"와이어본딩 패드"의 두 판 사이의 차이
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+ | <li>국내 P회사의 [[터치 정전식 지문센서]] | ||
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+ | image:fingerprint03_024.jpg | IC에 있는 분리된 전극 때문에 상하 경로로만 전기가 통한다. | ||
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+ | <li> [[와이어본딩 패드]]를 낮추기 위해 실리콘 에칭 | ||
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+ | image:fingerprint03_020.jpg | ||
+ | image:fingerprint03_2_001.jpg | BSOB [[Au 볼 와이어본딩]] | ||
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image:iphone5s01_078.jpg | 뜯겨진 [[와이어본딩 패드]]. 아래 레이어에 [[더미 필 패턴]]이 있다. | image:iphone5s01_078.jpg | 뜯겨진 [[와이어본딩 패드]]. 아래 레이어에 [[더미 필 패턴]]이 있다. | ||
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+ | <li> [[Flash Memory]] | ||
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+ | <li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰 | ||
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+ | image:redmi_note4x_118.jpg | 와이어본딩을 겹쳐 하기 때문에 [[ESD 손상]]을 막기 위한 [[TVS다이오드]] 패턴(?) | ||
+ | image:redmi_note4x_120.jpg | SANDISK/TOSHIBA FFK8 128G, 15nm NAND | ||
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+ | <li> [[핸드폰용 근접센서]] | ||
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+ | <li>2018.10 출시 샤오미 [[Redmi Note 6 Pro]] 스마트폰 | ||
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+ | image:redmi_note6pro_021_006.jpg | ||
+ | image:redmi_note6pro_021_007.jpg | ||
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image:ibm_t40_094_005.jpg | [[다이본딩]]면을 뜯어내면 | image:ibm_t40_094_005.jpg | [[다이본딩]]면을 뜯어내면 | ||
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+ | <li> [[프루브카드]] 바늘에 의한 검사 찍힘 자국 | ||
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+ | <li>2016.02 출시 삼성 [[갤럭시 S7용 이미지센서모듈]] | ||
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+ | image:gs7_02_012.jpg | S5K2L1 | ||
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2023년 1월 9일 (월) 11:22 기준 최신판
와이어본딩 패드
- 전자부품
- 와이어 루프를 낮추기 위해, 실리콘 일부를 깍아낸 후 본딩패드를 형성
- 정전식 지문센서
- 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
- 국내 P회사의 터치 정전식 지문센서
- 본딩 단면도
- 와이어본딩 패드를 낮추기 위해 실리콘 에칭
BSOB Au 볼 와이어본딩
- 본딩 단면도
- 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
- 정전식 지문센서
- 와이어가 잘 붙도록 패드를 거칠게
- MEMS마이크
- Knowles S180
와이어본딩 패드면에 엠보싱처리
- Knowles S180
- 핸드폰에서 발견한 대기압 센서 에서
- 핸드폰용 이미지센서
- 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
- 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
- Flash Memory
- 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰
- 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰
- 핸드폰용 근접센서
- 2018.10 출시 샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰
- 2018.10 출시 샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰
- MEMS마이크
- 매우 두꺼운
- 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
- 가속도 센서
BSOB Au 볼 와이어본딩을 위한 와이어본딩 패드 두께가 웨이퍼 본딩 접착층 두께와 같다.
- 가속도 센서
- 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
- 인터포저, PCB 등 기판쪽에서
- Gigabit Ethernet Controller, Intel RC82540EP
다이본딩면을 뜯어내면
- Gigabit Ethernet Controller, Intel RC82540EP
- 프루브카드 바늘에 의한 검사 찍힘 자국
- 2016.02 출시 삼성 갤럭시 S7용 이미지센서모듈
- 2016.02 출시 삼성 갤럭시 S7용 이미지센서모듈