"전류검출용R"의 두 판 사이의 차이

2019년 12월 14일 (토) 23:41 판

전류검출용 저저항

기술자료
1. 상식
  1. 높은 전류 때문에 상승하는 온도를 낮추기 위해 저항이 낮아야한다.
  2. 온도를 낮추기 위해 방열이 잘되어야 한다.
  3. 상승하는 온도 영향을 적게 받기 위해 저항온도계수가 낮아야 한다.
2. manganin 저항
  1. 아래 사진은 전류검출용이 아닌, 표준저항에 사용되는 bifilar 저항이다.(Non-Inductive Wire wound Resistor)
    - 구리선에 비해 약 25배 저항이 높다.
칩 저항
1. 전류 위상 검출용
  1. E5060A B-H/Z ANALYZER에서 test head
    - 40개 10오옴 = 0.25오옴
2. KOA - NPR 시리즈, teal(청녹색) 마킹
  1. - 2p,
  2. Hitachi DMS-7A 압력계에서
    - 배터리 충방전 회로에서
3. , Copper-nickel 합금 또는 Fe-Cr 합금 재료라고 함.
  1. LS 산전 인버터에서
    1. LS산전, SV022iG5A-4
    2. LS산전, SV008iC5-2, in 200-230V 6.6A 3상 50/60Hz, out 0~input 5A 3상, 0.01~400Hz, 1HP 0.75kW(D), 16/02/14 사진
  2. 측정, HP 34970A DMM 100.0000오옴이 최소저항 측정범위이므로, 0.010 저저항 측정에 문제가 된듯???????
    1. 실험 사진
      - 전체 사진
    2. 온도특성 측정 엑셀
      - 예상치 못한 이상한 특성이 나옴.
4. 배터리 팩에서
  1. Metal strip 저항체 구조, IBM ThinkPad용 배터리 팩에서
    1. 08K8198, 10.8V 6.6AH
      1. 17/07/18 +100ppm/'C 라면 80Ni,20Cr으로 추측
        
        DMM 측정
        
        샘플이 오븐벽에 닿아서
        
        열처리전
        
        열처리후
      2. 사진
        
        0.010 나온다.
        
        트리밍
    2. 08K8193, 10.8V 4.4AH (표준)
      - 전류 측정 저항
  2. Metal strip 저항체 구조, Fusitsu 노트북 E8410 배터리 팩에서, product no:FPCBP176 14.4V 5200mAh(74Wh) P/N CP335284-01
    - 5mohm
    - 와이어커팅
    - 프레싱
  3. 아무런 트리밍을 하지 않는 것처럼 보임 - 프레스금형으로 저항값을 맞추고, 일부표면,측면에서 미세하게 트리밍할 것으로 추측
    1. Lenovo ideapad 700-15isk 노트북, 산요 배터리팩에서
      - 페인트를 벗기면
      - 아래, 전극사이 연녹회색 절연체도 페인트
      - 측면 표면만 살짝 갈아내어
      - 9.7m오옴
      - 어떻게 트리밍할까? 트리밍한 흔적이 없다.
      - 질산에 넣은 후, 갈아내지 않는 측면 - 프레스로 자른 흔적
5. 노트북에서 Fujitsu E8410 본체에서(2007년산 추측)
  1. IC 2개에서 사용, 배터리 충전기, 전력 제어기
    - Maxim 1533AE(5출력 파워 제어기) 8724(배터리 충전기)
  2. 10m오옴
  3. 27m오옴
  4. 5m오옴 - ODD 옆에서
  5. 1m오옴
6. 노트북 (2003년 제작)LG IBM ThinkPad T40, Type 2373
  1. 2.0x1.6mm
    1. DC 전압에서. ADP3806 - Analog Devices, High Frequency Switch Mode Li-Ion Battery Charger
      - 12.0mohm = 32.4//32.4//46.4mohm (1% 편차에 있는 값임. 120는 118 121 사이에 있음) 아마 33/33/33일것임
      - 2,3번핀이 시스템DC용 10mohm 전류 센싱, 17,18은 배터리용 40mohm 전류센싱
    2. 전류검출용 저항 3개병렬은 두 군데 더 있음.
      - 33//33//33mohm 뜯어서 측정하면
      - 12.0mohm
      - 33//33//33mohm 뜯어서 측정하면
      - 11.0mohm
      - 상하 대칭 - 패턴이 동일하게 형성
    3. 타 세트에서
      1. 삼성 3.5" HDD, SP0802N, 80GB
        
        V-I 커브 측정 데이터 - 6612 파워서플라이와 DMM 전압계로 측정
        
        1. 전류가 충분해야 전압이 잘 측정된다. 2. 전류가 너무 많이 흐르면 발열되어 저항값이 증가한다.
        
        사진
        
        60m오옴
        
        앞 뒷면 모두 패턴이 형성되어 있음.
  2. 칩저항기 4개를 사용함. 220/220/220/220 = 55m(측정하니)
  3. CPU 전원 콘트롤러, ADP3205 Multiphase Power Core Controller
    - R467: 2.01m R114: 2.00m
    - 트리밍을 잡아당겨서 하나?
7. 노트북 Compaq nx6320에서 - 이 저항 하나만 쉽게 보임.
  - bq24703, battery charge controller and selector
8. Lenovo ideapad 700-15isk 노트북에서 - 이 저항 하나만 쉽게 보임.
  - 0.010오옴, 폭이 매우 긴
9. omniBER 계측기에서, Metal strip 저항체 구조, 페인트 코팅
  1. 저항 0.16오옴
  2. 저항 0.012오옴
10. HDD - spindle motor and VCM(voice coil motor) controller에서
  1. 삼성 3.5", SP0802N, 80GB. 왼쪽은 수지보호막, 오른쪽은 유리보호막
    - 전류 감지를 위한 3병렬 칩저항 3.2x1.6mm 1.0오옴, 2.0저항(모터용, 액츄에이터용)
  2. Seagate, ST31000528AS, Barracuda 7200.12, 1TB
    1. 사진
      - 저저항 측정
    2. 1오옴 5개 병렬인 0.2오옴을, 6612C로 전류인가, DMM 두 대로 전류,전압측정
      - 2A까지 상승 실험 시간
      - 가한 전류에서 측정된 전압(burden voltage)
      - 전류에 따른 저항
      - 전류에 따른 저항값 확대 (1A에서 불균일은 계측기 range 변경 때문??)
      - 발열전력에 따른 저항값 상승
  3. Western Digital Caviar SE, WD2500JS, 250GB, SATA2, 모두 3.2x1.6mm (일반 저항값은 1/4W, 저저항은?)
    - ST SMOOTH L6283
    - R270 = 0.270 0.96A
    - 1R00 = 1.00 0.5A
    - R120 = 0.120 1.4A
    - R050 = 0.050 2.2A
와이어 저항
1. Moritex UV light source, MUV-250U-L에서 SMPS
  1. 사진
  2. 온도 특성 측정 데이터 2016/11/23
    1. 실험 방법
      - 주석도금구리선과 비교
    2. 이 재료는 구리선에 비해 매우 높은 전류 잡음을 일으킴 -> 정밀 전류 측정회로에서 이를 고려해야 함.
      - 주인공 저항은 측정온도범위에서 0.6% 변화
      - 비교 구리선은 80% 변화함. 구리선을 전류감지 저항으로 사용하지 못하는 이유.
2. 라이카 현미경, 수은등 전원공급장치에서
3. 아날로그 전류계
  1. 패널 미터
    - 27m오옴 ??선이 있다.
4. TaeKwang TK-360A, 김명기 고등학교 때 구입한 듯
5. Handheld DMM, 2~5호기(4대 구입) Pro'sKit MT-1233D 13,000원, 집에서 한 대 사용
6. Yokogawa 2534 Digital Power Meter, 전류 위상 검출용 20W 고장나서, 임시 제작함
7. HP3458A DMM에서, 전류 검출용 저저항(0.1 OHM SHUNT +-10% TC+-5PPM)
8. Wirewound Resistors
  1. 6613C - 50V 1A 파워서플라이에서, SPU-series, 53은 5W, 1%, Wirewound Resistors, Molded Style, Current Shunts, Four Terminal
리본 타입
1. 6035A 파워서플라이, 500V 5A 1000W
  - Main Board(A1)에서, R11 current sensing resistor, 0.013ohm
2. 6651A 8V 50A 파워서플라이에서
  - R657 current sensing 0.0027ohm
리드 타입
1. Keithley 2612B에서 0.1 오옴 1%
  1. 사진
    - VFR VCS302T 0.1000 오옴 1%
  2. 약 20분동안 계속 측정한 데이터 17/10/28
    - 주변온도 변화 + 계측기 측정 변화 때문에, 의미없는 그래프
2. Yokogawa 2534 Digital Power Meter, 전류 위상 검출용 20W
  1. 오픈된(48pF, ~800k오옴DC), 전류감지 션트 저항(10m오옴)
    - PC type, W TCR(+-15ppm), D tolerance(+-0.5%) 2019/03 가격 10만원
  2. 고장난, 전류감지 저항 분해
    - 레이저 트리밍 자국에 검정 페인트가 들어감
  3. 더 분해
    - 포일 저항체 패턴을 풀로 붙였음.
    - 알루미나기판, 일정한 두께로 실리콘접착제
3. Kikusui PCR-500M
  - 전류검출용
4. 코닉스 KR-100N 펜 레코더에서 250오옴 0.05% 25ppm TCR, 100mA용(=2.5W)
  - 249.96 / 249.98 / 250.06 / 250.08
5. Dale, LVR-5 시리즈, Metal strip 저항체 구조
  1. LVR시리즈 데이터 시트 - 3p
  2. 8960 통신분석기, SMPS에서,0.07오옴, 1%, 5W
장치
1. Yokogawa 2811
  1. 외관
  2. 내부
  3. 주요 사진

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 </gallery>
 </ol>
-<li>측정
+<li>측정, HP 34970A DMM 100.0000오옴이 최소저항 측정범위이므로, 0.010 저저항 측정에 문제가 된듯???????
+<ol>
+<li>실험 사진
 <gallery>
 image:temp_coeffi01_001.jpg | 전체 사진
 image:temp_coeffi01_007.jpg
+</gallery>
+<li>온도특성 측정 엑셀
+<gallery>
+image:temp_coeffi01_007_001.png
+image:temp_coeffi01_007_002.png | 예상치 못한 이상한 특성이 나옴.
 </gallery>
+</ol>
 </ol>
 <li>배터리 팩에서
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 image:r_ultralow04_003.jpg | 프레싱
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-<li>아무런 트리밍을 하지 않는 것처럼 보임
+<li>아무런 트리밍을 하지 않는 것처럼 보임 - 프레스금형으로 저항값을 맞추고, 일부표면,측면에서 미세하게 트리밍할 것으로 추측
 <ol>
 <li>[[Lenovo ideapad 700-15isk]] 노트북, 산요 배터리팩에서
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 <li>삼성 3.5" HDD,  SP0802N, 80GB
 <ol>
-<li>V-I 커브 측정 데이터
+<li>V-I 커브 측정 데이터 - 6612 파워서플라이와 DMM 전압계로 측정
-<ol>2A에서 끊어지지 않는다. 실험 실패
+<gallery>
-</ol>
+image:r_ultralow11_001.png
+image:r_ultralow11_002.png | 1. 전류가 충분해야 전압이 잘 측정된다. 2. 전류가 너무 많이 흐르면 발열되어 저항값이 증가한다.
+</gallery>
 <li>사진
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 </ol>
-<li>노트북 Compaq nx6320에서 - 이 저항 하나만 쉽게 보임.
+<li>노트북 [[Compaq nx6320]]에서 - 이 저항 하나만 쉽게 보임.
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 image:compaq_nx6320_080.jpg | bq24703, battery charge controller and selector
+</gallery>
+<li>[[Lenovo ideapad 700-15isk]] 노트북에서 - 이 저항 하나만 쉽게 보임.
+<gallery>
+image:lenovo_ideapad_086.jpg | 0.010오옴, 폭이 매우 긴
 </gallery>
 <li>omniBER 계측기에서, Metal strip 저항체 구조, 페인트 코팅
@@ 210번째 줄: / 224번째 줄: @@
 <li>Seagate, ST31000528AS, Barracuda 7200.12, 1TB
 <ol>
-<li>
 <li>사진
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@@ 216번째 줄: / 229번째 줄: @@
 image:hdd3p5_03_008.jpg
 image:hdd3p5_03_009.jpg | 저저항 측정
+</gallery>
+<li>1오옴 5개 병렬인 0.2오옴을, 6612C로 전류인가, DMM 두 대로 전류,전압측정
+<gallery>
+image:r_ultralow12_001.png | 2A까지 상승 실험 시간
+image:r_ultralow12_002.png | 가한 전류에서 측정된 전압(burden voltage)
+image:r_ultralow12_003.png | 전류에 따른 저항
+image:r_ultralow12_004.png | 전류에 따른 저항값 확대 (1A에서 불균일은 계측기 range 변경 때문??)
+image:r_ultralow12_005.png | 발열전력에 따른 저항값 상승
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 </ol>
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 <li>Moritex UV light source, MUV-250U-L에서 SMPS
 <ol>
-<li>16/11/23 ,
+<li>사진
+<gallery>
+image:power_supply_uv_001.jpg
+image:r_ultralow01_001.jpg
+image:r_ultralow01_002.jpg
+</gallery>
+<li>온도 특성 측정 데이터 2016/11/23
+<ol>
+<li>실험 방법
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 image:r_ultralow01_003.jpg
 image:r_ultralow01_004.jpg | 주석도금구리선과 비교
-image:r_ultralow01_005.png | 샘플 0.6%
-image:r_ultralow01_006.png | 구리선 80%
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-<li>사진
+<li>이 재료는 구리선에 비해 매우 높은 전류 잡음을 일으킴 -> 정밀 전류 측정회로에서 이를 고려해야 함.
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-image:power_supply_uv_001.jpg
+image:r_ultralow01_005.png | 주인공 저항은 측정온도범위에서 0.6% 변화
-image:r_ultralow01_001.jpg
+image:r_ultralow01_006.png | 비교 구리선은 80% 변화함. 구리선을 전류감지 저항으로 사용하지 못하는 이유.
-image:r_ultralow01_002.jpg
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+</ol>
 </ol>
 <li>라이카 현미경, 수은등 전원공급장치에서
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 <li>리드 타입
 <ol>
-<li>Keithley 2612B에서
+<li>Keithley 2612B에서 0.1 오옴 1%
 <ol>
-<li>17/10/28
+<li>사진
-<li>0.1 오옴 1%
+<gallery>
+image:2612b2main_010.jpg | VFR VCS302T 0.1000 오옴 1%
+</gallery>
+<li>약 20분동안 계속 측정한 데이터 17/10/28
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-image:2612b2main_010.jpg
+image:r_ultralow13_001.png | 주변온도 변화 + 계측기 측정 변화 때문에, 의미없는 그래프
 </gallery>
 </ol>