18일, 9시간, 41분 - Togotech

"IDT 커패시터"의 두 판 사이의 차이

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<li>QSC6240, 3G 통신모듈에서
 
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<li> [[튜너블C]]
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<li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰에서
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<li>폴리이미드 층을 불로 태워 제거한 후 다이
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image:iphone5s01_169.jpg | 주기 1.67um 구경 24.7um 39주기
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<li>중요 치수
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image:iphone5s01_170.jpg | 1.98x1.6mm (active area 1130x567um) 0.04pF이 최소라면, 0.04x20줄x14행=11pF
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image:iphone5s01_171.jpg | 추정 동작 원리
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<li> [[RF스위치IC]]
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<li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰에서
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<li>K SA 뒷면에 마킹품, SoI(slicon on Insulator) 제품
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image:iphone5s01_126_016.jpg | M4793
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image:iphone5s01_126_018.jpg | [[FET]] 스위치
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image:iphone5s01_126_019.jpg | [[IDT 커패시터]]
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<li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰, 터치 콘트롤러 IC에서
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<li>Broadcom, Touchscreen Controller
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<li>SAW 필터에서
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<li>[[포켓WiFi]], 2.0x1.6mm 1800MHz용 DPX에서
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<li>내부
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image:mobile_router01_017_002.jpg | Rx 아래 - 밸런스 출력
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<li>Rx 칩
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image:mobile_router01_017_006.jpg | interdigitated C(IDT C)
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<li>1998 Motorola [[StarTAC]] AMPS 휴대폰 보드에서
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image:startac01_010.jpg | Fujitsu Rx 881MHz [[SAW-핸드폰RF]]필터와 병렬로 연결된 [[IDT 커패시터]]
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<li>2012.06 출시 삼성 [[SHV-E210K]] 갤럭시 S3 스마트폰
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image:shv_e210k_085_006.jpg
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image:shv_e210k_085_007.jpg | [[IDT 커패시터]] 패턴
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<li>2020 삼성 갤럭시 A51 [[SM-A516N]] 휴대폰에서
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<li>SAW 다이. [[IDT 커패시터]] 설계 방식이 매우 특이하다.
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image:sm_a516n_063_006_010.jpg | 아래쪽 패턴에는 전극막 한 층이 더 있다.
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image:sm_a516n_063_006_011.jpg | 좁은 틈새가 C를 형성시킨다. 1차: 알루미늄-IDT, 2차: 알루미늄-두꺼운막, 3차: 금 두꺼운막
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<li> [[습도센서]]
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<li>Sensirion SHTC1, Digital Humidity and Temperature Sensor IC, capacitive humidity sensor
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image:humidity_sensor01_001.jpg
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image:humidity_sensor01_002.jpg | CMOSens Technology
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image:humidity_sensor01_003.jpg | [[IDT 커패시터]]
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2024년 11월 3일 (일) 22:40 기준 최신판

IDT 커패시터

  1. 전자부품
    1. RLC
      1. 커패시터
        1. IDT 커패시터 - 이 페이지
    2. 참고
      1. low ESL
      2. IDT 저항
  2. 기술정보, (plannar) InterDigitated electrode Capacitor(IDC) Conventional parallel plate capacitor(평행판 커패시터)
    1. Vacuum permittivity = electric constant = 8.854E-12 [F/m] = 8.854E-14 [F/cm]
    2. 정리
      1. 논문
        1. 논문-1
        2. 논문-2
        3. 논문-3
        4. 논문-4
      2. 설계
        1. EEsof EDA에서 Agilent
      3. low ESL 이 안된다.
        1. 대비되는 평행판 커패시터보다 ESR 및 ESL이 모두 크다.(좋지 않다.)
    3. 이론

      • 계산식

      • h를 무한대로, t는 매우 얇다고 가정함.

    4. 엑셀 계산식
      1. 두 계산식
        1. 전도도 센서를 바탕으로 하는 엑셀 계산식
        2. 정전용량 직접 계산하는
      2. 두 계산식 차이
        1. 어떤 SAW필터용 IDT에서
          • idt c01 004.png
    5. 실제 어떤 PCB에서
      • idt c02 001.png
  3. 시험용 PCB에서
  4. 계측기에서
    1. 3490xA에서
      1. 34901A 20+2 채널 멀티플렉서
        • 34901a 003.jpg
      2. 34905A 듀얼 1x4 50Ω RF 멀티플렉서
        • 34905 004.jpg
        • 34905 005.jpg
        • 34905 006.jpg
      3. 34908A 40채널 멀티플렉서
        • 34908 003.jpg
        • 34908 009.jpg
  5. RF IC에서
    1. 위성방송 수신 셋탑박스 DMT-3700HD, Broadcom BCM4505 에서
    2. QSC6240, 3G 통신모듈에서
      • 3g module01 026 008.jpg
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      • 3g module01 026 013.jpg
      • 3g module01 026 014.jpg
      • 3g module01 026 015.jpg
    3. 튜너블C
      1. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰에서
        1. 폴리이미드 층을 불로 태워 제거한 후 다이
        2. 중요 치수

          • 1.98x1.6mm (active area 1130x567um) 0.04pF이 최소라면, 0.04x20줄x14행=11pF

          • 추정 동작 원리

    4. RF스위치IC
      1. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰에서
        1. K SA 뒷면에 마킹품, SoI(slicon on Insulator) 제품
    5. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰, 터치 콘트롤러 IC에서
      1. Broadcom, Touchscreen Controller
        • iphone5s01 112 003.jpg
        • iphone5s01 112 004.jpg
        • iphone5s01 112 005.jpg
        • iphone5s01 112 006.jpg
  6. SAW 필터에서
    1. 포켓WiFi, 2.0x1.6mm 1800MHz용 DPX에서
      1. 내부

        • Rx 아래 - 밸런스 출력

      2. Rx 칩

        • interdigitated C(IDT C)

    2. 1998 Motorola StarTAC AMPS 휴대폰 보드에서
    3. 2012.06 출시 삼성 SHV-E210K 갤럭시 S3 스마트폰
    4. 2020 삼성 갤럭시 A51 SM-A516N 휴대폰에서
      1. SAW 다이. IDT 커패시터 설계 방식이 매우 특이하다.

        • 아래쪽 패턴에는 전극막 한 층이 더 있다.

        • 좁은 틈새가 C를 형성시킨다. 1차: 알루미늄-IDT, 2차: 알루미늄-두꺼운막, 3차: 금 두꺼운막

      2. 이론
  7. 센서에서
    1. 습도센서
      1. Sensirion SHTC1, Digital Humidity and Temperature Sensor IC, capacitive humidity sensor
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