포토마스크
포토마스크
- 전자부품
- 광원 파장
- g-line; 수은등에서 방출되는 435nm, 1960년대 사용
- i-line; 수은등에서 방출되는 365nm
- KrF; KrF 엑시머레이저에서 나오는 248nm
- ArF; ArF 레이저에서 나오는 deep UV라고 부르는 193nm(6.4eV)
- EUV; extreme ultraviolet 124nm~10nm (에너지는 10eV~124eV)
- 반도체 노광기에서는 13.5nm(~92eV)를 사용한다.
- 투과마스크가 아닌 반사 포토마스크(Mo과 Si 레이어들을 약 40회 교대로 적층하여 브래그 회절을 이용)를 사용한다.
- 광원은 CO2레이저+Sn플라즈마
- 기술
- 다이설계 및 포토마스크 레이아웃 작업
- 2024/03/23 가난한 사람들을 위한 제안서 ,
- photomask 포토마스크
- 위키페디아 Photomask https://en.wikipedia.org/wiki/Photomask
- 포토마스크 블랭크(photomask blank): 블랭크 마스크라 함은 아래와 같이 구성된 것(석영+차광층+PR층)을 말한다.
- 기술
- 재질은 synthetic quartz 이다.
- 이 석영 기판 위에 전통적으로 Chromium(Cr) 차광층(light-shielding layer)을 입힌다. 또는 Molybdenum-Silicon Binary (OMOG: Opaque MoSi on Glass) 차광재료를 입힌다.
- 차광층 위에 amplified photo resist를 발라 출하한다.
- 국내 제조업체
- 에스앤에스텍 http://www.snstech.co.kr/
- 2001년 설립. 대구시 달서구 호산동로 42
- 2023년 매출 1503억, 영업이익 250억
- SK엔펄스. SKC의 100% 자회사
- 2018년 사업시작
- ArF용 PSM: 2023년부터 SK하이닉스에 공급
- 에스앤에스텍 http://www.snstech.co.kr/
- 기술
- 전자빔 노광 Electron-beam lithography, e-beam lithography, EBL
- 위키페디아 Electron-beam lithography https://en.wikipedia.org/wiki/Electron-beam_lithography
- 10nm 해상도가 나온다. 2022년 최첨단 다중 빔 라이터(state-of-the-art electron multi-beam writer)는 20nm 해상도는 보인다.
- 정전기(electrostatic)에 의해서는 최대 1mm 영역만 전자빔이 편향되므로, 더 큰 패턴은 스테이지가 기계적으로 이동되어야 한다. 만약 전자기력(electromagnetic)으로 편향시키면 더 큰 면적을 그릴 수 있지만 왜곡이 크게 발생된다.
- 쓰기 속도는 웨이퍼 노광에 사용되는 광학적 노광장비에 비해 약 1천만배 느리다.
- 포토레지스트(PMMA 재료)에서 전자빔은 다양한 이유와 경로로 산란을 일으킨다.
- 포토레지스트 깊이(=두께) 변화에 따른 standing wave 효과는 일어나지 않는듯(?????)
- 자료
- Electron beam lithography for Nanofabrication - 127p
- 위키페디아 Electron-beam lithography https://en.wikipedia.org/wiki/Electron-beam_lithography
- 다이설계 및 포토마스크 레이아웃 작업
- 대표 사진
- (패턴을 없앤) 투명판(포토마스크를 재생하여 만든 투명한 쿼츠 기판)으로 사용
- 거울로 응용
- 설계시 고려사항
- IC 표식으로 다이 위치표시
- 폐곡선 정의가 안되는 CAD를 사용하는 듯
- SAW-핸드폰DPX
이 회사 포토마스크 CAD 프로그램은 구멍 뚫린 폰트 적용은 허용 안되는 듯.
- SAW-핸드폰DPX
- CAD에서는 곡선을 정의할 수 없다.
- 얼라인을 위한 인식 마크를 넣어야 한다.
- 핸드폰용 이미지센서
- 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
- 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
- 핸드폰용 이미지센서