메모리

memory IC

1. ROM
   1. ROM
   2. EEPROM (는 byte단위로 writing, flash 메모리는 블록단위로 writing 구조간단)
      1. GPIB I/O장치 ZS-6120B에서, 27C256
         • 
         • 
      2. 온도기록계에서
         1. DELTATRAK, In Transit FlashLink, Data Logger, 20042
            • 
            • 
         2. DELTATRAK, FlashLink CT 모델 20763
            • 
            • 
         3. EL-USB-1
            • 
            • 
         4. D99
            • 
            • 
      3. Winbond, W27E512
         • 
      4. HP 35660A dynamic signal analyzer, ROM 보드에서
         • 
         • 
         • 
   3. Flash Memory
      1. UTHE 10H Ultrasonic Generator
         • 

           AT29C256;Flash Memory, 32KB // P80C32SBAA 80C51 8bit microcontroller family

      2. PC, 노트북에서
         1. Fujitsu Notebook E8410
            • 

              SPI Flash 메모리

         2. LG IBM ThinkPad T40, Type 2373
            • 

              SST 49LF008A - A Microchip Technology Company, 8Mbit Firmware Hub for PC-BIOS application

      3. 도시바 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
         • 

           1Gbit Flash(128MB)

         • 

           TSOP(Thin Small Outline Package) 측면 타이바4개 보임.

         • 
         • 

           우하 밝게빛나는 부분이 capacitor

         • 
         • 

           NAND FLASH EEPROM으로 적혀있음

         • 

           본딩패드 밑에도 회로

         • 

           면적으로 계산하면 약 1M, 한 격자안에 1K 셀이 있어야 함

         • 

           3차원 배선

         • 

           inter-digital capacitor

      4. Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품
         • 

           Flash Memory

      5. SSD에서
         • 

           TFGDMZT-1D04, 16nm Micron MLC NAND flash, 32GB

      6. 삼성 ES75 콤팩트 카메라, SEC K9F5608U0D-J, 32MByte FLASH MEMORY
         • 
         • 
         • 

           PCB 전기도금

   4. UV-EPROM
      1. AMD
         1. AM27C512
            • 
            • 
            • 
         2. M27C040, 4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS EPROM
            1. HP 70420A Test Set(phase noise 측정기)
               • 
               • 
      2. ST
         1. M27C256B
            1. espec 진공오븐 콘트롤러 보드에서
               • 
               • 
               • 
               • 
            2. Iwatsu DMM, VOAC 7513 메모리보드에서,
               • 
               • 
               • 
               • 
               • 
               • 
               • 
               • 
               • 

                 1992

               • 
               • 
         2. M27C512, (512 Kbit 64Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM) ST, Kikusui, Time Interval Jitter Meter, KJM6765(CD/DVD 지터 측정기)
            • 
            • 
      3. NEC
         1. D27C256D-20, Yokogawa 2533 Digital Power Meter, CPU 보드에서
            • 
            • 
            • 

              NEC D27C256D-20

2. RAM
   1. DRAM
      1. NANYA 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
         1. • 
            • 
            • 

              PCB 본딩 및 몰딩 방법

            • 

              태우고

            • 

              칼로 긁고

            • 

              치약으로 닦고

         2. • 
            • 
            • 
            • 
            • 
            • 
            • 
            • 

              한셀이 0.4um이라면 2층구조이면 1Gbit

      2. SDRAM
         1. Transcend SSD에서, K4B1G1646I-BCK0, 64Mx16=1Gb DDR3-1600Mbps SDRAM, 1.5V, 96FBGA
            • 
            • 

              96 FBGA(Fine-pitch Ball Grid Array) Fine Pitch = 0.4~1.0mm

            • 
            • 
            • 

              on-line에서 해석안됨

      3. S-RAM
         1. Keithley 195A, DMM에서
            • 

              Xicor, 256x4bit, Nonvolatile Static RAM

      4. F-RAM
         1. Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품
            • 

              F-RAM

   2. Memory Module
      1. SIMM - single in-line memory module (여기서는 한쪽에만 IC장착된 제품으로 분류함)
      2. DIMM - dual in-line memory module
         1. 표준
            1. IBM XEON dual CPU 서버에서
               • 
               • 
            2. 2018.12 채기병 기증품에서
               • 

                 M378B5773CH0-CH9,

               • 

                 78 FBGA, K4B2G0846C, 256MB, DDR3 SDRAM

               • 
            3. 2018.12 채기병 기증품에서 - 냔야, 2018년 기준 세계 4위 DRAM(삼성 46% SK하이닉스 29%, 마이크론 21% 난야 2.5%)
               • 

                 NT2GT64U8HD0BY-AD, 2GB 1Gb x 16, Nanya Technology Corporation, Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM

               • 

                 NT5TU128M8DE-AD 128Mb x 8 = 1Gb, 400Mbps DDR2 SDRAM, 60-ball BGA

            4. omniBER에서, M53210410CW0-C60, 4MB X 32 DRAM Simm Using 4MB X 4, 4KB/2KB Refresh, 5V
               • 
         2. SO-DIMM(small outline DIMM)
            1. 2018.12 채기병 기증품에서. 엘피다(NEC,Hitachi합작 일본의 유일한 DRAM업체, 2012년 파산하여 그해 미국 마이크론으로 인수됨
               • 
               • 
               • 
               •