SHV-E210K
삼성 갤럭시 S3, SHV-E210K
- 링크
- 기술자료
- 외부 링크
- 분해제품 모델: SHV-E210K, 제조연월일 2013년 6월 18일
- 사용주파수
- LTE Band3 1800MHz
- 3G UMTS(WCDMA) B2:1900, B1:2100
- 2G GSM GSM900 DCS1800 PCS1900
- 뒷면 메인카메라: 800만화소, 전면 보조카메라: 190만화소
- 사용주파수
- 외관
- 뜯으면
- 뒤 뚜껑을 열면
- NFC 안테나가 붙어 있는 배터리
- 후면 메인 카메라
- 적외선 근접센서
- 후면 본체
- 리시버
-
-
-
- WiFi 모듈
- 외관, KM3305012 VM
- 액체 에폭시 몰딩품을 벗기면
- 윗면
- 아랫면
- 외관, KM3305012 VM
- FEMiD
- 화살표가 가리키는 부품
- 액체 에폭시 몰딩품을 벗기면
- 칩 10개를 뜯어내기 위해
- 패키지 및 칩
- DPX 1 - Rx칩 없음.
- DPX 2
- DPX 3
- DPX 4
- DPX 5
- 화살표가 가리키는 부품
- 쏘필터
- 1~9번까지 9개 쏘필터 위치한 곳
- 1,2, GPS 모듈에서
- 전체, 1.4x1.1mm
- #1
- #2
- 전체, 1.4x1.1mm
- 3,4, 2G GSM GSM900 DCS1800 PCS1900, 1.5x1.1mm
- 외관
- GSM900, 942.5MHz
- DCS1800 PCS1900
- 외관
- 5, Band1(2100)?, 1.4x1.1mm
- 6,7 1.5x1.1mm
- 외관
- 왼쪽 쏘필터
- 오른쪽 쏘필터
- 외관
- 8, Band2(1900) ? 1.4x1.1mm
- 9, Epcos 7968, 2.5x2.0x0.95mm, Band3 1747.5/1842.5MHz, Rx는 balance-out
- 외관
- LTCC 패키지
- 다이 패턴
- 정전기 파괴 영역1
- 정전기 파괴 영역2 - 동일 전위를 갖는 반사기임에도 정전파괴가 관찰된다.
- 정전기 파괴 영역3
- 다이싱 방법, V-shaped dicing blade로 bevel half cut 한 후 다음에 full cut한다. (참고: step cut은 두꺼운 블레이드로 1차)
- 외관
- 1~9번까지 9개 쏘필터 위치한 곳
- RF용L
- 대기압 센서(압력 센서)
- 외관
- 윗 뚜껑을 벗기면
- 압력센서
- 신호처리 IC
- 두 IC 합성사진
- chip-on-chip 와이어본딩
- 질산 처리 후, 신호처리 IC의 와이어 본딩 패드
- 멤브레인에 크랙을 가한 후 - 초음파세척을 하니
- 멤브레인을 제거한 후 - 초음파세척을 계속하니
- 다이싱 단면
- 외관
- 뒤 뚜껑을 열면