"PCB 커패시터"의 두 판 사이의 차이

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<li>층간 C 측정 방법
 
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image:lcdtv01_01_006.jpg | CCFL에 걸리는 전압에 대한 Overvoltage protection 검출을 위한 피드백용 C(~10pF 인듯)
 
image:lcdtv01_01_006.jpg | CCFL에 걸리는 전압에 대한 Overvoltage protection 검출을 위한 피드백용 C(~10pF 인듯)
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<li> [[터치패드]]
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<li>2003년 05월 제조 [[노트북]] [[LG IBM T40]]에서
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image:ibm_t40_043.jpg | 위치별로 모두 [[PCB 커패시터]]가 같도록 경로를 길게하거나, 동박 면적을 넓히고 있다.
 
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<li>[[MEMS마이크]]에서는 앰프 출력에 두 개의 C필요.
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<li> [[MEMS마이크]]에서는 앰프 출력에 두 개의 C필요.
 
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<li>Knowles, S190에서
 
<li>Knowles, S190에서
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image:knowles01_003.jpg
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image:knowles01_011.jpg | 동박은 4층, 그러므로 유전체는 3층, 가운데 유전체는 C값을 키우기 위해 유전율이 크고 매우 얇다.
image:knowles01_011.jpg
+
image:knowles01_012.jpg | 1층: 납땜면
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image:knowles01_013.jpg | 2층: C 형성
 +
image:knowles01_014.jpg | 3층: C 형성
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image:knowles01_015.jpg | 4층: 본딩면
 
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<li>동박
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<li>2008.04 출시 Motorola [[Z8m]] 슬라이드 피처폰
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image:knowles01_012.jpg | 납땜면 1층
 
image:knowles01_013.jpg | 그 위 2층. PCB로 C를 형성했다. C가 필요하다.
 
image:knowles01_014.jpg | 그 위 3층
 
image:knowles01_015.jpg | 맨 위 부품면 4층
 
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<li>Knowles, S150에서
 
<li>Knowles, S150에서
 
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image:z8m01_024_004.jpg | 하양 유전체 수지 위아래 동박이 있어 embedded capacitor를 형성했다.
 
image:z8m01_024_004.jpg | 하양 유전체 수지 위아래 동박이 있어 embedded capacitor를 형성했다.
 
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<li> Xiaomi [[Redmi Note 4X]] 휴대폰에서
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<li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰에서
 
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<li>메인 마이크
 
<li>메인 마이크

2024년 11월 3일 (일) 22:33 기준 최신판

PCB 커패시터

  1. 전자부품
    1. RLC
      1. 커패시터
        1. PCB 커패시터 - 이 페이지
      2. 임베디드PCB
  2. 유기물 기판에서
    1. 층간 C 측정 방법
      1. 18/05/25 강대리에게 해당 PCB를 얻어서(테프론이라 했으나)
          일부 영역을 잘라내
      2. C값을 측정함
      3. 내부 전극 연결방법
      4. 18/05/26 - +1250ppm/'C 나옴. 테프론이 아님
    2. 삼성전자 TV LN32N71BD, CCFL용 파워에서
    3. 터치패드
      1. 2003년 05월 제조 노트북 LG IBM T40에서
  3. MEMS마이크에서는 앰프 출력에 두 개의 C필요.
    1. Knowles, S190에서
    2. 2008.04 출시 Motorola Z8m 슬라이드 피처폰
      1. Knowles, S150에서
    3. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서
      1. 메인 마이크
      2. 귀쪽에 위치한, 소음 제거용 MEMS마이크