"IDT 커패시터"의 두 판 사이의 차이

2024년 11월 3일 (일) 22:35 판

IDT C

전자부품
1. RLC
  1. 캐퍼시터
    1. IDT C - 이 페이지
2. 참고
  1. low ESL
  2. IDT 저항
기술정보, (plannar) InterDigitated electrode Capacitor(IDC) Conventional parallel plate capacitor(평행판 캐퍼시터)
1. Vacuum permittivity = electric constant = 8.854E-12 [F/m] = 8.854E-14 [F/cm]
2. 정리
  1. 논문
    1. 논문-1
    2. 논문-2
    3. 논문-3
    4. 논문-4
  2. 설계
    1. EEsof EDA에서 Agilent
  3. low ESL 이 안된다.
    1. 대비되는 평행판 캐퍼시터보다 ESR 및 ESL이 모두 크다.(좋지 않다.)
3. 이론
  - 계산식
  - h를 무한대로, t는 매우 얇다고 가정함.
4. 엑셀 계산식
  1. 두 계산식
    1. 전도도 센서를 바탕으로 하는 엑셀 계산식
    2. 정전용량 직접 계산하는
  2. 두 계산식 차이
    1. 어떤 SAW필터용 IDT에서
5. 실제 어떤 PCB에서
시험용 PCB에서
계측기에서
1. 3490xA에서
  1. 34901
  2. 34905
  3. 34908
RF IC에서
1. 위성방송 수신 셋탑박스 DMT-3700HD, Broadcom BCM4505 에서
2. QSC6240, 3G 통신모듈에서
3. Apple [[iPhone 5S], 튜너블C에서
  1. 폴리이미드 층을 불로 태워 제거한 후 다이
    - 주기 1.67um 구경 24.7um 39주기
  2. 중요 치수
    - 1.98x1.6mm (active area 1130x567um) 0.04pF이 최소라면, 0.04x20줄x14행=11pF
    - 추정 동작 원리
4. Apple [[iPhone 5S], 터치 콘트롤러 IC에서
  1. Broadcom, Touchscreen Controller
SAW 필터에서
1. 포켓WiFi, 2.0x1.6mm 1800MHz용 DPX에서
  1. 내부
    - Rx 아래 - 밸런스 출력
  2. Rx 칩
    - interdigitated C(IDT C)
2. StarTAC 휴대폰에서
  - SAW-핸드폰RF Fujitsu, Rx 881MHz 필터
3. 2012 삼성 갤럭시 S3 SHV-E210K
  - IDT C 패턴
4. 2020 삼성 갤럭시 A51 SM-A516N 휴대폰에서
  1. SAW 다이. IDT C 설계 방식이 매우 특이하다.
    - 아래쪽 패턴에는 전극막 한 층이 더 있다.
    - 좁은 틈새가 C를 형성시킨다. 1차: 알루미늄-IDT, 2차: 알루미늄-두꺼운막, 3차: 금 두꺼운막
  2. 이론
센서에서
1. 습도센서
  1. Sensirion SHTC1, Digital Humidity and Temperature Sensor IC, capacitive humidity sensor
    - CMOSens Technology
    - IDT C