Tr

링크
1. 전자부품
  1. 디스크리트
    1. Tr - 이 페이지
    2. FET
    3. SCR
    4. Triac
    5. IGBT
    6. 마이크로-X
트랜지스터
1. Complementary Transistors
  1. NPN, PNP 두 차이점
    1. 전자 이동도가 전공 이동도에 비해 빠르다. NPN이 더 많은 전류를 흐르게 할 수 있고, 스위칭 속도가 빠르다.
  2. STA341M - 3p
    1. 외형 및 내부 구조
      - STA341M Complementary Transistors 디스크리트가 3개 있음
      - 칩 하나는 PNP, 하나는 NPN
    2. 칩
      - 본딩 와이어 굵기가 다른 것처럼 보인다.
      - 실제 그렇지 않다.
      - 왼쪽은 EMC속에서 열을 받아, 높은 압력 때문에 금이 퍼진 듯
2. 디지털 트랜지스터 - 내부 저항 2개 들어간 트랜지시터
  1. 기술문서
3. 의미있는 사진들
  1. 홍콩 마킹
    - HP 3455A DMM에서
    - 4446xA에서
  2. 삼성
    - 삼성 Tr(?)
  3. 마킹이 잘보이게 흰페이트칠 및 EBC 전극 표시
    - Guildline 9540 백금온도계에서
  4. 페라이트슬리브가 꼽히고, EBC 전극 표시
  5. 66311B, Mobile Communications DC Sources, 15V 3A
    - MJL21194, 16A 250V 200W, NPN Si Power Tr. MJL21193(pnp)
  6. Meanwell MPS-6003LK-1(60V,3A) 파워서플라이에서
    - 2SC5200 방열
  7. 13003 High Voltage Switch Mode Applications,
    1. 우리조명 20EX-L 형광등 전자식 안정기에서
    2. Philips Tonado 24W, Compact fluorescent lamp(CFL) 에서
      1. 제품 외관
        
        13003, high voltage fast-switching NPN power transistor, 700V 1.5A
      2. Tr 외관
        
        13003 Tr 하나에서
      3. Tr 분해
        
        볼본딩. EMC 몰딩 관찰하니, 구리 볼본딩으로 추정
  8. PC SMPS에서
    - 2SC4138
  9. DC voltage standard, model 103, Kisusui에서
    - 삼성전자 KSC1520
  10. 니콘 넥시브, 헤드 드라이브에서
    - 2SD1267
  11. 가습기용 진동회로에서
    1. Tr 2SC3834
      1. 규격서
        
        ISC - 3p
        Sanken - 1p
      2. 구입
        
        isc(INCHANGE Semiconductor) 회사제품 사용중
        Vce=120V, Ic=7A, Pc=50W, 30MHz
        16/02/15 5,000개 구입 발주서 - 1p
        
        C&Tech(씨앤테크, Component&Technology) 서울시 구로구 경인로53길 15 중앙유통상가 바동4313호. 천승우 070-7619-5943 010-4258-0943 swchun0943@hanmail.net
        
        16/03/23 4K 교환 물류비 113,294 입금함.
      3. 측정
        
        16/03/21
        소스미터로 증폭률 측정
        
        측정 방법
        
        1348로트 2개
        
        1534로트 2개
        
        1538로트 3개
        
        1548로트 1개
        
        1608로트 3개
        
        1612로트 3개
        
        로트에 따른 증폭률 차이 정리
    2. 2SC3835 - 70W, 3834가 50W,
      1. Sanken - 1p
4. 방열필요없는
  1. Silk Hat 타입
    1. DC voltage standard, model 103, Kisusui에서
      - Silk Hat 타입
  2. 기타 모양
    1. CRT 모니터, 미쓰비시, EUM-1491A
      - TR
      - TR
    2. 1979년산 HP 5328B counter에서
      - 2N3906 Tr에 적힌 EBC
    3. Yokogawa 2807 digital multimeter, 76년
      - Tr
5. 리드 지지 방법
  1. 니콘 넥시브, XYZ 모터 드라이브에서
금속 캔
1. 방열 방법
2. TO-3
  1. DC voltage standard, model 103, Kisusui에서
    - TO-3
  2. KEPCO, Bipolar Operational Power Supplies에서
  3. Yokogawa 2807 digital multimeter, 76년
    - 2SD297, Si NPN Tr, 80V 3A 25W
  4. 올림푸스 BH2 현미경 밝기 조정용
    - 2SC2507
  5. 6651A 파워서플라이에서 8V 50A 400W
    - MJ15003: Bipolar Transistor, NPN, 140V, 20A
  6. 협성 HRP-303S 파워
3. 헤더 두께가 두꺼운
  1. HP part no. 1853-0357, 측면 마킹 3-218, 8252 (H8112A에서 Q283) PNP Tr.
    1. HP 8112A, 50 MHz pulse generator에서
    2. 방열판 및 헤더가 두꺼워 방열에 유리한
    3. 다이본딩, 칩 다이싱, 칩 표면
    4. 다이 본딩 방법
      1. 이 방법인 듯. https://en.wikipedia.org/wiki/Eutectic_bonding
        Au-Si, 97.15/2.85 wt%, eutectic temp. 370'C
      2. 사진
4. 7060 DMM에서
  - SM BCY70
5. 8753D-K36
  - 2A2222A NPN, small signal switching 50V 0.8A
6. 라이카 현미경 수은등 전원장치에서
  1. 외관, Motorola 2N2219A, dia. 8.9mm, npn
  2. 내부
  3. 다이
  4. 와이어본딩
7. Takeda Riken(Advantest) TR-6150 - DC Voltage/Current Source
  - 2SC505 300V Silicon NPN Transistor, 2N5416 PNP Silicon High Voltage Transistor
  - 2SD201
8. HP 70001A mainframe 에서, -65~+200'C 사용온도범위
  1. 외관, 2N2907A pnp
  2. 칩
마이크로-X
Pair
1. 2N3810A, dual silicon PNP transistors, monolithic NPN transistor pairs, 6-lead TO-5 metal can package
  - - UTHE 10H Ultrasonic Generator에서
2. Motorola 3-075
  1. 외관 및 방열세라믹기판
    - 6-pin
  2. 왼쪽 칩
  3. 오른쪽 칩