R&K A0825-4343-R
R&K A0825-4343-R
- 링크
- 전자부품
- 앰프
- R&K A0825-4343-R RF Power Amplifier - 이 페이지
- 참고
- RF앰프 모듈
- 앰프
- 전자부품
- 정보
- 제조회사 R&N 알엔케이 https://rk-microwave.com/
- 데이터시트 - 1p
- 800~2500MHz, 20W @P1dB, gain 44dB, 3dBm max input, class A, AC100 400VA
- RF in: SMA(f), RF out: N(f)
- (W)480mm(D)499.5mm(H)149mm, 20.0kg
- 내부 회로
- 2022/02/02
- 2022/02/02
- 구입이력
- 2022/01/13
- 판매자가 제공한 사진
- 2022/01/28 도착
- 외관
- 내부
- AC전원용 노이즈필터 소켓
- SMPS 3개, 100Vac용이 있다.
- AC팬 4개, 모두 100Vac용이다.
- 입력단
- 입력, 전력 분배기
- 전력 검출기 및 프리 전력 증폭기
- RF 전력 검출기 R&K DE040
- 입력, 프리 전력 증폭기
- 입력, 전력 분배기
- 파워 앰프, class A 앰프이다. 항상 바이어스 전류가 흐르고, 가장 좋은 선형 출력을 갖는다. 효율이 가장 낮다. 입력이 0이어도 소모전력은 그대로이다.
- 내부
- 분배기, 결합기에서 - 내부 쉽게 열 수 없어 관찰하지 못함.
- 4채널 앰프, FET Tr 출력이 5W이므로 4개를 병렬로 하여 20W를 만든다.
- 어느 한 채널에서
- Eudyna Device Inc. Sumitomo Electric Industries 계열사로 2009년에 합병됨.
- Gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) devices를
- 2004년도에 최초로 depletion-mode radio frequency (RF) transistors를 생산함.
- silicon carbide (SiC) substrates 에 GaN을 사용함.
- 이후 2005년도에는 Nitronex Corporation 회사가 실리콘 웨이퍼에 GaN을 키워 depletion-mode RF HEMT device를 최초로 생산함.
- 내부
- 출력단