1년, 31일, 23시간, 9분 - Togotech

"다이싱"의 두 판 사이의 차이

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image:saw_if_tv_sipd03_002.jpg | 가장자리 칩핑이 많다.
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<li>벌크파동을 제거하기 위한, 뒷면 grooving 및 Ag 에폭시 다이 접착제
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2019년 9월 27일 (금) 09:28 판

다이싱 dicing

  1. 링크
    1. 전자부품
      1. 가공
  2. 다이싱 모양
    1. 삼각형
    2. 평행사변형을 자른 삼각형
      1. MSC가 있는, high out-of-band rejection in surface acoustic wave (SAW) filters,
        • saw if etc01 001.jpg
    3. 매우 긴 직각사각형 - 그냥 직사각형, 정사각형은 가장 널리 사용되므로 첨부 생략
      1. CIS - 스캐너용 contact image sensor

        • X축 IC 18.2x1.35x0.64mm, Y축 IC 11.2x1.35x0.64mm

      2. DDI - 능동LCD용 Display Driver

        • 이런 센서(합성 때 약간 문제로 줄어듬) 15개를 사용한다.

    4. 평행사변형
      1. TV용 IF SAW필터

        • 112LT Sanyo 마킹

    5. 육각형
      1. LED칩
        • led module01 006.jpg

        • 한변 길이가 1.2mm

  3. 금속 다이싱
    1. 얇은 구리판(PCB용 도금 동박 등)
      1. 도금 CSP 쏘필터
        • csp plating01 011.jpg
        • csp plating01 012.jpg

        • 다이싱 2nd 채널에서, 구리는 burr가 쉽게 발생됨.

    2. 리드프레임
  4. 스크라이빙 후 부러뜨림
    1. 쏘필터, 매우 긴 칩 - 러시아?
      • saw if etc04 001.jpg

      • 패키지 길이 21.4mm

      • 스크라이빙 후 부러뜨렸다.

  5. 반도체 다이싱
    1. 실리콘 웨이퍼
      1. 레이저
        1. CIS #2 - 레이저

          • 센서 경계선

          • 센서 칩 두께 250um, 레이저 다이싱

        2. MEMS 마이크 - 1
          • knowles01 003.jpg
          • knowles01 004.jpg

          • 레이저 다이싱 5회

        3. MEMS 마이크 - 2, 인기 레이저 다이싱 장비를 조사하니, 실리콘에 흡수율이 좋은 IR 파장에 전력은 10W.

          • 측면 다이싱 관찰

          • 레이저 4회

          • mems mic01 011.jpg
          • mems mic01 012.jpg

          • 천공 간격 약 3um, Q-rate 100kHz 레이저를 사용했다면 300mm/sec 전진 속도. 4회 반복하므로 약 70mm/sec 절삭속도가 나올 것으로 예상.

        4. 인포콤 RF하이패스, 스위치

          • 중심 위: common, 좌우가 sig1,2, 아래 두 개가 각 sig1,2에 대응하는 gnd, 오른쪽 위가 ctrl.

          • 레이저 다이싱

      2. 회전 블레이드
        1. CIS #1 - 회전 다이아몬드 휠로 절단
          • cis03 018.jpg

          • 칩 두께 0.34mm, 두 칩 간격 20um

          • 블레이드 다이싱, 수평간격이 0.1mm이므로 30krpm이면 50mm/sec 절단속도

        2. 만도 RF하이패스, 로스윈 PLL 모듈에 있는 TCXO용 IC
          • hipass rf01 087 007.jpg

          • 위에서 두께의 45% 천천히 자르고, 20% 깊숙히 빠르게 자르고, 뒤집어 나머지 자른듯(?)

          • hipass rf01 087 009.jpg
        3. 인포콤 RF하이패스, PAM용 TR 두 개
          1. first stage amp.
            • hipass rf02 043.jpg

            • 다이싱 때, 90도 돌려 두번째 채널 자를 때 칩이 테이프에서 뜨면서 기울어져 발생한 무늬

          2. second stage amp.

            • 2-stage 앰프에서 뒤쪽에 있는, 더 큰 출력이 필요한 Tr

            • 다이싱 때 1ch 컷

            • 다이싱 때 90도 돌려 자른 ch2 컷

    2. 쏘필터용 웨이퍼
      1. 무라타, 1.4x1.1mm
        • saw1411 01 001.jpg

        • 줄무늬 수평 간격이 절단 속도에 비례한다.

        • 두께 5% 매우 빠르게, 두께 60% 천전히, 그리고 뒤집어서 다시. 총 4번 다이싱

        • 4번 다이싱 때문에, 뒷면 칩핑이 매우 적음

  6. 절삭속도 추정
    1. K3953D에서, 30krpm이라면, 60um 수평간격이면 절삭속도는 30mm/sec.

      • 표면에서 각도는 블레이드 직경을 알 수 있다.

  7. 뒷면 그루빙(도랑 파기)
    1. K3953D에서 - 다이싱(칩두께 500um) 및 뒷면 그루빙(간격 330um, 깊이 110um, 폭 55um)

      • 가장자리 칩핑이 많다.

      • 두번 다이싱

      • saw if tv sipd03 005.jpg

      • 항상 원형으로 깍인다.

    2. 벌크파동을 제거하기 위한, 뒷면 grooving 및 Ag 에폭시 다이 접착제
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