RF앰프

전자부품
1. RF-IC
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전시 제품
1. 삼성전기 PAM, 2019/09/30 촬영
  - 상자 4개가 있다.
bare die
1. Agilent, GaAs MMIC
  1. 다이 조립 방법 - 4p
  2. HMMC-5004, TC-525
    1. datasheet - 6p
  3. HMMC-5003, (TC-529으로 추정)
metal can
1. CLC231A1
  1. 설명
    1. - 6p
  2. HP 70420A(phase noise 측정용) Test Set 에서
    - 보드 1
    - 보드 2
    - 보드 3
  3. 외관
    - wideband op amp.
  4. 사진
  5. 확대 사진
    1. 전체(특히 비대칭 본딩이 C인듯)
    2. 4오옴 출력 저항
    3. Capacitor(?)
    4. Tr
      - Tr1
      - Tr2
    5. laser trimming
    6. stitch bonding
2. MC15906, Wideband Amplifier, High Gain 50dB@10MHz 45dB@60MHz 35dB@100MHz
3. Motorola MWA230
  1. R3753BH 네트워크분석기
    - MWA230 DC-600MHz, 10dB, 18.5dBm@P1dB Amplifier
세라믹 DIP
1. omniBER에서
  1. Lucent 1605DXB GaAs 28dB 8k~3GHz 60dB dynamic range
2. Agilent 1GG74235 RF앰프
  1. 8960, Measurement Downconverter(MDC)에서
    - SLC 두 개 사용
    - Agilent TC-749
3. Agilent 1GC1-4222 = 1GC1-4023, DC-4GHz, 20dB gain, 14dBm
  1. 1GC1-4023 규격서 - 11p
  2. 8960, RF 프론트엔드 제어보드에서
  3. 8960, Measurement Downconverter(MDC)에서
    - HP TC211 4/99
트랜스퍼 몰딩
1. 앰프
  1. S&A회사의 208A 측정기용을 위한 치구에서, THS4303, amp. (10V/V) 1.8GHz
  2. omniBER에서, shield 시킨 앰프 및 갈바닉 부식
    - CLC449 1.1GHz Ultra Wideband Monolithic Op Amp
  3. 인포콤 RF 하이패스, 5.8GHz RF 모듈에서
    1. 인두기로 온도를 높인 후 깨뜨리면
    2. first stage amp.
      - 트랜지스터. 만약 npn이라면 웨이퍼 전체는 n타입으로 collector. 칩 위, 아래 패턴은 다이오드
      - 다이싱 때, 90도 돌려 두번째 채널 자를 때 칩이 테이프에서 뜨면서 기울어져 발생한 무늬
    3. second stage amp.
      - 2-stage 앰프에서 뒤쪽에 있는, 더 큰 출력이 필요한 Tr
      - 다이싱 때 1ch 컷
      - 다이싱 때 90도 돌려 자른 ch2 컷
2. 믹서
  1. omniBER에서, M820, HP IAM-82028 Silicon Bipolar MMIC 5GHz Active Double Balanced Mixer/IF Amp