"자이로"의 두 판 사이의 차이

2020년 7월 29일 (수) 13:39 기준 최신판

자이로센서

전자부품
1. 충격
2. 가속도
3. 자이로 - 이 페이지
자이로
1. 기술자료
  1. - 20p
    1. ENC-series, ENC-03R, ENC-03W
  2. - 5p
  3. 2012/10 아주대 양상식교수가 100MHz에서 0.4Hz/1deg 감도를 갖는 SAW 자이로스코프.
2. Xiaomi Redmi Note 4X 휴대폰에서
  1. 가속도센서, 자이로센서 (각속도센서), BOSCH, BMI160
    1. - 21p
    2. 패키지 분해
      - 높은 IC를 찾아 표면을 긁어서 찾음.
      - 유기물 PCB에 다이본딩
    3. 다이 분해
    4. readout IC ID
      - BOSCH BAI160C C2014
    5. 3축 Gyroscope MEMS 자이로센서
      - 직각사각형 movable plate를 static plate가 마주보고(면적을 넓게) 있다.
    6. 3축 Accelerometer MEMS 가속도센서
      - 주기 6.0um
      - 주기 6.0um
3. 핸드폰 카메라에서
  1. Galaxy S7 camera OIS용, STMicroelectronics K2G2IS gyroscope
    1. 카메라 모듈
    2. 콘트롤러 IC 부분 뜯으면, 가운데 SNWT 칩은 STMicroelectronics K2G2IS 자이로
    3. 아랫면
    4. 위면
    5. 와이어본딩 및 측면
    6. 캡 벗기면
    7. 캡
    8. 센서 구조체
4. Sony, DualShock 3
  1. 세트 내부
  2. Murata, gyro sensor, ENC-03RC, 8.0x4.0x2.0mm, 1-axis
    1. 외관
      - 주기판 가운데
      - 세워서 설치됨.
      - 회로도
      - 마킹 C848 X712 4
      - PCB 앞뒤면
    2. 캡 벗기면 - Ceramic based Bimorph element
      - 4개의 신호선 인출
      - 중앙에 신호처리 IC 위치함
      - 좌우 전극을 인출함.
    3. 압전체 뜯어 뒤집으면
      - 위 아래 전극을 인출함.
    4. 앞전체 측면 - 중심에 전극이 있는 Bimorph 타입,
      - 두께: 0.40mm
      - 전극두께: 4.7um
    5. 앞전체 앞면, 홈 확대
    6. 신호처리 IC
      - PCB에 초음파 플립본딩

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 <li> [[충격]]
 <li> [[가속도]]
-<li> [[자이로]]
+<li> [[자이로]] - 이 페이지
 </ol>
 <li>자이로
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 <li>2012/10 아주대 양상식교수가 100MHz에서 0.4Hz/1deg 감도를 갖는 SAW 자이로스코프.
 </ol>
-<li>사진
+<li> Xiaomi [[Redmi Note 4X]] 휴대폰에서
+<ol>
+<li>[[가속도]]센서, [[자이로]]센서 (각속도센서), BOSCH, BMI160
+<ol>
+<li> - 21p
+<li>패키지 분해
+<gallery>
+image:redmi_note4x_200.jpg | 높은 IC를 찾아 표면을 긁어서 찾음.
+image:redmi_note4x_201.jpg | 유기물 PCB에 다이본딩
+</gallery>
+<li>다이 분해
+<gallery>
+image:redmi_note4x_202.jpg
+</gallery>
+<li>readout IC ID
+<gallery>
+image:redmi_note4x_203.jpg | BOSCH BAI160C C2014
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+<li>3축 Gyroscope MEMS [[자이로]]센서
+<gallery>
+image:redmi_note4x_204.jpg
+image:redmi_note4x_205.jpg
+image:redmi_note4x_206.jpg
+image:redmi_note4x_207.jpg
+image:redmi_note4x_208.jpg | 직각사각형 movable plate를 static plate가 마주보고(면적을 넓게) 있다.
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+<li>3축 Accelerometer MEMS [[가속도]]센서
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+image:redmi_note4x_209.jpg
+image:redmi_note4x_210.jpg
+image:redmi_note4x_211.jpg
+image:redmi_note4x_212.jpg
+image:redmi_note4x_213.jpg | 주기 6.0um
+image:redmi_note4x_214.jpg
+image:redmi_note4x_215.jpg | 주기 6.0um
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+</ol>
+</ol>
+<li>핸드폰 카메라에서
 <ol>
 <li>Galaxy S7 camera OIS용, STMicroelectronics K2G2IS gyroscope
+<ol>
+<li>카메라 모듈
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+image:gs7_1_001.jpg
+</gallery>
+<li>콘트롤러 IC 부분 뜯으면, 가운데 SNWT 칩은 STMicroelectronics K2G2IS 자이로
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+image:gs7_1_023.jpg
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+<li>아랫면
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+<li>위면
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+<li>와이어본딩 및 측면
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+<li>캡 벗기면
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+<li>캡
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+image:gyro1_015.jpg
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+<li>센서 구조체
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+</ol>
+<li>Sony, DualShock 3
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+<li>세트 내부
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+image:dualshock3_010.jpg
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+<li>Murata, gyro sensor, ENC-03RC, 8.0x4.0x2.0mm, 1-axis
+<ol>
+<li>외관
+<gallery>
+image:dualshock3_011.jpg | 주기판 가운데
+image:dualshock3_038.jpg | 세워서 설치됨.
+image:dualshock3_039.png | 회로도
+image:dualshock3_040.jpg | 마킹 C848 X712 4
+image:dualshock3_041.jpg | PCB 앞뒤면
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+<li>캡 벗기면 - Ceramic based Bimorph element
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+image:dualshock3_042.jpg | 4개의 신호선 인출
+image:dualshock3_043.jpg | 중앙에 신호처리 IC 위치함
+image:dualshock3_044.jpg
+image:dualshock3_045.jpg
+image:dualshock3_046.jpg
+image:dualshock3_047.jpg
+image:dualshock3_048.jpg
+image:dualshock3_051.jpg | 좌우 전극을 인출함.
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+<li>압전체 뜯어 뒤집으면
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+image:dualshock3_049.jpg
+image:dualshock3_050.jpg | 위 아래 전극을 인출함.
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+<li>앞전체 측면 - 중심에 전극이 있는 Bimorph 타입,
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+image:dualshock3_052.jpg | 두께: 0.40mm
+image:dualshock3_053.jpg
+image:dualshock3_054.jpg | 전극두께: 4.7um
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+<li>앞전체 앞면, 홈 확대
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+image:dualshock3_055.jpg
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+<li>신호처리 IC
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+image:dualshock3_056.jpg
+image:dualshock3_057.jpg
+image:dualshock3_058.jpg | PCB에 초음파 플립본딩
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