"SHV-E210K"의 두 판 사이의 차이

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<li> [[핸드폰]]
 
<li> [[핸드폰]]
 
<ol>
 
<ol>
<li> 삼성 갤럭시 S3, [[SHV-E210K]] - 이 페이지
+
<li>2012 삼성 갤럭시 S3 [[SHV-E210K]] - 이 페이지
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
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<li>삼성전자 홈 페이지 https://www.samsung.com/sec/support/model/SHV-E210KMB1KC/
 
<li>삼성전자 홈 페이지 https://www.samsung.com/sec/support/model/SHV-E210KMB1KC/
 
<li>나무위키 https://namu.wiki/w/%EA%B0%A4%EB%9F%AD%EC%8B%9C%20S%20III
 
<li>나무위키 https://namu.wiki/w/%EA%B0%A4%EB%9F%AD%EC%8B%9C%20S%20III
<li>201?년 출시
+
<li>2012년 출시
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>분해제품 모델: SHV-E210K, 제조연월일 2013년 6월 18일
 
<li>분해제품 모델: SHV-E210K, 제조연월일 2013년 6월 18일
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</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
<li>외관
 
<ol>
 
</ol>
 
<li>뜯으면
 
<ol>
 
 
<li>뒤 뚜껑을 열면
 
<li>뒤 뚜껑을 열면
 
<gallery>
 
<gallery>
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image:shv_e210k_002.jpg | SHV-E210K (갤럭시 S3 LTE) 16GB, 제조년월 2013년 6월 18일
 
image:shv_e210k_002.jpg | SHV-E210K (갤럭시 S3 LTE) 16GB, 제조년월 2013년 6월 18일
 
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</gallery>
<li>NFC 안테나가 붙어 있는 배터리
+
<li> [[NFC]] 안테나가 붙어 있는 배터리
 +
<ol>
 +
<li>외형
 
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<gallery>
 
image:shv_e210k_003.jpg | 엔피텍 3.8V 7.98Wh, Near Field Communication
 
image:shv_e210k_003.jpg | 엔피텍 3.8V 7.98Wh, Near Field Communication
 
image:shv_e210k_004.jpg | EB-L1H2LLK 2100mAh, 제조년월 2013.03
 
image:shv_e210k_004.jpg | EB-L1H2LLK 2100mAh, 제조년월 2013.03
 +
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 +
<li>라벨 테이프 벗기면, NFC 안테나가 보인다.
 +
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image:shv_e210k_005.jpg
 
image:shv_e210k_005.jpg
 
image:shv_e210k_006.jpg | GRF-C Project Ver 2.2
 
image:shv_e210k_006.jpg | GRF-C Project Ver 2.2
 +
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 +
<li>NFC 안테나와 접촉 단자 연결
 +
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image:shv_e210k_007.jpg
 
image:shv_e210k_007.jpg
image:shv_e210k_008.jpg | SAMSUNG TSDI(TianJin), ICP565156A
+
image:shv_e210k_008.jpg | [[금속각형 2차-리튬]]배터리 SAMSUNG TSDI(TianJin), ICP565156A
 +
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 +
<li>NFC 안테나 측정 - 이렇게 측정하는 것은 거의 의미가 없다.
 +
<ol>
 +
<li>측정 사진
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<gallery>
 
image:shv_e210k_009.jpg
 
image:shv_e210k_009.jpg
 
image:shv_e210k_010.jpg
 
image:shv_e210k_010.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>후면 메인 카메라
+
<li>네트워크분석기 측정 데이터
 +
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 +
image:shv_e210k_010_001.png | 통과 이득특성, 위상
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image:shv_e210k_010_002.png | 배터리 금속을 접지시키면(inter-winding C가 없어지므로 공진주파수가 높아진다.)
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>후면에 있는 메인용 [[핸드폰용 이미지센서]]
 +
<ol>
 +
<li>외관
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:shv_e210k_011.jpg | GT-i9300(Galaxy S3에서 International 모델)
 
image:shv_e210k_011.jpg | GT-i9300(Galaxy S3에서 International 모델)
 
image:shv_e210k_012.jpg
 
image:shv_e210k_012.jpg
image:shv_e210k_013.jpg | 세라믹 볼이 보인다.
+
image:shv_e210k_013.jpg | 자기실드 외부 철판을 분리하면, 세라믹 볼이 보인다.
image:shv_e210k_014.jpg | ball bushing bearing 및 voice coil
+
</gallery>
 +
<li>ball bushing bearing 및 voice coil을 사용한 [[카메라 액추에이터]]
 +
<gallery>
 +
image:shv_e210k_016.jpg | 외부 철판이 렌즈바렐에 붙어 있는 영구자석을 당긴다.
 +
image:shv_e210k_014.jpg | 구조적으로 볼을 눌러야 한다.
 
image:shv_e210k_015.jpg
 
image:shv_e210k_015.jpg
image:shv_e210k_016.jpg | 철판이 영구자석을 당긴다.
+
image:shv_e210k_019.jpg | 영구자석이 코일뒤에 있는 철판에 달라붙으려고 하기 때문에 그 사이에 있는 세라믹 볼 4개가 유격없이 눌러진다.
 +
</gallery>
 +
<li>거리 정보에 따라 AF용 전류를 결정하기 위한 (미리 프로그래밍된) 드라이버(?)
 +
<gallery>
 
image:shv_e210k_017.jpg
 
image:shv_e210k_017.jpg
image:shv_e210k_018.jpg | 거리 정보에 따라 AF용 전류를 결정하기 위한 드라이버
+
image:shv_e210k_018.jpg
image:shv_e210k_019.jpg | 세라믹 볼이 4개
+
</gallery>
 +
<li>렌즈바렐 위치를 알기 위한 [[홀소자]]
 +
<gallery>
 
image:shv_e210k_020.jpg | 홀 소자
 
image:shv_e210k_020.jpg | 홀 소자
 +
</gallery>
 +
<li>실험하기 위해 코일 연결
 +
<ol>
 +
<li>실험 사진
 +
<gallery>
 
image:shv_e210k_021.jpg
 
image:shv_e210k_021.jpg
image:shv_e210k_022.jpg | 6260x5930um, 4660x3540um, 44%차지
 
image:shv_e210k_023.jpg
 
image:shv_e210k_024.jpg | 1.44x1.44um, 10개 픽셀마다 긴 막대기를 표시함
 
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>적외선 근접센서
+
<li>엑셀파일 - 무슨 의미가 있는지 아직 모르겠음.
 +
<gallery>
 +
image:shv_e210k_021_001.png | 500Hz 부근에 공진점
 +
image:shv_e210k_021_002.png | 측정주파수를 높이면서, 낮추면서 - 큰 의미는 없는 듯
 +
image:shv_e210k_021_003.png | DC bias current에 따른 임피던스 - 볼 4개에서 하나가 없어진 상태에서 측정함(마찰이 커져 의도대로 동작하지 않음)
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>이미지 센서
 
<gallery>
 
<gallery>
image:shv_e210k_025.jpg | 적외선 근접센서
+
image:shv_e210k_022.jpg | 다이 크기 6260x5930um, 센서 크기 4660x3540um, 44%차지
image:shv_e210k_026.jpg
+
image:shv_e210k_023.jpg
 +
image:shv_e210k_024.jpg | 서브픽셀 사이즈 1.44x1.44um, 10개 픽셀마다 긴 막대기를 표시함
 
</gallery>
 
</gallery>
 +
</ol>
 
<li>후면 본체
 
<li>후면 본체
 
<gallery>
 
<gallery>
89번째 줄: 126번째 줄:
 
image:shv_e210k_039.jpg | 표면에 안테나 전극 패턴이 보임
 
image:shv_e210k_039.jpg | 표면에 안테나 전극 패턴이 보임
 
image:shv_e210k_040.jpg | WiFI, Main Cellular
 
image:shv_e210k_040.jpg | WiFI, Main Cellular
</gallery>
 
<li>리시버
 
<gallery>
 
image:shv_e210k_041.jpg | 2단자 리시버
 
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>
 
<li>
99번째 줄: 132번째 줄:
 
image:shv_e210k_044.jpg | CML0801 카메라용 이미지처리 IC
 
image:shv_e210k_044.jpg | CML0801 카메라용 이미지처리 IC
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>
+
<li>메인보드 중요 부위 A면
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:shv_e210k_050.jpg
 
image:shv_e210k_050.jpg
 +
image:shv_e210k_052.jpg
 +
image:shv_e210k_053.jpg | FCI FC7860, 2G/3G RF-IC // TriQuint 7M5005 PAM
 +
image:shv_e210k_054.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>메인보드 중요 부위 B면
 +
<ol>
 +
<li>전체
 +
<gallery>
 
image:shv_e210k_051.jpg
 
image:shv_e210k_051.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>
+
<li>Exynos AP를 뜯으면
 +
<gallery>
 +
image:shv_e210k_051_001.jpg
 +
image:shv_e210k_051_002.jpg | 마더보드 10층
 +
</gallery>
 +
<li>위에 있는 DRAM를 뜯으면, PoP
 +
<gallery>
 +
image:shv_e210k_051_003.jpg
 +
image:shv_e210k_051_004.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>3층까지만 확인 - 6층 PCB인듯.
 
<gallery>
 
<gallery>
image:shv_e210k_052.jpg
+
image:shv_e210k_051_005.jpg | 1층
image:shv_e210k_053.jpg | FCI FC7860, 2G/3G RF-IC // TriQuint 7M5005 PAM
+
image:shv_e210k_051_006.jpg | 1-2층사이 비아
image:shv_e210k_054.jpg
+
image:shv_e210k_051_007.jpg | 2층
 +
image:shv_e210k_051_008.jpg | 3층, MLCC 4개 넣을 수 있는 자리가 있는데, 있지 않다.
 
</gallery>
 
</gallery>
 +
</ol>
 
<li>WiFi 모듈
 
<li>WiFi 모듈
 
<ol>
 
<ol>
154번째 줄: 207번째 줄:
 
image:shv_e210k_085_004.jpg
 
image:shv_e210k_085_004.jpg
 
image:shv_e210k_085_005.jpg
 
image:shv_e210k_085_005.jpg
 +
image:shv_e210k_085_016.jpg
 +
image:shv_e210k_085_017.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>DPX 1 - Rx칩 없음.
 
<li>DPX 1 - Rx칩 없음.
181번째 줄: 236번째 줄:
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>쏘필터
+
<li> [[SAW-핸드폰RF]]
 
<ol>
 
<ol>
<li>1~9번까지 9개 쏘필터 위치한 곳
+
<li>1~9번까지 RF필터 9개 SAW 다이가 위치한 곳
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:shv_e210k_043.jpg
 
image:shv_e210k_043.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>1,2, GPS 모듈에서
+
<li>1,2, GPS 모듈에서
 
<ol>
 
<ol>
<li>전체, 1.4x1.1mm
+
<li> [[SAW-GPS]], 1.4x1.1mm
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:shv_e210k_045.jpg
 
image:shv_e210k_045.jpg
image:shv_e210k_046.jpg | ANT - 1st SAW + LNA + 2nd SAW - IC
+
image:shv_e210k_046.jpg | ANT - 1st SAW + LNA + 2nd SAW - IC(Broadcom BCM47511)
 
image:shv_e210k_047.jpg | #1 필터에서 칩크랙이 보임
 
image:shv_e210k_047.jpg | #1 필터에서 칩크랙이 보임
 
image:shv_e210k_048.jpg
 
image:shv_e210k_048.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>#1
+
<li>#1, 마킹 hDUZ
 
<gallery>
 
<gallery>
image:shv_e210k_049.jpg | DG89AQ MP-2 HBC
+
image:shv_e210k_049.jpg | 와이솔 DG89AQ MP-2 HBC
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>#2
+
<li>#2, 마킹 eE D1
 
<gallery>
 
<gallery>
image:shv_e210k_048_001.jpg | AT31-A2
+
image:shv_e210k_048_001.jpg | 무라타 AT31-A2
 
image:shv_e210k_048_002.jpg
 
image:shv_e210k_048_002.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>3,4, 2G GSM GSM900 DCS1800 PCS1900, 1.5x1.1mm
+
<li>3,4, 2G GSM GSM900 DCS1800+PCS1900,
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>외관
 
<li>외관
 
<gallery>
 
<gallery>
image:shv_e210k_065.jpg
+
image:shv_e210k_065.jpg | 9PUY 1.4x1.1 single, ZE SL 1.5x1.1 dual
image:shv_e210k_066.jpg
+
image:shv_e210k_066.jpg | 수지 몰딩을 벗기면
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>GSM900, 942.5MHz
+
<li>GSM900, 942.5MHz, 1.4x1.1mm, 싱글, 와이솔 마킹 9PUY
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:shv_e210k_066_001.jpg
 
image:shv_e210k_066_001.jpg
219번째 줄: 274번째 줄:
 
image:shv_e210k_066_003.jpg
 
image:shv_e210k_066_003.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>DCS1800 PCS1900
+
<li>DCS1800(Rx 1842.5MHz)+PCS1900(Rx 1960MHz), 1.5x1.1mm, 듀얼, 무라다 마킹 ZE SL
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:shv_e210k_066_004.jpg | ?86-A1
 
image:shv_e210k_066_004.jpg | ?86-A1
 
image:shv_e210k_066_005.jpg
 
image:shv_e210k_066_005.jpg
image:shv_e210k_066_006.jpg | 주기 1.99um 전극폭 0.50um
+
image:shv_e210k_066_006.jpg | 주기 1.99um 1960MHz라면 3900m/sec
image:shv_e210k_066_007.jpg | 주기 2.10um 전극폭 0.526um
+
image:shv_e210k_066_007.jpg | 주기 2.10um 1842.5MHz라면 3870m/sec
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>5, Band1(2100)?, 1.4x1.1mm
+
<li>5, Rx 1830MHz(근처의 밴드), 1.4x1.1mm, 무라타 마킹 ???
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:shv_e210k_056.jpg
 
image:shv_e210k_056.jpg
233번째 줄: 288번째 줄:
 
image:shv_e210k_057_001.jpg | K182-A1
 
image:shv_e210k_057_001.jpg | K182-A1
 
image:shv_e210k_057_002.jpg | 프루빙 바늘 자국
 
image:shv_e210k_057_002.jpg | 프루빙 바늘 자국
image:shv_e210k_057_003.jpg | 주기 2.13um 전극폭 0.533um
+
image:shv_e210k_057_003.jpg | 주기 2.13um 3900m/sec라면 1830MHz
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>6,7 1.5x1.1mm
+
<li>6,7, 1.4x1.1mm 싱글, 무라타 마킹 LB a5 와 AB LT
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>외관
 
<li>외관
245번째 줄: 300번째 줄:
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:shv_e210k_062_001.jpg | K157-A1
 
image:shv_e210k_062_001.jpg | K157-A1
image:shv_e210k_062_002.jpg | 주기 2.16um 전극폭 0.541um
+
image:shv_e210k_062_002.jpg | 주기 2.16um 3900m/sec라면 1805MHz
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>오른쪽 쏘필터
 
<li>오른쪽 쏘필터
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:shv_e210k_062_003.jpg | P955-B2
 
image:shv_e210k_062_003.jpg | P955-B2
image:shv_e210k_062_004.jpg | 주기 2.03um 전극폭 0.507um
+
image:shv_e210k_062_004.jpg | 주기 2.03um 3900m/sec라면 1920MHz
 
image:shv_e210k_062_005.jpg | 프루빙 바늘 자국
 
image:shv_e210k_062_005.jpg | 프루빙 바늘 자국
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>8, Band2(1900) ? 1.4x1.1mm
+
<li>8, 1.4x1.1mm, 무라타 마킹 FF S9
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:shv_e210k_063.jpg
 
image:shv_e210k_063.jpg
 
image:shv_e210k_064.jpg
 
image:shv_e210k_064.jpg
 
image:shv_e210k_064_001.jpg | W161-A1
 
image:shv_e210k_064_001.jpg | W161-A1
image:shv_e210k_064_002.jpg | 주기 2.22um 전극폭 0.55um
+
image:shv_e210k_064_002.jpg | 주기 2.22um 3900m/sec라면 1757MHz
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>9, Epcos 7968, 2.5x2.0x0.95mm, Band3 1747.5/1842.5MHz, Rx는 balance-out
+
</ol>
 +
<li> [[SAW-핸드폰DPX]]
 +
<ol>
 +
<li>9, Epcos 7968, 2.5x2.0x0.95mm, Band3 1747.5/1842.5MHz 듀플렉서, Rx는 balance-out
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>외관
 
<li>외관
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:shv_e210k_058.jpg
 
image:shv_e210k_058.jpg
image:shv_e210k_059.jpg
+
image:shv_e210k_059.jpg | 마킹판독성을 높이깅 위해 검정 니켈도금
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>LTCC 패키지
 
<li>LTCC 패키지
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:shv_e210k_060.jpg
 
image:shv_e210k_060.jpg
image:shv_e210k_060_001.jpg
+
image:shv_e210k_060_000.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>다이 패턴
 
<li>다이 패턴
306번째 줄: 364번째 줄:
 
image:shv_e210k_084.jpg
 
image:shv_e210k_084.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>대기압 센서(압력 센서)
+
<li> [[핸드폰에서 발견한 대기압 센서]]
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>외관
 
<li>외관
313번째 줄: 371번째 줄:
 
image:shv_e210k_063.jpg | 표면에 구멍이 있다.
 
image:shv_e210k_063.jpg | 표면에 구멍이 있다.
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>윗 뚜껑을 벗기면
+
<li>윗 뚜껑을 벗기면 [[캐비티 유기물기판]]을 사용했음을 알 수 있다.
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:shv_e210k_067.jpg | 캐비티 PCB를 사용
 
image:shv_e210k_067.jpg | 캐비티 PCB를 사용
image:shv_e210k_068.jpg
+
image:shv_e210k_068.jpg | chip-on-chp
 
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</gallery>
 
<li>압력센서
 
<li>압력센서
332번째 줄: 390번째 줄:
 
image:shv_e210k_075.jpg
 
image:shv_e210k_075.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>chip-on-chip 와이어본딩
+
<li>chip-on-chip 을 서로 연결하기 위한 [[와이어본딩]]
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:shv_e210k_073.jpg | 1st ball bond
 
image:shv_e210k_073.jpg | 1st ball bond
 
image:shv_e210k_074.jpg | Ball Stitch On Ball(BSOB)
 
image:shv_e210k_074.jpg | Ball Stitch On Ball(BSOB)
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>질산 처리 후, 신호처리 IC의 와이어 본딩 패드
+
<li>질산 처리 후, 신호처리 IC의 [[와이어본딩]] 패드
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:shv_e210k_076.jpg | 1st ball bond 이 잘되었는지를 접합흔적으로 파악할 수 있다.
 
image:shv_e210k_076.jpg | 1st ball bond 이 잘되었는지를 접합흔적으로 파악할 수 있다.
352번째 줄: 410번째 줄:
 
image:shv_e210k_082.jpg
 
image:shv_e210k_082.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>다이싱 단면
+
<li> [[다이싱]]
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:shv_e210k_080.jpg | 웨이퍼 두께를 얇게하지 않았다. 90도 돌려 두 번째 다이싱을 하면 이런 줄무늬가 나타난다.
 
image:shv_e210k_080.jpg | 웨이퍼 두께를 얇게하지 않았다. 90도 돌려 두 번째 다이싱을 하면 이런 줄무늬가 나타난다.
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 +
<li>기타
 +
<ol>
 +
<li> [[핸드폰용 근접센서]]
 +
<gallery>
 +
image:shv_e210k_025.jpg | 적외선 근접센서
 +
image:shv_e210k_026.jpg
 +
</gallery>
 +
<li> [[리시버용 스피커]]
 +
<gallery>
 +
image:shv_e210k_041.jpg | 2단자 리시버
 +
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>

2021년 3월 25일 (목) 22:06 판

삼성 갤럭시 S3, SHV-E210K

  1. 링크
    1. 전자부품
      1. 핸드폰
        1. 2012 삼성 갤럭시 S3 SHV-E210K - 이 페이지
  2. 기술자료
    1. 외부 링크
      1. 삼성전자 홈 페이지 https://www.samsung.com/sec/support/model/SHV-E210KMB1KC/
      2. 나무위키 https://namu.wiki/w/%EA%B0%A4%EB%9F%AD%EC%8B%9C%20S%20III
      3. 2012년 출시
    2. 분해제품 모델: SHV-E210K, 제조연월일 2013년 6월 18일
      1. 사용주파수
        1. LTE Band3 1800MHz
        2. 3G UMTS(WCDMA) B2:1900, B1:2100
        3. 2G GSM GSM900 DCS1800 PCS1900
      2. 뒷면 메인카메라: 800만화소, 전면 보조카메라: 190만화소
  3. 뒤 뚜껑을 열면
  4. NFC 안테나가 붙어 있는 배터리
    1. 외형
    2. 라벨 테이프 벗기면, NFC 안테나가 보인다.
    3. NFC 안테나와 접촉 단자 연결
    4. NFC 안테나 측정 - 이렇게 측정하는 것은 거의 의미가 없다.
      1. 측정 사진
      2. 네트워크분석기 측정 데이터
  5. 후면에 있는 메인용 핸드폰용 이미지센서
    1. 외관
    2. ball bushing bearing 및 voice coil을 사용한 카메라 액추에이터
    3. 거리 정보에 따라 AF용 전류를 결정하기 위한 (미리 프로그래밍된) 드라이버(?)
    4. 렌즈바렐 위치를 알기 위한 홀소자
    5. 실험하기 위해 코일 연결
      1. 실험 사진
      2. 엑셀파일 - 무슨 의미가 있는지 아직 모르겠음.
    6. 이미지 센서
  6. 후면 본체
  7. 메인보드 중요 부위 A면
  8. 메인보드 중요 부위 B면
    1. 전체
    2. Exynos AP를 뜯으면
    3. 위에 있는 DRAM를 뜯으면, PoP
    4. 3층까지만 확인 - 6층 PCB인듯.
  9. WiFi 모듈
    1. 외관, KM3305012 VM
    2. 액체 에폭시 몰딩품을 벗기면
    3. 윗면
    4. 아랫면
  10. FEMiD
    1. 화살표가 가리키는 부품
    2. 액체 에폭시 몰딩품을 벗기면
    3. 칩 10개를 뜯어내기 위해
    4. 패키지 및 칩
    5. DPX 1 - Rx칩 없음.
    6. DPX 2
    7. DPX 3
    8. DPX 4
    9. DPX 5
  11. SAW-핸드폰RF
    1. 1~9번까지 RF필터 9개 SAW 다이가 위치한 곳
    2. 칩 1,2, GPS 모듈에서
      1. SAW-GPS, 1.4x1.1mm
      2. #1, 마킹 hDUZ
      3. #2, 마킹 eE D1
    3. 칩 3,4, 2G GSM GSM900 DCS1800+PCS1900,
      1. 외관
      2. GSM900, 942.5MHz, 1.4x1.1mm, 싱글, 와이솔 마킹 9PUY
      3. DCS1800(Rx 1842.5MHz)+PCS1900(Rx 1960MHz), 1.5x1.1mm, 듀얼, 무라다 마킹 ZE SL
    4. 칩 5, Rx 1830MHz(근처의 밴드), 1.4x1.1mm, 무라타 마킹 ???
    5. 칩 6,7, 1.4x1.1mm 싱글, 무라타 마킹 LB a5 와 AB LT
      1. 외관
      2. 왼쪽 쏘필터
      3. 오른쪽 쏘필터
    6. 칩 8, 1.4x1.1mm, 무라타 마킹 FF S9
  12. SAW-핸드폰DPX
    1. 칩 9, Epcos 7968, 2.5x2.0x0.95mm, Band3 1747.5/1842.5MHz 듀플렉서, Rx는 balance-out
      1. 외관
      2. LTCC 패키지
      3. 다이 패턴
      4. 정전기 파괴 영역1
      5. 정전기 파괴 영역2 - 동일 전위를 갖는 반사기임에도 정전파괴가 관찰된다.
      6. 정전기 파괴 영역3
      7. 다이싱 방법, V-shaped dicing blade로 bevel half cut 한 후 다음에 full cut한다. (참고: step cut은 두꺼운 블레이드로 1차)
  13. RF용L
  14. 핸드폰에서 발견한 대기압 센서
    1. 외관
    2. 윗 뚜껑을 벗기면 캐비티 유기물기판을 사용했음을 알 수 있다.
    3. 압력센서
    4. 신호처리 IC
    5. 두 IC 합성사진
    6. chip-on-chip 을 서로 연결하기 위한 와이어본딩
    7. 질산 처리 후, 신호처리 IC의 와이어본딩 패드
    8. 멤브레인에 크랙을 가한 후 - 초음파세척을 하니
    9. 멤브레인을 제거한 후 - 초음파세척을 계속하니
    10. 다이싱
  15. 기타
    1. 핸드폰용 근접센서
    2. 리시버용 스피커