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image:fbar_c7150_015.jpg | air gap 에칭을 위한 구멍 | image:fbar_c7150_015.jpg | air gap 에칭을 위한 구멍 | ||
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+ | </ol> | ||
+ | <li>2.0x1.6mm 에서 | ||
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+ | <li>2015 [[LG-F570S]] LG Band Play 에서 | ||
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+ | <li>#3, 듀플렉서(F-BAR + SAW), 마킹 06g1 | ||
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+ | <li>외관 | ||
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+ | image:lg_f570s_038.jpg | 2.0x1.6mm, Taiyo-Yuden | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>내부 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_f570s_038_003.jpg | 금속 뚜껑을 벗기고 | ||
+ | image:lg_f570s_038_004.jpg | 측면 솔더 벽을 떼어내면 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li> [[FBAR]] 다이 | ||
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+ | image:lg_f570s_038_006.jpg | T912-05 | ||
+ | image:lg_f570s_038_007.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | </ol> | ||
</ol> | </ol> | ||
<li>1.8x1.4mm | <li>1.8x1.4mm | ||
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image:redmi_note4x_189_003.jpg | image:redmi_note4x_189_003.jpg | ||
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− | <li> | + | <li>[[과불소화 액체]]는 Solvay Solexis회사의 GALDEN D03 제품(비점 190도, 유전율 2.1, 유전손실 0.0002)을 부었다. |
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image:redmi_note4x_189_004.jpg | Fluorinert 액체를 부어도 파형에는 큰 변화가 없다. | image:redmi_note4x_189_004.jpg | Fluorinert 액체를 부어도 파형에는 큰 변화가 없다. | ||
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+ | </ol> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>크기 측정하지 않음 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li> Apple [[iPhone 5S]]에서 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>사진 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:iphone5s01_125.jpg | ||
+ | image:iphone5s01_125_001.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>A(아바고)D3R마킹: triple [[FBAR]] 필터 뱅크 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>두 다이 측면 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:iphone5s01_125_004.jpg | PCB에 [[인덕터]]가 있다. | ||
+ | image:iphone5s01_125_005.jpg | ||
+ | image:iphone5s01_125_006.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>두 다이, 솔더링면. via를 통해 내부와 연결된다. | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:iphone5s01_125_007.jpg | MN KV F / M9 NO M | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>큰 다이 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:iphone5s01_125_008.jpg | ||
+ | image:iphone5s01_125_009.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>작은 다이 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:iphone5s01_125_010.jpg | 뚜껑 두 변을 뜯으면 | ||
+ | image:iphone5s01_125_011.jpg | 완전히 뜯으면. 좁은 Au 띠로 접착 | ||
+ | image:iphone5s01_125_012.jpg | 뚜껑 접착면. | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>Avago A790720, Dual [[PAMiD]] | ||
<ol> | <ol> | ||
+ | <li>메인보드에서 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:iphone5s01_136_005.jpg | Epcos 2016 도금타입 CSP | ||
+ | image:iphone5s01_136_005_001.jpg | 열을 가하면 솔더가 위로 분출한다. | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>CSP SAW DPX 솔더링 밑면에도 EMC 재료가 빈틈없이 몰딩되어 있다. | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:iphone5s01_136_005_002.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>[[FBAR]] DPX에서 - RX(로 추정) | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:iphone5s01_136_005_009.jpg | ||
+ | image:iphone5s01_136_005_010.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>[[FBAR]] DPX에서 - TX(로 추정) | ||
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+ | image:iphone5s01_136_005_011.jpg | ||
+ | image:iphone5s01_136_005_012.jpg | ||
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2021년 3월 24일 (수) 15:33 기준 최신판
FBAR(F-바)
- 링크
- 3.8x3.8mm 듀플렉서,
- 포장 보관
- antistatic box01 002.jpg
- fbar c7150 001.jpg
2007년 12월 29일 출하품
- 벌크 외관
- fbar c7150 002.jpg
- fbar c7150 003.jpg
- 트레이에서
- 제품 1, 불에 태워서
- 질산에 넣어서
- Cap을 벗겨서(인두기로 가열해서 AuSn 실링을 녹인 후, 칼날을 밀어넣어서)
- 포장 보관
- 2.0x1.6mm 에서
- 1.8x1.4mm
- Xiaomi Redmi Note 4X 휴대폰에서
- 듀플렉서 1.8x1.4mm 7개, 무라타1, 트라이퀸트1, Taiyo Yuden 5개 중에서
- Taiyo Yuden, 마킹 701 -> LTE Band7 Tx:2535MHz, Rx:2655MHz
- 주파수 파형
- Tx필터 FBAR 온도 특성 실험-1
- 치구 준비
- 가열 냄비 준비
- 과불소화 액체는 Solvay Solexis회사의 GALDEN D03 제품(비점 190도, 유전율 2.1, 유전손실 0.0002)을 부었다.
- 실험 방법
- 5071C 네트워크분석기에서 주파수 값과 3478A DMM에서 R 읽어 온도 환산 프로그램 tcf-ibw.txt
- 엑셀 데이터
- 치구 준비
- Tx필터 온도 특성 실험-2, 첫실험이 성공이어서 온도를 더 높게 빠르게 올림
- 30와 130도씨에서 특성 그래프 비교
- 그래프
- 사용된 액체 부피가 작고, 수위가 낮아 온도 편차가 크다. 그러므로 빠른 온도 상승에서는 액체를 순환시켜야(저어야)겠다.
- 30와 130도씨에서 특성 그래프 비교
- 다이 내부 - 두께가 두꺼운 제품이다.
- SAW + BAW 조합이다.
- F-BAR baw 필터
- 공진기 #1~#6
- Rx saw 필터
- SAW + BAW 조합이다.
- 주파수 파형
- Taiyo Yuden, 마킹 701 -> LTE Band7 Tx:2535MHz, Rx:2655MHz
- 듀플렉서 1.8x1.4mm 7개, 무라타1, 트라이퀸트1, Taiyo Yuden 5개 중에서
- Xiaomi Redmi Note 4X 휴대폰에서
- 크기 측정하지 않음