"SMR"의 두 판 사이의 차이

2020년 8월 17일 (월) 18:17 판

SMR

링크
1. 전자부품
  1. SAW대문
    1. FBAR
    2. SMR - 이 페이지
기술
필터
1. Xiaomi Redmi Note 4X 휴대폰에서
  1. 1.5x1.3mm 크기
    1. Triquint SMR-baw 필터, 80C 마킹, LTE Band 40(2350MHz, TDD)용이다. TDD이므로 Rx/Tx 신호가 시간차이를 두고 지나간다.
    2. 83C 227 마킹, Triquint WiFi/BT용 SMR-[BAW]] 필터. 1.5x1.3mm 실측크기
      1. Mediatek MT6631N, WiFi abgn+ac, BT4.1, GPS, FM 칩에서
        
        Murata, GPS Rx saw filter, 1.1x0.9mm
      2. 주파수 특성
      3. 패키징
        
        Au stud 초음파 플립 본딩
        
        실리콘 결정은 특별한 벽개면이 존재한다.
      4. 칩
        
        TQS 2013 EG9489 D6A
2. Apple iPhone 5S에서
  1. TDD용, Triquint 듀얼 SMR 필터(Tx, Rx 신호가 시간적으로 스위칭되어 흐른다.) ????
    1. 외관, 1.8x1.4mm dual filter
      - 다이싱이 내부전극 패턴이 있는 곳을 자른다.
    2. 분해
      - 이젝트 핀 자국
      - 플립본딩
    3. 다이1
      - X27
    4. 다이2
      - EG9442 X10 Y27 프루빙을 위한 별도의 패드
      - TQS 2013
      - 프루빙 바늘이 긁은 흔적
  2. SMR 필터
    - 실리콘 웨이퍼 뒷면
    - EG9480 D4, TQS 2013, X02 Y26
    - E???85 RX_D3, TQS 2013, X03 Y21 - 위치별 좌표 표시
듀플렉서
1. Xiaomi Redmi Note 4X 휴대폰에서
  1. 듀플렉서 7개(=무라타1, 트라이퀸트1, Taiyo Yuden 5개)
    1. 전체
      - 701/F01, 7B1/Fb3, 1003/VK5Q, 7A4/F3j, CG/3J, 7G6/Ek9, 7E4/Dq8
      - 노랑점선 내부가 Tx,Rx 매칭(안테나 포트 매칭은 뒷면에 있다.)
  2. Qorvo TQQ1003(?) 1747.5/1842.5MHz LTE Band3 WLP BAW Duplexer
    1. 외관
    2. 유기물 PCB
      - PCB 내부에 L을 많이 넣었다. 그래야 2GHz Duplexer가 된다.
      - WLP에 구리 기둥이 있다. EMC 수지 색상이 지금까지 분석했던 것과 다르다.
      - PCB 내부에 C도 넣었다. 내부에 L과 C가 많아 비아홀도 많다.
    3. 다이 분리
    4. 두 다이
    5. 빈공간을 유지하는, 벽과 지붕
      - 참조: https://en.wikipedia.org/wiki/SU-8_photoresist
    6. 본딩 패드와 검사용 패드
      - 인접한 다이와 연결된 패턴이 있다.
      - 용도가 다른 패드. 사각형 바늘
    7. 다이
      - 왼쪽 Rx 다이, 오른쪽 Tx 다이(주파수가 낮다.)
      - Rx 다이 (11개 공진기에 색상은 5가지)
      - Tx 다이
    8. 상부전극과 하부전극을 연결하는 비아(via)
      - 화살표 영역은 상부전극과 하부전극 연결하는 via이다. 파랑화살표 톱니모양 via는 에폭시 PR 접착력을 향상시켜 미끄러지 않게 하였다.
      - 오목한 영역에 에폭시 PR이 남아 있는 것으로 보아, 접착력도 향상시킨다.
    9. 공진기 단면 구조 추측
      - Si-유전체-금속-압전체-금속-유전체 구조
2. Apple iPhone 5S에서
  1. TriQuint TQM6M6224, Dual PAMiD
    1. 사진
      - 질산에 녹아 없어졌기 때문에 GaAs 칩이다.
    2. 유리 지붕
      - 투명 유리 중앙에 다이본딩 이젝트 바늘에 묻은 접착제 성분이 보인다.
    3. 와이어본딩 타입 SMR 필터, 2밴드용 듀플렉서를 위해 칩을 4개 사용
      - 투명 유리 지붕을 찾지 못하고 망실
      - 벽
      - 와이어본딩 높이를 낮추기 위한
      - 마스크 자표 X21 Y26

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+<li> Apple [[iPhone 5S]]에서
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+<li>TDD용, Triquint 듀얼 [[SMR]] 필터(Tx, Rx 신호가 시간적으로 스위칭되어 흐른다.) ????
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+<li>외관, 1.8x1.4mm dual filter
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+image:iphone5s01_100.jpg
+image:iphone5s01_101.jpg
+image:iphone5s01_102.jpg | 다이싱이 내부전극 패턴이 있는 곳을 자른다.
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+<li>분해
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+image:iphone5s01_103.jpg | 이젝트 핀 자국
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+image:iphone5s01_105.jpg | 플립본딩
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+<li>다이1
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+image:iphone5s01_106.jpg | X27
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+<li>다이2
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+image:iphone5s01_107.jpg | EG9442 X10 Y27 프루빙을 위한 별도의 패드
+image:iphone5s01_108.jpg | TQS 2013
+image:iphone5s01_109.jpg | 프루빙 바늘이 긁은 흔적
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+<li>[[SMR]] 필터
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+image:iphone5s01_126.jpg
+image:iphone5s01_126_032.jpg
+image:iphone5s01_126_033.jpg | 실리콘 웨이퍼 뒷면
+image:iphone5s01_126_034.jpg | EG9480 D4, TQS 2013, X02 Y26
+image:iphone5s01_126_035.jpg | E???85 RX_D3, TQS 2013, X03 Y21 - 위치별 좌표 표시
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 image:redmi_note4x_128_016.jpg | Si-유전체-금속-압전체-금속-유전체 구조
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+<li> Apple [[iPhone 5S]]에서
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+<li>TriQuint TQM6M6224, Dual [[PAMiD]]
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+<li>사진
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+image:iphone5s01_136_006_002.jpg | 질산에 녹아 없어졌기 때문에 GaAs 칩이다.
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+<li>유리 지붕
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+image:iphone5s01_136_006_003.jpg | 투명 유리 중앙에 다이본딩 이젝트 바늘에 묻은 접착제 성분이 보인다.
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+<li>와이어본딩 타입 [[SMR]] 필터, 2밴드용 듀플렉서를 위해 칩을 4개 사용
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+image:iphone5s01_136_006_004.jpg | 투명 유리 지붕을 찾지 못하고 망실
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+image:iphone5s01_136_006_007.jpg | 마스크 자표 X21 Y26
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