메모리

Togotech (토론 | 기여)님의 2019년 4월 28일 (일) 17:40 판

memory IC

  1. ROM
    1. ROM
    2. EEPROM (는 byte단위로 writing, flash 메모리는 블록단위로 writing 구조간단)
      1. GPIB I/O장치 ZS-6120B에서, 27C256
      2. 온도기록계에서
        1. DELTATRAK, In Transit FlashLink, Data Logger, 20042
        2. DELTATRAK, FlashLink CT 모델 20763
        3. EL-USB-1
        4. D99
      3. Winbond, W27E512
      4. HP 35660A dynamic signal analyzer, ROM 보드에서
    3. Flash Memory
      1. UTHE 10H Ultrasonic Generator
      2. PC, 노트북에서
        1. Fujitsu Notebook E8410
        2. LG IBM ThinkPad T40, Type 2373
      3. 도시바 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
      4. SSD에서
      5. 삼성 ES75 콤팩트 카메라, SEC K9F5608U0D-J, 32MByte FLASH MEMORY
    4. UV-EPROM
      1. AMD
        1. AM27C512
        2. M27C040, 4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS EPROM
          1. HP 70420A Test Set(phase noise 측정기)
      2. ST
        1. M27C256B
          1. espec 진공오븐 콘트롤러 보드에서
          2. Iwatsu DMM, VOAC 7513 메모리보드에서,
        2. NEC
          1. D27C256D-20, Yokogawa 2533 Digital Power Meter, CPU 보드에서
    5. RAM
      1. DRAM
        1. NANYA 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
      2. SDRAM
        1. Transcend SSD에서, K4B1G1646I-BCK0, 64Mx16=1Gb DDR3-1600Mbps SDRAM, 1.5V, 96FBGA
      3. F-RAM
        1. Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품
    6. Memory Module
      1. SIMM - single in-line memory module (여기서는 한쪽에만 IC장착된 제품으로 분류함)
      2. DIMM - dual in-line memory module
        1. 표준
          1. IBM XEON dual CPU 서버에서
          2. 2018.12 채기병 기증품에서
          3. omniBER에서, M53210410CW0-C60, 4MB X 32 DRAM Simm Using 4MB X 4, 4KB/2KB Refresh, 5V
        2. SO-DIMM(small outline DIMM)
          1. 2018.12 채기병 기증품에서. 엘피다(NEC,Hitachi합작 일본의 유일한 DRAM업체, 2012년 파산하여 그해 미국 마이크론으로 인수됨