1년, 32일, 3시간, 30분 - Togotech

"다이싱"의 두 판 사이의 차이
5번째 줄: 5번째 줄:
 
<li> [[전자부품]]
 
<li> [[전자부품]]
 
<ol>
 
<ol>
−
<li> [[스크라이버]]  
+
<li> [[스크라이버]] - 이 페이지
 
<li> [[가공]]
 
<li> [[가공]]
 
</ol>
 
</ol>
84번째 줄: 84번째 줄:
 
<li>개질층이 웨이퍼 두께에 따라 1~5회 형성해야 하므로, 촛점 깊이를 정확히 맞출 수 있어야 한다.
 
<li>개질층이 웨이퍼 두께에 따라 1~5회 형성해야 하므로, 촛점 깊이를 정확히 맞출 수 있어야 한다.
 
<li>웨이퍼 표면 높이를 레이저 센서로 미리 측정하여 촛점을 맞춘다.
 
<li>웨이퍼 표면 높이를 레이저 센서로 미리 측정하여 촛점을 맞춘다.
−
<li>
+
<li>레이저가 나오는 렌즈는 NA값이 큰 대구경을 사용하여 촛점 깊이;DOF를 낮게 형성시킨다.
 +
<li>빈공간이 작아야 정교하게 개질층이 형성된다. 생산성 때문에 펄스 주파수(Q-rate)가 높아야 한다.
 +
<li>레이저 빔 직경이 기존대비 1/10이면 Q-Rate는 x10 이어야 절삭속도가 동일해진다.
 +
</ol>
 +
<li>CIS #2 - 레이저
 +
<gallery>
 +
image:cis02_006_004.jpg | 센서 경계선
 +
image:cis02_006_008.jpg | 센서 칩 두께 250um, 레이저 다이싱
 +
</gallery>
 +
<li>MEMS 마이크 - 1
 +
<gallery>
 +
image:knowles01_003.jpg
 +
image:knowles01_004.jpg
 +
image:knowles01_007.jpg | 레이저 다이싱 5회
 +
</gallery>
 +
<li>MEMS 마이크 - 2, 인기 레이저 다이싱 장비를 조사하니, 실리콘에 흡수율이 좋은 IR 파장에 전력은 10W.
 +
<gallery>
 +
image:mems_mic01_008.jpg | 측면 다이싱 관찰
 +
image:mems_mic01_010.jpg | 레이저 4회
 +
image:mems_mic01_011.jpg
 +
image:mems_mic01_012.jpg
 +
image:mems_mic01_013.jpg | 천공 간격 약 3um, Q-rate 100kHz 레이저를 사용했다면 300mm/sec 전진 속도. 4회 반복하므로 약 70mm/sec 절삭속도가 나올 것으로 예상.
 +
</gallery>
 +
<li>인포콤 RF하이패스, 스위치
 +
<gallery>
 +
image:hipass_rf02_051.jpg | 중심 위: common, 좌우가 sig1,2, 아래 두 개가 각 sig1,2에 대응하는 gnd, 오른쪽 위가 ctrl.
 +
image:hipass_rf02_052.jpg | 레이저 다이싱
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>회전 블레이드
 +
<ol>
 +
<li>CIS #1 - 회전 다이아몬드 휠로 절단
 +
<gallery>
 +
image:cis03_018.jpg
 +
image:cis03_016.jpg | 칩 두께 0.34mm, 두 칩 간격  20um
 +
image:cis03_017.jpg | 블레이드 다이싱, 수평간격이 0.1mm이므로 30krpm이면 50mm/sec 절단속도
 +
</gallery>
 +
<li>만도 RF하이패스, 로스윈 PLL 모듈에 있는 TCXO용 IC
 +
<gallery>
 +
image:hipass_rf01_087_007.jpg
 +
image:hipass_rf01_087_008.jpg | 위에서 두께의 45% 천천히 자르고, 20% 깊숙히 빠르게 자르고, 뒤집어 나머지 자른듯(?)
 +
image:hipass_rf01_087_009.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>인포콤 RF하이패스, PAM용 TR 두 개
 +
<ol>
 +
<li>first stage amp.
 +
<gallery>
 +
image:hipass_rf02_043.jpg
 +
image:hipass_rf02_045.jpg | 다이싱 때, 90도 돌려 두번째 채널 자를 때 칩이 테이프에서 뜨면서 기울어져 발생한 무늬
 +
</gallery>
 +
<li>second stage amp.
 +
<gallery>
 +
image:hipass_rf02_046.jpg | 2-stage 앰프에서 뒤쪽에 있는, 더 큰 출력이 필요한 Tr
 +
image:hipass_rf02_047.jpg | 다이싱 때 1ch 컷
 +
image:hipass_rf02_048.jpg | 다이싱 때 90도 돌려 자른 ch2 컷
 +
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 +
<li>쏘필터용 웨이퍼
 +
<ol>
 +
<li>무라타, 1.4x1.1mm
 +
<gallery>
 +
image:saw1411_01_001.jpg
 +
image:saw1411_01_002.jpg | 줄무늬 수평 간격이 절단 속도에 비례한다.
 +
image:saw1411_01_003.jpg | 두께 5% 매우 빠르게, 두께 60% 천전히, 그리고 뒤집어서 다시. 총 4번 다이싱
 +
image:saw1411_01_004.jpg | 4번 다이싱 때문에, 뒷면 칩핑이 매우 적음
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>절삭속도 추정
 +
<ol>
 +
<li>K3953D에서, 30krpm이라면, 60um 수평간격이면 절삭속도는 30mm/sec.
 +
<gallery>
 +
image:saw_if_tv_sipd03_012.jpg | 표면에서 각도는 블레이드 직경을 알 수 있다.
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>뒷면 그루빙(도랑 파기)
 +
<ol>
 +
<li>K3953D에서 - 다이싱(칩두께 500um) 및 뒷면 그루빙(간격 330um, 깊이 110um, 폭 55um)
 +
<gallery>
 +
image:saw_if_tv_sipd03_002.jpg | 가장자리 칩핑이 많다.
 +
image:saw_if_tv_sipd03_004.jpg | 두번 다이싱
 +
image:saw_if_tv_sipd03_005.jpg
 +
image:saw_if_tv_sipd03_009.jpg | 항상 원형으로 깍인다.
 +
</gallery>
 +
<li>벌크파동을 제거하기 위한, 뒷면 grooving 및 Ag 에폭시 다이 접착제
 +
<gallery>
 +
image:saw_if_tv_sipm01_005.jpg
 +
image:saw_tech01_001.jpg | [[SAW기술]]에서
 +
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>

2019년 11월 15일 (금) 10:35 판

다이싱 dicing

  1. 링크
    1. 전자부품
      1. 스크라이버 - 이 페이지
      2. 가공
  2. 다이싱 모양
    1. 삼각형
    2. 평행사변형을 자른 삼각형
      1. MSC가 있는, high out-of-band rejection in surface acoustic wave (SAW) filters,
        • saw if etc01 001.jpg
    3. 매우 긴 직각사각형 - 그냥 직사각형, 정사각형은 가장 널리 사용되므로 첨부 생략
      1. CIS - 스캐너용 contact image sensor

        • X축 IC 18.2x1.35x0.64mm, Y축 IC 11.2x1.35x0.64mm

      2. DDI - 능동LCD용 Display Driver

        • 이런 센서(합성 때 약간 문제로 줄어듬) 15개를 사용한다.

    4. 평행사변형
      1. TV용 IF SAW필터

        • 112LT Sanyo 마킹

    5. 육각형
      1. LED칩
        • led module01 006.jpg

        • 한변 길이가 1.2mm

  3. 금속 다이싱
    1. 얇은 구리판(PCB용 도금 동박 등)
      1. 도금 CSP 쏘필터
        • csp plating01 011.jpg
        • csp plating01 012.jpg

        • 다이싱 2nd 채널에서, 구리는 burr가 쉽게 발생됨.

    2. 리드프레임
  4. 스크라이빙 후 부러뜨림
    1. 쏘필터, 매우 긴 칩 - 러시아?
      • saw if etc04 001.jpg

      • 패키지 길이 21.4mm

      • 스크라이빙 후 부러뜨렸다.

  5. 반도체 다이싱
    1. 실리콘 웨이퍼
      1. 레이저
        1. 레이저 촛점을 이룬 공간에 웨이퍼 재료가 깨져 개질층(빈공간) 형성해야 한다.
          1. 레이저 촛점은 레이저 진행 방향에 따라 원형, 진행방향 타원, 진행에 수직방향 타원 등을 만들 수 있다.
          2. 개질층이 웨이퍼 두께에 따라 1~5회 형성해야 하므로, 촛점 깊이를 정확히 맞출 수 있어야 한다.
          3. 웨이퍼 표면 높이를 레이저 센서로 미리 측정하여 촛점을 맞춘다.
          4. 레이저가 나오는 렌즈는 NA값이 큰 대구경을 사용하여 촛점 깊이;DOF를 낮게 형성시킨다.
          5. 빈공간이 작아야 정교하게 개질층이 형성된다. 생산성 때문에 펄스 주파수(Q-rate)가 높아야 한다.
          6. 레이저 빔 직경이 기존대비 1/10이면 Q-Rate는 x10 이어야 절삭속도가 동일해진다.
        2. CIS #2 - 레이저

          • 센서 경계선

          • 센서 칩 두께 250um, 레이저 다이싱

        3. MEMS 마이크 - 1
          • knowles01 003.jpg
          • knowles01 004.jpg

          • 레이저 다이싱 5회

        4. MEMS 마이크 - 2, 인기 레이저 다이싱 장비를 조사하니, 실리콘에 흡수율이 좋은 IR 파장에 전력은 10W.

          • 측면 다이싱 관찰

          • 레이저 4회

          • mems mic01 011.jpg
          • mems mic01 012.jpg

          • 천공 간격 약 3um, Q-rate 100kHz 레이저를 사용했다면 300mm/sec 전진 속도. 4회 반복하므로 약 70mm/sec 절삭속도가 나올 것으로 예상.

        5. 인포콤 RF하이패스, 스위치

          • 중심 위: common, 좌우가 sig1,2, 아래 두 개가 각 sig1,2에 대응하는 gnd, 오른쪽 위가 ctrl.

          • 레이저 다이싱

      2. 회전 블레이드
        1. CIS #1 - 회전 다이아몬드 휠로 절단
          • cis03 018.jpg

          • 칩 두께 0.34mm, 두 칩 간격 20um

          • 블레이드 다이싱, 수평간격이 0.1mm이므로 30krpm이면 50mm/sec 절단속도

        2. 만도 RF하이패스, 로스윈 PLL 모듈에 있는 TCXO용 IC
          • hipass rf01 087 007.jpg

          • 위에서 두께의 45% 천천히 자르고, 20% 깊숙히 빠르게 자르고, 뒤집어 나머지 자른듯(?)

          • hipass rf01 087 009.jpg
        3. 인포콤 RF하이패스, PAM용 TR 두 개
          1. first stage amp.
            • hipass rf02 043.jpg

            • 다이싱 때, 90도 돌려 두번째 채널 자를 때 칩이 테이프에서 뜨면서 기울어져 발생한 무늬

          2. second stage amp.

            • 2-stage 앰프에서 뒤쪽에 있는, 더 큰 출력이 필요한 Tr

            • 다이싱 때 1ch 컷

            • 다이싱 때 90도 돌려 자른 ch2 컷

    2. 쏘필터용 웨이퍼
      1. 무라타, 1.4x1.1mm
        • saw1411 01 001.jpg

        • 줄무늬 수평 간격이 절단 속도에 비례한다.

        • 두께 5% 매우 빠르게, 두께 60% 천전히, 그리고 뒤집어서 다시. 총 4번 다이싱

        • 4번 다이싱 때문에, 뒷면 칩핑이 매우 적음

  6. 절삭속도 추정
    1. K3953D에서, 30krpm이라면, 60um 수평간격이면 절삭속도는 30mm/sec.

      • 표면에서 각도는 블레이드 직경을 알 수 있다.

  7. 뒷면 그루빙(도랑 파기)
    1. K3953D에서 - 다이싱(칩두께 500um) 및 뒷면 그루빙(간격 330um, 깊이 110um, 폭 55um)

      • 가장자리 칩핑이 많다.

      • 두번 다이싱

      • saw if tv sipd03 005.jpg

      • 항상 원형으로 깍인다.

    2. 벌크파동을 제거하기 위한, 뒷면 grooving 및 Ag 에폭시 다이 접착제
원본 주소 "http://www.togotech.co.kr/index.php?title=다이싱&oldid=26196"