 
image:ssd02_017.jpg|96 FBGA(Fine-pitch Ball Grid Array) Fine Pitch = 0.4~1.0mm
 +
image:ssd02_018.jpg
 +
image:ssd02_015.jpg
 +
image:ssd02_019.jpg|on-line에서 해석안됨
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−
 
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−
 
 
<li>S-RAM
 
<li>S-RAM
 
<ol>
 
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<li>Keithley 195A, DMM에서
 
<li>Keithley 195A, DMM에서
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<ol>image:keithley195a_010.jpg|Xicor, 256x4bit, Nonvolatile Static RAM</gallery>
+
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−
 
+
image:keithley195a_010.jpg|Xicor, 256x4bit, Nonvolatile Static RAM
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</ol>
 
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−
 
 
<li>F-RAM
 
<li>F-RAM
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품
 
<li>Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품
 
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−
image:agilent1260lc02_020.jpg|F-RAM</gallery>
+
image:agilent1260lc02_020.jpg|F-RAM
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+
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<li>Memory Module
 
<li>Memory Module
 
<ol>
 
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<li>SIMM - single in-line memory module (여기서는 한쪽에만 IC장착된 제품으로 분류함)
 
<li>SIMM - single in-line memory module (여기서는 한쪽에만 IC장착된 제품으로 분류함)
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<li>DIMM - dual in-line memory module
 
<li>DIMM - dual in-line memory module
 
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<ol>
228번째 줄: 215번째 줄:
 
image:dimm01_002.jpg
 
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<li>2018.12 채기병 기증품에서
 
<li>2018.12 채기병 기증품에서
 
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image:dimm03_001.jpg|실험1
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image:dimm03_001.jpg|M378B5773CH0-CH9,
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image:dimm03_002.jpg|78 FBGA, K4B2G0846C, 256MB, DDR3 SDRAM
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+
image:dimm03_003.jpg
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<li>2018.12 채기병 기증품에서 - 냔야, 2018년 기준 세계 4위 DRAM(삼성 46% SK하이닉스 29%, 마이크론 21% 난야 2.5%)
 
<li>2018.12 채기병 기증품에서 - 냔야, 2018년 기준 세계 4위 DRAM(삼성 46% SK하이닉스 29%, 마이크론 21% 난야 2.5%)
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<ol>image:dimm04_001.jpg
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image:dimm04_002.jpg
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image:dimm04_001.jpg|NT2GT64U8HD0BY-AD, 2GB 1Gb x 16, Nanya Technology Corporation, Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM
 +
image:dimm04_002.jpg|NT5TU128M8DE-AD 128Mb x 8 = 1Gb, 400Mbps DDR2 SDRAM, 60-ball BGA
 
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<li>omniBER에서, M53210410CW0-C60, 4MB X 32 DRAM Simm Using 4MB X 4, 4KB/2KB Refresh, 5V
 
<li>omniBER에서, M53210410CW0-C60, 4MB X 32 DRAM Simm Using 4MB X 4, 4KB/2KB Refresh, 5V
 
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image:j1409a00_018_010.jpg
 
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<li>SO-DIMM(small outline DIMM)
 
<li>SO-DIMM(small outline DIMM)
 
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255번째 줄: 240번째 줄:
 
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2019년 4월 28일 (일) 17:57 판

memory IC

  1. ROM
    1. ROM
    2. EEPROM (는 byte단위로 writing, flash 메모리는 블록단위로 writing 구조간단)
      1. GPIB I/O장치 ZS-6120B에서, 27C256
        • zs 6120b 003.jpg
        • zs 6120b 012.jpg
      2. 온도기록계에서
        1. DELTATRAK, In Transit FlashLink, Data Logger, 20042
          • flashlink01 004.jpg
          • flashlink01 005.jpg
        2. DELTATRAK, FlashLink CT 모델 20763
          • flashlink ct 009.jpg
          • flashlink ct 006.jpg
        3. EL-USB-1
          • el usb 1 002.jpg
          • el usb 1 008.jpg
        4. D99
          • apresys d99 003.jpg
          • apresys d99 005.jpg
      3. Winbond, W27E512
        • eeprom01 001.jpg
      4. HP 35660A dynamic signal analyzer, ROM 보드에서
        • hp35660a 041.jpg
        • hp35660a 042.jpg
        • hp35660a 044.jpg
    3. Flash Memory
      1. UTHE 10H Ultrasonic Generator

        • AT29C256;Flash Memory, 32KB // P80C32SBAA 80C51 8bit microcontroller family

      2. PC, 노트북에서
        1. Fujitsu Notebook E8410

          • SPI Flash 메모리

        2. LG IBM ThinkPad T40, Type 2373

          • SST 49LF008A - A Microchip Technology Company, 8Mbit Firmware Hub for PC-BIOS application

      3. 도시바 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판

        • 1Gbit Flash(128MB)

        • TSOP(Thin Small Outline Package) 측면 타이바4개 보임.

        • flash01 002.jpg

        • 우하 밝게빛나는 부분이 capacitor

        • flash01 004.jpg

        • NAND FLASH EEPROM으로 적혀있음

        • 본딩패드 밑에도 회로

        • 면적으로 계산하면 약 1M, 한 격자안에 1K 셀이 있어야 함

        • 3차원 배선

        • inter-digital capacitor

      4. Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품

        • Flash Memory

      5. SSD에서

        • TFGDMZT-1D04, 16nm Micron MLC NAND flash, 32GB

      6. 삼성 ES75 콤팩트 카메라, SEC K9F5608U0D-J, 32MByte FLASH MEMORY
        • es75 006.jpg
        • es75 011.jpg

        • PCB 전기도금

    4. UV-EPROM
      1. AMD
        1. AM27C512
          • uveprom1 001.jpg
          • uveprom1 002.jpg
          • uveprom1 003.jpg
        2. M27C040, 4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS EPROM
          1. HP 70420A Test Set(phase noise 측정기)
            • e5501b04 037.jpg
            • e5501b04 045.jpg
      2. ST
        1. M27C256B
          1. espec 진공오븐 콘트롤러 보드에서
            • uveprom2 001.jpg
            • uveprom2 002.jpg
            • uveprom2 003.jpg
            • uveprom2 004.jpg
          2. Iwatsu DMM, VOAC 7513 메모리보드에서,
            • voac7513 06 001.jpg
            • uveprom04 001.jpg
            • uveprom04 002.jpg
            • uveprom04 003.jpg
            • uveprom04 004.jpg
            • uveprom04 005.jpg
            • uveprom04 006.jpg
            • uveprom04 007.jpg

            • 1992

            • uveprom04 009.jpg
            • uveprom04 010.jpg
        2. M27C512, (512 Kbit 64Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM) ST, Kikusui, Time Interval Jitter Meter, KJM6765(CD/DVD 지터 측정기)
          • kjm6765 001.jpg
          • uveprom03 001.jpg
      3. NEC
        1. D27C256D-20, Yokogawa 2533 Digital Power Meter, CPU 보드에서
          • 2533 024.jpg
          • 2533 024 001.jpg

          • NEC D27C256D-20

  2. RAM
    1. DRAM
      1. NANYA 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
          • slc460w 07 008.jpg
          • dram nanya 1gb 001.jpg

          • PCB 본딩 및 몰딩 방법

          • 태우고

          • 칼로 긁고

          • 치약으로 닦고

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          • 한셀이 0.4um이라면 2층구조이면 1Gbit

      2. SDRAM
        1. Transcend SSD에서, K4B1G1646I-BCK0, 64Mx16=1Gb DDR3-1600Mbps SDRAM, 1.5V, 96FBGA
          • ssd02 016.jpg

          • 96 FBGA(Fine-pitch Ball Grid Array) Fine Pitch = 0.4~1.0mm

          • ssd02 018.jpg
          • ssd02 015.jpg

          • on-line에서 해석안됨

      3. S-RAM
        1. Keithley 195A, DMM에서

          • Xicor, 256x4bit, Nonvolatile Static RAM

      4. F-RAM
        1. Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품

          • F-RAM

    2. Memory Module
      1. SIMM - single in-line memory module (여기서는 한쪽에만 IC장착된 제품으로 분류함)
      2. DIMM - dual in-line memory module
        1. 표준
          1. IBM XEON dual CPU 서버에서
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          2. 2018.12 채기병 기증품에서

            • M378B5773CH0-CH9,

            • 78 FBGA, K4B2G0846C, 256MB, DDR3 SDRAM

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          3. 2018.12 채기병 기증품에서 - 냔야, 2018년 기준 세계 4위 DRAM(삼성 46% SK하이닉스 29%, 마이크론 21% 난야 2.5%)

            • NT2GT64U8HD0BY-AD, 2GB 1Gb x 16, Nanya Technology Corporation, Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM

            • NT5TU128M8DE-AD 128Mb x 8 = 1Gb, 400Mbps DDR2 SDRAM, 60-ball BGA

          4. omniBER에서, M53210410CW0-C60, 4MB X 32 DRAM Simm Using 4MB X 4, 4KB/2KB Refresh, 5V
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        2. SO-DIMM(small outline DIMM)
          1. 2018.12 채기병 기증품에서. 엘피다(NEC,Hitachi합작 일본의 유일한 DRAM업체, 2012년 파산하여 그해 미국 마이크론으로 인수됨
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