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<li> [[LG-LH2600]] 2008년 5월 제조된 핸드폰에서
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<li>회사소개: 2009년 프랑스 캉에서 설립. 2016년 기준 직원수 130명, 2016년 10월 12일 무라다가 인수함을 발표함.
 
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<li>HSSC42x 고안정성 실리콘 커패시터: 번인 테스트를 거친다. 250nF/mm^2까지, 100pA 누설전류, 온도,DC바이어스,노화에 대해 거의 0% 변화
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<li>XTSC424x 극한 온도 실리콘 커패시터: 250nF/mm^2까지, 250'C까지
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<li>LPSC424x 로우 프로파일 실리콘 커패시터: 최대 10배 더 높은 신뢰성 제공, 두께 80um까지
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<li>HTSC424x 고온 실리콘 커패시터: 온도계수 +-1%, 200'C까지 사용가능, 250nF/mm^2까지 가능
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<li> [[이식형 심장 박동 조절기]]
 
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image:lg_lh2600_012.jpg | PAMiD 외형
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image:pacemaker01_041.jpg | 왼쪽 베어다이 BGA 두 개
image:lg_lh2600_013.jpg | PAMiD 내부
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image:pacemaker01_036_002.jpg | ipdia, CA1112
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image:pacemaker01_036_003.jpg | 마주보는 커패시터 전극에 작은 점(구멍)들이 보인다.
 
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<li>기판, PA
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<li>LC 조합
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<li>Fujitsu Media Device회사 5030 마킹된 [[PAMiD]]
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<li>2007.12 출시 [[LG-LB3300]] 슬라이드 피처폰
 
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image:lg_lh2600_018.jpg | Power Amplifier 다이
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<li>2008.06 출시 [[LG-LH2600]] 핸드폰
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<li>SAW DPX 내부
 
<li>SAW DPX 내부
 
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image:pulse_trans01_001.jpg | 양쪽 트랜시버 IC는 좌우대칭이므로 동일한 다이이다.
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image:pulse_trans01_004.jpg | 4개 트랜스포머 [[IPD]]
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image:pulse_trans01_005.jpg | 코일
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2025년 1월 2일 (목) 09:36 기준 최신판

IPD

  1. 전자부품
    1. RLC
      1. IPD - 이 페이지
    2. 참고
      1. 커패시터
      2. RF-IC
      3. 하이브리드IC
  2. IPD; Integrated passive devices
    1. 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Integrated_passive_devices
  3. 실리콘 IPD 커패시터(silicon Integrated Passive Device Capacitor)
    1. IPDiA
      1. 회사소개: 2009년 프랑스 캉에서 설립. 2016년 기준 직원수 130명, 2016년 10월 12일 무라다가 인수함을 발표함.
        1. 3D 실리콘 커패시터 기술
      2. 주요제품
        1. HSSC42x 고안정성 실리콘 커패시터: 번인 테스트를 거친다. 250nF/mm^2까지, 100pA 누설전류, 온도,DC바이어스,노화에 대해 거의 0% 변화
        2. XTSC424x 극한 온도 실리콘 커패시터: 250nF/mm^2까지, 250'C까지
        3. LPSC424x 로우 프로파일 실리콘 커패시터: 최대 10배 더 높은 신뢰성 제공, 두께 80um까지
        4. HTSC424x 고온 실리콘 커패시터: 온도계수 +-1%, 200'C까지 사용가능, 250nF/mm^2까지 가능
    2. 이식형 심장 박동 조절기
  4. LC 조합
    1. Fujitsu Media Device회사 5030 마킹된 PAMiD
      1. 2007.12 출시 LG-LB3300 슬라이드 피처폰
      2. 2008.06 출시 LG-LH2600 핸드폰
        1. SAW DPX 내부
        2. DPX - IPD
    2. 펄스 트랜스포머, Digital Isolators(monolithic air core transformer technology)에서