"와이어본딩 패드"의 두 판 사이의 차이

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image:fingerprint03_024.jpg | IC에 있는 분리된 전극 때문에 상하 경로로만 전기가 통한다.
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<li> [[와이어본딩 패드]]를 낮추기 위해 실리콘 에칭
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<li> [[핸드폰에서 발견한 대기압 센서]] 에서
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<li> [[발연질산]] 처리 후, 신호처리 IC의 [[와이어본딩 패드]] 관찰
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image:shv_e210k_076.jpg | 1st ball bond 이 잘되었는지를 접합흔적으로 파악할 수 있다.
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<li> [[핸드폰용 이미지센서]]
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<li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰
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image:iphone5s01_078.jpg | 뜯겨진 [[와이어본딩 패드]]. 아래 레이어에 [[더미 필 패턴]]이 있다.
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<li> [[Flash Memory]]
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<li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰
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image:redmi_note4x_118.jpg | 와이어본딩을 겹쳐 하기 때문에 [[ESD 손상]]을 막기 위한 [[TVS다이오드]] 패턴(?)
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image:redmi_note4x_120.jpg | SANDISK/TOSHIBA FFK8 128G, 15nm NAND
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<li> [[핸드폰용 근접센서]]
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<li>2018.10 출시 샤오미 [[Redmi Note 6 Pro]] 스마트폰
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<li>매우 두꺼운
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<li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰
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<li> [[가속도]] 센서
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image:iphone5s01_184_002.jpg | BSOB [[Au 볼 와이어본딩]]을 위한 [[와이어본딩 패드]] 두께가 웨이퍼 본딩 접착층 두께와 같다.
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<li> [[인터포저]], PCB 등 기판쪽에서
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<li>Gigabit Ethernet Controller, Intel RC82540EP
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image:ibm_t40_094_005.jpg | [[다이본딩]]면을 뜯어내면
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<li> [[프루브카드]] 바늘에 의한 검사 찍힘 자국
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<li>2016.02 출시 삼성 [[갤럭시 S7용 이미지센서모듈]]
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image:gs7_02_012.jpg | S5K2L1
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2023년 1월 9일 (월) 11:22 기준 최신판

와이어본딩 패드

  1. 전자부품
    1. 연결
      1. 와이어본딩
        1. 와이어본딩 패드 - 이 페이지
    2. 참조
      1. 프루브카드
  2. 와이어 루프를 낮추기 위해, 실리콘 일부를 깍아낸 후 본딩패드를 형성
    1. 정전식 지문센서
      1. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
      2. 국내 P회사의 터치 정전식 지문센서
        1. 본딩 단면도
        2. 와이어본딩 패드를 낮추기 위해 실리콘 에칭
  3. 와이어가 잘 붙도록 패드를 거칠게
    1. MEMS마이크
      1. Knowles S180
    2. 핸드폰에서 발견한 대기압 센서 에서
      1. 발연질산 처리 후, 신호처리 IC의 와이어본딩 패드 관찰
    3. 핸드폰용 이미지센서
      1. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
    4. Flash Memory
      1. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰
    5. 핸드폰용 근접센서
      1. 2018.10 출시 샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰
  4. 매우 두꺼운
    1. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
      1. 가속도 센서
  5. 인터포저, PCB 등 기판쪽에서
    1. Gigabit Ethernet Controller, Intel RC82540EP
  6. 프루브카드 바늘에 의한 검사 찍힘 자국
    1. 2016.02 출시 삼성 갤럭시 S7용 이미지센서모듈