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Flash Memory

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Flash Memory
1. 기술
  1. TDK, 메모리콘트롤러 카탈로그
    1. P/E cycle = program/erase cycle, 수명
2. Foresee, Flash Drive
  1. YF-006G 안드로이드 태블릿에서
    - Foresee NCEMAHBD-08G, 32GB로 추정
    - 두꺼운(이 높은 공간에 콘트롤러 다이를 다이본딩+와이어본딩) 작은 flash 다이위에 얇은 큰 falsh 다이를 올림
3. AMD
  1. Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품
    - Flash Memory
  2. Palm Vx PDA에서
    - AMD AM29LV160DB 16Mbit(2MB) Flash Memory
  3. Palm m500 PDA에서
    - AM29LV320DB 32Mbit Flash
4. ATMEL
  1. UTHE 10H Ultrasonic Generator
    - AT29C256;Flash Memory, 32KB // P80C32SBAA 80C51 8bit microcontroller family
  2. PTC-200 펠티어 오븐, CPU 보드에서
    - AT27C512R one-time programmable(OTP) ROM 512kb(64kB), AT28HC256 parallel electrically erasable and programmable(EEP) ROM 256kb(32kB), M29F040B 4Mb(512kB) non-volatile memory
5. Hynix
  1. Apple iPhone 5S, SK hynix H2JTFG8YD3MBR 64GB NAND Flash
    1. 외관
      - 17.0x12.0mm SK hynix H2JTFG8YD3MBR 64GB NAND Flash
    2. 뜯어내어
      - 솔더링면
      - 측면 - 전기도금을 위한 동박연결
    3. 질산에 넣어두니, 가장자리부터 부풀어 올라 다이가 기다랗게 순서대로 깨짐
      - 8GB 다이 8개가 콘트롤러 위에서 와이어본딩으로 적층
      - 맨 밑 콘트롤러 IC 및 3 방향에 더미 실리콘다이
6. Intel
  1. Palm TX PDA에서
    - Samsung K9F1G08U0A NAND Flash 128MByte, intel 28F640J3C115 64Mbit Flash, Infineon HYB25L256160AF 256Mbit Mobile DRAM(=low-power SDRAM)
  2. Tektronix TDS540 오실로스코프, A13 firmface board에서
    1. 외관, 펌웨어를 보관하는 메모리보드
      - intel N28F010-200 1024kbit NOR Flash, 12V, 10만회
7. Macronix(MX)
  1. Palm m100 PDA에서
    - MX(Macronix) C003304 742-2123 B0C8 1C0544A1 Flash Memory, OKI M51V18165 16Mbit DRAM, ETC CHB-03F 전자석버저
  2. PalmOne Zire72 PDA에서
    - MX05-081760011PA
8. Microchip
  1. LG IBM ThinkPad T40, Type 2373 노트북에서
    - SST 49LF008A - A Microchip Technology Company, 8Mbit Firmware Hub for PC-BIOS application
9. Micron
  1. SSD에서
    - TFGDMZT-1D04, 16nm Micron MLC NAND flash, 32GB
  2. 3G 통신모듈, 한국 비트앤펄스(bits and pulse) 회사에서 제작. BPW-M100에서
    - 맨 아래, IBA98 마킹 칩
    - 2 stack chip, 맨 위는 패턴이 단순해 DRAM으로 추정, 아래는 Flash 메모리로 추정
    - 전기도금 라인이 왼쪽에 보인다.
    - 아래 칩. SLC 2Gb 34nm (M69A)로 추정.
    - MICRON 글씨 높이가 5um
10. Samsung, SEC, 삼성전자
  1. 삼성 ES75 콤팩트 카메라, SEC K9F5608U0D-J, 32MByte FLASH MEMORY
    - PCB 전기도금
  2. Palm TX PDA에서
    - Samsung K9F1G08U0A NAND Flash 128MByte, intel 28F640J3C115 64Mbit Flash, Infineon HYB25L256160AF 256Mbit Mobile DRAM(=low-power SDRAM)
11. Sandisk
  1. SDINADF4-64G, iNAND 7232, 64GB embedded flash drive, 14nm
    1. Xiaomi Redmi Note 4X 휴대폰에서
      1. 외관
      2. 다이 4개 적층 + 메모리 콘트롤러
        
        128Gb x 4 = 64GB NAND flash
        
        flash memory controller
        
        다이접착용 필름 두 개가 보인다.
      3. 적층다이를 와이어본딩으로 연결
        
        wire bonded multi-stack die
        
        Stand-off Stitch Bonding
      4. 다이 표면
        
        와이어본딩을 겹쳐 하기 때문에 정전기 방지용(?) R패턴(?)
        
        SANDISK/TOSHIBA FFK8 128G, 16GB용이다.
        
        SANDISK/TOSHIBA FFK8 128G, 15nm NAND
12. Spansion
  1. , 프린터용 LAN카드, HP Jetdirect 620n(J7934g)에서
    - Qimonda DRAM, Spansion Flash
13. SST(Silicon Storage Technology)
  1. LAN카드 3C905CX-TX-M, PCI Lan Card에서
    - 39VF512, 64kB
14. STM
  1. Fujitsu Notebook E8410 노트북에서
    - SPI Flash 메모리
15. Toshiba, 도시바
  1. 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
    - 1Gbit Flash(128MB)
    - TSOP(Thin Small Outline Package) 측면 타이바4개 보임.
    - 우하 밝게빛나는 부분이 capacitor
    - NAND FLASH EEPROM으로 적혀있음
    - 본딩패드 밑에도 회로
    - 면적으로 계산하면 약 1M, 한 격자안에 1K 셀이 있어야 함
    - 3차원 배선
    - inter-digital capacitor
  2. 2016년 출시 삼성 갤럭시 A7 SM-A710S에서
    - 왼쪽 SEC K4EHE30 4EAAGCF 3GB RAM, 오른쪽 Toshiba THGBMFG7C2LBAIL, 16GB
    - 메모리 밑면에 형성된 솔더볼
    - 태우면. 좌상단에 별도 콘트롤러 IC가 보인다.
    - 두 다이를 쌓았다.