1년, 31일, 22시간, 43분 - Togotech

"다이싱"의 두 판 사이의 차이
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다이싱 dicing
 
다이싱 dicing
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<li> [[전자부품]]
 
<li> [[전자부품]]
 
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<li> [[가공]]
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<li> [[다이싱된 다이 모양]]
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<li> [[하프 커팅후 절단]]
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<li> [[레이저 다이싱]]
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<li> [[도랑 파기]]
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<li> [[드레싱 보드]]
 
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<li>참조
 
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<li>평행사변형을 자른 삼각형
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<li>기계장치에서
 
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<li>MSC가 있는, high out-of-band rejection in surface acoustic wave (SAW) filters,
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<li>스핀들, [[회전체 밸런싱]]에 문제
 
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image:saw_if_etc01_001.jpg
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image:090130_091028.jpg | 오랫동안 조이니 부러짐
 
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<li>절단된 가루가 구배없는 [[배관]]에 쌓이면
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<li>매우 긴 직각사각형 - 그냥 직사각형, 정사각형은 가장 널리 사용되므로 첨부 생략
 
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<li>CIS - 스캐너용 contact image sensor
 
 
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image:ddi01_001.jpg | X축 IC 18.2x1.35x0.64mm, Y축 IC 11.2x1.35x0.64mm
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image:090131_091708.jpg
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</gallery>
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image:090131_093026.jpg
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<li>DDI - [[능동LCD]]용 Display Driver
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image:090131_093940.jpg
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image:090131_093822.jpg
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image:cis03_020.jpg | 이런 센서(합성 때 약간 문제로 줄어듬) 15개를 사용한다.
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image:090131_093712.jpg
 
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<li>평행사변형
+
<li>절삭속도 추정
 
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<li>TV용 IF SAW필터
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<li>K3953D에서, 30krpm이라면, 60um 수평간격이면 절삭속도는 30mm/sec.
 
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image:saw_if_tv02_014.jpg | 112LT Sanyo 마킹
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image:saw_if_tv_sipd03_012.jpg | 표면에서 각도는 블레이드 직경을 알 수 있다.
 
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<li>육각형
+
<li>기타
 
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<li>LED칩
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<li>초콜릿 [[과자]]에서, Kiru Kezuru Migaku (절단 연삭 연마)
 
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image:led_module01_006.jpg
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image:151104_173634.jpg | 2015/11/04일, 디스코 Disco에서 받은 선물인데, 투고기술 방문자로부터 받음
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image:led_module01_007.jpg | 한변 길이가 1.2mm
 
 
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<li>재질에 따라
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<li>금속 다이싱
 
<li>금속 다이싱
 
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image:csp_plating01_011.jpg
 
image:csp_plating01_011.jpg
 
image:csp_plating01_012.jpg
 
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image:csp_plating01_013.jpg | 다이싱 2nd 채널에서, 구리는 burr가 쉽게 발생됨.
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image:csp_plating01_013.jpg | 다이싱 2nd 채널에서, 구리는 [[버]]가 쉽게 발생됨.
 
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<li>리드프레임
 
<li>리드프레임
 
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<li>스크라이빙 후 부러뜨림
+
<li>실리콘 웨이퍼
 +
<ol>
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<li>CIS #1 - 회전 [[다이아몬드]] 휠로 절단
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image:cis03_018.jpg
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image:cis03_016.jpg | 칩 두께 0.34mm, 두 칩 간격  20um
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image:cis03_017.jpg | 블레이드 다이싱, 수평간격이 0.1mm이므로 30krpm이면 50mm/sec 절단속도
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</gallery>
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<li>만도 RF하이패스, 로스윈 PLL 모듈에 있는 TCXO용 IC
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image:hipass_rf01_087_007.jpg
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image:hipass_rf01_087_008.jpg | 위에서 두께의 45% 천천히 자르고, 20% 깊숙히 빠르게 자르고, 뒤집어 나머지 자른듯(?)
 +
image:hipass_rf01_087_009.jpg
 +
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<li>인포콤 RF하이패스, PAM용 TR 두 개
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<ol>
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<li>first stage amp.
 +
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image:hipass_rf02_043.jpg
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image:hipass_rf02_045.jpg | 다이싱 때, 90도 돌려 두번째 채널 자를 때 칩이 테이프에서 뜨면서 기울어져 발생한 무늬
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 +
<li>second stage amp.
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<gallery>
 +
image:hipass_rf02_046.jpg | 2-stage 앰프에서 뒤쪽에 있는, 더 큰 출력이 필요한 Tr
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image:hipass_rf02_047.jpg | 다이싱 때 1ch 컷
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image:hipass_rf02_048.jpg | 다이싱 때 90도 돌려 자른 ch2 컷
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</ol>
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<li>2012.06 출시 삼성 [[SHV-E210K]] 갤럭시 S3 스마트폰
 
<ol>
 
<ol>
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<li>쏘필터, 매우 긴 칩 - 러시아?
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<li> [[핸드폰에서 발견한 대기압 센서]]
 
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image:saw_if_etc04_001.jpg
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image:shv_e210k_080.jpg | 웨이퍼 두께를 얇게하지 않았다. 90도 돌려 두 번째 다이싱을 하면 이런 줄무늬가 나타난다.
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image:saw_if_etc04_002.jpg | 패키지 길이 21.4mm
 
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image:saw_if_etc04_003.jpg | 스크라이빙 후 부러뜨렸다.
 
 
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<li>반도체 다이싱
+
<li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰 , [[핸드폰용 이미지센서]]
 
<ol>
 
<ol>
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<li>실리콘 웨이퍼
+
<li>실리콘 센서는 앞면에서 회전 블레이드로 두 번(?) [[다이싱]]
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image:iphone5s01_079.jpg
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image:iphone5s01_080.jpg
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</ol>
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<li>쏘필터용 웨이퍼
 
<ol>
 
<ol>
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<li>레이저
+
<li>무라타, 1.4x1.1mm
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image:saw1411_01_001.jpg
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image:saw1411_01_002.jpg | 줄무늬 수평 간격이 절단 속도에 비례한다.
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image:saw1411_01_003.jpg | 두께 5% 매우 빠르게, 두께 60% 천전히, 그리고 뒤집어서 다시. 총 4번 다이싱한 것처럼 보이지만, 한 번만 다이싱해도 이렇다.(?????)
 +
image:saw1411_01_004.jpg | 4번 다이싱 때문에, 뒷면 칩핑이 매우 적음
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<li>2007.10 출시 [[LG-SH170]] 슬라이드 피처폰
 
<ol>
 
<ol>
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<li>레이저 촛점을 이룬 공간에 웨이퍼 재료가 깨져 개질층(빈공간) 형성해야 한다.
+
<li>무라타 SAW UMTS 2100(Tx 1920-1980, Rx 2110-2170) DPX, 3.2x2.5mm LTCC 구리전극 캐비티, 2칩, 플립본딩, AuSn 실링
 +
<gallery>
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image:sh170_063.jpg | 한쪽면
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image:sh170_064.jpg | 같은 칩에서 그 반대 한쪽면
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image:sh170_065.jpg
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</ol>
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<li>2020 삼성 갤럭시 A51 [[SM-A516N]] 휴대폰
 
<ol>
 
<ol>
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<li>레이저 촛점은 레이저 진행 방향에 따라 원형, 진행방향 타원, 진행에 수직방향 타원 등을 만들 수 있다.
+
<li>와이솔
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<li>개질층이 웨이퍼 두께에 따라 1~5회 형성해야 하므로, 촛점 깊이를 정확히 맞출 수 있어야 한다.
+
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<li>웨이퍼 표면 높이를 레이저 센서로 미리 측정하여 촛점을 맞춘다.
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image:sm_a516n_073_002.jpg | 긴쪽 50um
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<li>
+
image:sm_a516n_073_005.jpg | 짧은쪽
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</gallery>
 +
<li>무라타
 +
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image:sm_a516n_073_003.jpg | 긴쪽 100um (다이싱 속도가 비례하여 빠르다.)
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image:sm_a516n_073_006.jpg | 짧은쪽
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 +
<li>엡코스
 +
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 +
image:sm_a516n_073_004.jpg | 긴쪽 40um
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image:sm_a516n_073_007.jpg | 짧은쪽
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<li>LED, 사파이어 웨이퍼가 아닐 때
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<li> [[7-segment LED]], [[오토닉스 TZ4ST 온도조절기]]에서
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image:7seg_led03_004.jpg | 다이본딩
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image:7seg_led03_007.jpg | 다이싱 절단면
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image:7seg_led03_008.jpg | 다른 쪽, 90도 방향 절단면은 부러뜨렸나?
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2023년 10월 21일 (토) 22:06 기준 최신판

다이싱 dicing

  1. 전자부품
    1. 가공
      1. 다이싱 - 이 페이지
        1. 다이싱된 다이 모양
        2. 하프 커팅후 절단
        3. 레이저 다이싱
        4. 도랑 파기
        5. 드레싱 보드
    2. 참조
      1. 다이싱 테이프
      2. 다이싱 프레임
    3. 참조
      1. 버
      2. 천공
      3. 스크라이버
  2. 기계장치에서
    1. 스핀들, 회전체 밸런싱에 문제

      • 오랫동안 조이니 부러짐

    2. 절단된 가루가 구배없는 배관에 쌓이면
      • 090131 091708.jpg
      • 090131 093026.jpg
      • 090131 093940.jpg
      • 090131 093822.jpg
      • 090131 093712.jpg
  3. 절삭속도 추정
    1. K3953D에서, 30krpm이라면, 60um 수평간격이면 절삭속도는 30mm/sec.

      • 표면에서 각도는 블레이드 직경을 알 수 있다.

  4. 기타
    1. 초콜릿 과자에서, Kiru Kezuru Migaku (절단 연삭 연마)

      • 2015/11/04일, 디스코 Disco에서 받은 선물인데, 투고기술 방문자로부터 받음

  5. 재질에 따라
    1. 금속 다이싱
      1. 얇은 구리판(PCB용 도금 동박 등)
        1. 도금 CSP 쏘필터
          • csp plating01 011.jpg
          • csp plating01 012.jpg

          • 다이싱 2nd 채널에서, 구리는 버가 쉽게 발생됨.

      2. 리드프레임
    2. 실리콘 웨이퍼
      1. CIS #1 - 회전 다이아몬드 휠로 절단
        • cis03 018.jpg

        • 칩 두께 0.34mm, 두 칩 간격 20um

        • 블레이드 다이싱, 수평간격이 0.1mm이므로 30krpm이면 50mm/sec 절단속도

      2. 만도 RF하이패스, 로스윈 PLL 모듈에 있는 TCXO용 IC
        • hipass rf01 087 007.jpg

        • 위에서 두께의 45% 천천히 자르고, 20% 깊숙히 빠르게 자르고, 뒤집어 나머지 자른듯(?)

        • hipass rf01 087 009.jpg
      3. 인포콤 RF하이패스, PAM용 TR 두 개
        1. first stage amp.
          • hipass rf02 043.jpg

          • 다이싱 때, 90도 돌려 두번째 채널 자를 때 칩이 테이프에서 뜨면서 기울어져 발생한 무늬

        2. second stage amp.

          • 2-stage 앰프에서 뒤쪽에 있는, 더 큰 출력이 필요한 Tr

          • 다이싱 때 1ch 컷

          • 다이싱 때 90도 돌려 자른 ch2 컷

      4. 2012.06 출시 삼성 SHV-E210K 갤럭시 S3 스마트폰
        1. 핸드폰에서 발견한 대기압 센서

          • 웨이퍼 두께를 얇게하지 않았다. 90도 돌려 두 번째 다이싱을 하면 이런 줄무늬가 나타난다.

      5. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰 , 핸드폰용 이미지센서
        1. 실리콘 센서는 앞면에서 회전 블레이드로 두 번(?) 다이싱
          • iphone5s01 079.jpg
          • iphone5s01 080.jpg
    3. 쏘필터용 웨이퍼
      1. 무라타, 1.4x1.1mm
        • saw1411 01 001.jpg

        • 줄무늬 수평 간격이 절단 속도에 비례한다.

        • 두께 5% 매우 빠르게, 두께 60% 천전히, 그리고 뒤집어서 다시. 총 4번 다이싱한 것처럼 보이지만, 한 번만 다이싱해도 이렇다.(?????)

        • 4번 다이싱 때문에, 뒷면 칩핑이 매우 적음

      2. 2007.10 출시 LG-SH170 슬라이드 피처폰
        1. 무라타 SAW UMTS 2100(Tx 1920-1980, Rx 2110-2170) DPX, 3.2x2.5mm LTCC 구리전극 캐비티, 2칩, 플립본딩, AuSn 실링

          • 한쪽면

          • 같은 칩에서 그 반대 한쪽면

          • sh170 065.jpg
      3. 2020 삼성 갤럭시 A51 SM-A516N 휴대폰
        1. 와이솔

          • 긴쪽 50um

          • 짧은쪽

        2. 무라타

          • 긴쪽 100um (다이싱 속도가 비례하여 빠르다.)

          • 짧은쪽

        3. 엡코스

          • 긴쪽 40um

          • 짧은쪽

    4. LED, 사파이어 웨이퍼가 아닐 때
      1. 7-segment LED, 오토닉스 TZ4ST 온도조절기에서

        • 다이본딩

        • 다이싱 절단면

        • 다른 쪽, 90도 방향 절단면은 부러뜨렸나?

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