RF스위치IC

전자부품
1. RF-IC
  1. RF스위치IC - 이 페이지
  2. 참고
    1. ASM
    2. RF스위치
2. 참고
  1. Rx 스위치+SAW 모듈
기술
1. FET 스위치
2. 사용 웨이퍼
  1. SoI
    1. 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Silicon_on_insulator
      1. silicon -insulator-silicon substrate를 사용한다.
    2. SoS, 실리콘 온 사파이어
      1. 위키페이아 https://en.wikipedia.org/wiki/Silicon_on_sapphire
      2. 사파이어 웨이퍼에 실리콘을 약 0.6um hetero-epitaxial로 키워 사용한다.
      3. 페러그린 특허를 바탕으로 이 회사는 스위치 IC를 대량생산하였다.
    3. 현재 핸드폰용 스위치 IC는 SoS가 비싸기 때문에 SoI로 대부분 만든다.
(단품이 아닌) 스위칭 회로 패턴
1. 5,8GHz DSRC용 SONY G1132A FEM - (앰프,스위치,믹서 등이 포함되었을 것으로 추정함.)
  1. RF스위치IC에 적용되는 트랜지스터 회로 - 빗살무늬 전극은 drain 및 source 용 전극이고, 가운데 지나가는 가는 전극은 gate. 두 줄이므로 dual gate 소자.
(RF용도가 아닌) 아날로그 스위치
1. National VP-7722A 오디오분석기
  1. HI1-201-5, Quad SPST CMOS Analog Switches, Harris Semiconductor
    - frit 프리트 실링
    - 다이
핸드폰에서
1. 2007.10 출시 LG-SH170 슬라이드 피처폰
  1. Rx 스위치+SAW 모듈, MA543 Murata
2. 2009.12 출시 삼성 SPH-M8400 옴니아2 스마트폰
  1. FEM, 4.5x3.2mm,
    - 1.4x1.11mm SAW 2개
    - 우측 아래에 Peregrine 글자 및 마크가 뒷면으로 보인다.
    - C9869_2 B02, SoS(실리콘 온 사파이어) 웨이퍼
3. 2010.07 출시 삼성 GT-B7722 피처폰
  1. EPCOS D5027 Rx 스위치+SAW 모듈 FEM
    1. LTCC 기판 위에 듀얼쏘필터2개, L2개, 스위치IC 하나.
      - 2G 밴드 GSM 850 / 900 / 1800 / 1900
    2. 안테나-Tx/Rx(각각 2G GSM 4채널) 그래서 8개 RF ntype-FET 스위치가 존재. 큰패턴이 series, 작은 것이 shunt 스위치.
    3. 패턴 사진
      - 구경 및 피치 측정. 15개 직렬 FET 스위치-내전압, 병렬-이득
4. 2011.02 출시 삼성 와이즈 SHW-A240S 폴더 피처폰
  1. Rx 스위치+SAW 모듈
    - 언더필되어 있는 투명다이는 SoS 웨이퍼로 만든 RF스위치IC이다.
    - 본딩면을 볼 때. 의외로 거울상으로 제조회사 IC 표식을 하고 있음.
5. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰에서
  1. SG마킹: RF스위치IC
    - Infineon Technologies, M4798A1
  2. Murata QE, SAW-모듈, 스위치+SAW 모듈에서
    1. RF스위치IC, SoS, Peregrine C9958_1 802 SP4T
  3. RFMD 1495 - ASM(antenna switch module) FEM에서
    - M1D1495052 RFMD2012
    - Copyright
  4. RF스위치IC 두 개
    1. 전체
      - 오른쪽에 검정다이 두 개
    2. 마킹 A02 RF스위치IC
      - SONY A4403P
    3. 마킹 SKY477 RF스위치IC
      - 더미 필 패턴
      - Skyworks PK5011
  5. 다이버시티 Rx 스위치+SAW 모듈 무라타 제조
    1. 외관
      - 몰딩 후 그라인더로 표면을 평탄화하였다.
    2. 표면부터 긁어 관찰
      - RF스위치IC 3개 다이
      - SAW 6다이(듀얼4, 싱글2) = 총 10밴드
      - RF스위치IC 다이 2개는 투명하다.
    3. RF스위치IC
      1. K SA 뒷면에 마킹품, SoI(slicon on Insulator) 제품
        
        M4793
        
        FET 스위치 패턴
        
        IDT 커패시터
      2. Peregrine C9956_4 B02, SoS(slicon on sapphire) 제품
        
        폴리싱 전
        
        폴리싱 후
        
        측면 사파이어, 레이저 다이싱 두께 약 125um
      3. Peregrine C9957_1 B02, SoS(slicon on sapphire) 제품
        
        폴리싱 전
        
        폴리싱 후
        
        FET 스위치 패턴
        
        IC 표식 Peregrine 송골매
        
        사파이어 두께 약 125um
        
        레이저 다이싱
6. 2015.06 출시 LG-F570S LG Band Play 스마트폰
  1. G93, 2.5x2.5mm LTCC 스위치 모듈
    1. LTCC 기판을 사용한, 동일한 제품 두 개를 사용하고 있다.
    2. RF스위치IC
      - S067U HK9 스위치 IC
      - K9
7. 2016.01 출시 삼성 SM-A710S 갤럭시 A7 LTE 스마트폰
  1. Rx 스위치+SAW 모듈
    - YF19 T01 3P12T 라고 적혀있다.
    - 허용전력은 스위치가 OFF 상태에서 걸리는 Tx 최대 전압 vs breakdown 전압으로 결정되지, ON시 통과하는 전력을 고려하는 것은 아니다.
    - 스위치 회로. 선폭이 FET 갯수를 결정함. 선폭이 좁으면 FET가 많이 설치됨. 저항이 낮아진다. 대신 C값이 커진다.
8. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서
  1. TDD용 PAM과 W-CDMA PAM을 따로 스위칭하기 위해서(?)
    1. 외관
      - 회사 마크가 RFMD
    2. 다이 분석
      - M1D1643A01 RFMD 2013
9. 2019년 03월 출시 Teclast P80X 안드로이드 태블릿
  1. Maxscend, MXD8680, SP8T 안테나 RF스위치IC
10. 2020.05 출시 삼성 갤럭시 A51, SM-A516N 스마트폰
  1. Murata K21 JrCVB
    1. 스위치-1, Peregrine
    2. 스위치-2, Peregrine
    3. 스위치-3, Peregrine
    4. 스위치-4, Peregrine
11. 2021.01 출시 삼성 갤럭시 A12, SM-A125F 스마트폰
  - Maxscend MXD8680 SP8T, Maxscend MXD83E4W RF스위치IC
Alpha(이후 Skyworks)
1. AS006M2-10, GaAs SPDT Switch, DC-6GHz - 2p
  1. 8960, 감쇠기 보드에서
    - 리드를 벗기면
    - 389-2, AC-438속 다이와 같다.
    - 와이어본딩중에서 리본 웨지 본딩(flat ribbon wedge bonding)
2. AC-438 SPDT
  1. Agilent 8960 무선통신 테스트 세트에서
    1. 감쇠기 보드에서
      - 바닥 재료는 PCB와 납땜되는 금속판이다.
      - 비아홀이 없기 때문에 리드 접지를 위해서 와이어본딩 했다.
    2. Demodulation Downconverter 보드에서
      - 389-2
    3. RF 프론트엔드 제어보드에서
Renesas
1. uPG2163T5N, GaAs MMIC SPDT, Dual-Band Wireless LAN
  1. 데이터시트 - 10p
  2. 한국인포콤 RSE200 하이패스 노변장치에서
    1. 3채널 RF 분배기에서
      - 3개 포트 중 가운데 포트가 내장 안테나와 연결된다.
      - G4X uPG2163T5N GaAs MMIC SPDT RF스위치IC
      - Wilkins RF 분배기
  3. 인포콤 LHP-1103 RF하이패스 단말기 , 5.8GHz Tx/Rx용 SPDT 스위치
    - 중심 위: common, 좌우가 sig1,2, 아래 두 개가 각 sig1,2에 대응하는 gnd, 오른쪽 위가 ctrl.
    - 레이저 다이싱
MACOM
1. MACOM SW-338 GaAs SPDT terminated Switch DC-2.5GHz
  1. MA-COM SW-338 규격서
  2. Agilent 8960 무선통신 테스트 세트에서
    - 50오옴 평면 전송라인선폭과 IC간의 선폭 연결방법
  3. HP 4380A 8-Port Test Set
    1. 사진
      - MACOM SW-927
      - MACOM SW-338, SW-927
      - MACOM SW-338 GaAs SPDT terminated Switch DC-2.5GHz
    2. 측정 회로
    3. SW-338 회로도에 근거한, 주파수 특성
      1. 스위치 CTRL-1 ON 일 때a
        
        통과특성(IN->Port A)
        
        반사특성
      2. 스위치 CTRL-2 ON
        
        통과특성(IN->Port B)
        
        반사특성
2. MACOM SW-927(1-out1 2-gnd 3-out2 4-ctrl 5-ctrl 6-in 7,8-gnd)은 SW-338(1-ctrl 2-in 3-ctrl 4-gnd 5-out 6,7-gnd 8-out)과 핀 맵만 다른 듯.
  - MACOM SW-338, SW-927
TV에서
1. 삼성전자 LN32N71BD LCD TV에서
  1. 유지컴 Ugcom Co., Ltd., UMX-NT-059, RF-switch (좌측 두 개의 입력에서 하나를 선택하여 오른쪽 내부 튜너로 보낸다.)
    - peregrine PE4280, 75ohm SPDT, 5MHz~2.2GHz
HP, Agilent, Keysight 계측기용 모듈에서
1. TC727
  1. HP 5086-7539 SPDT RF 스위치
    - HP TC727 FET RF스위치IC
2. TC732 8GHz SPDT (사용안하면 Terminated) -1.1dB
  1. Agilent N4431B 4port E-Cal
3. TC735
  1. 8960, Measurement Downconverter(MDC)에서
    - Agilent 1GM14214
    - HP TC739, HP TC736, HP TC735
4. TC736
  1. 8960, Measurement Downconverter(MDC)에서
    - Agilent 1GM14214
    - HP TC739, HP TC736, HP TC735
5. TC739
  1. 8960, Measurement Downconverter(MDC)에서
    - Agilent 1GM14214
    - HP TC739, HP TC736, HP TC735
6. TC742
  1. Agilent 85093 2port E-Cal
    - 추정 회로도
    - SPDT 스위치, TC742, 97년 6월 hp
  2. Agilent U9397A SPDT RF 스위치, 3개 포트에 각각 사용
    - TC742, 로트번호 HFAD, JUN 97, Agilent M C Copyright
  3. HP 5087-7067 SPDT RF 스위치에서, 50오옴으로 연결되지 않는 고장
    - 아래 왼쪽이 50오옴과 연결되는 포트이다.
    - thru되는 쪽 패턴에 정전기 파괴 흔적이 관찰된다.(항상 ON되는 듯)
7. TC752(1GG7-8157) - DC-20GHz, -1.4dB, SPDT GaAs MMIC, non-terminated
  1. Agilent N4431B 4port E-Cal