"포토마스크"의 두 판 사이의 차이

2023년 12월 25일 (월) 16:15 판

포토마스크

전자부품
1. 광관련
  1. 포토마스크 - 이 페이지
    1. 구성요소
      1. 펠리클
    2. 설계기술
2. 참조
광원 파장
1. g-line; 수은등에서 방출되는 435nm, 1960년대 사용
2. i-line; 수은등에서 방출되는 365nm
3. KrF; KrF 엑시머레이저에서 나오는 248nm
4. ArF; ArF 레이저에서 나오는 deep UV라고 부르는 193nm(6.4eV)
5. EUV; extreme ultraviolet 124nm~10nm (에너지는 10eV~124eV)
  1. 반도체 노광기에서는 13.5nm(~92eV)를 사용한다.
  2. 투과마스크가 아닌 반사 포토마스크(Mo과 Si 레이어들을 약 40회 교대로 적층하여 브래그 회절을 이용)를 사용한다.
  3. 광원은 CO2레이저+Sn플라즈마
거울로 응용
1. 색도계에서
  - 거울면적만큼만 빛을 반사한다. VERSION 1 1.23.1985
  - 22% 빛을 반사한다. 78% 광량은 통과한다.
  - 거울 크기 0.51x0.51mm
설계시 고려사항
1. 폐곡선 정의가 안되는 CAD를 사용하는 듯
  1. SAW-핸드폰DPX
    - 이 회사 포토마스크 CAD 프로그램은 구멍 뚫린 폰트 적용은 허용 안되는 듯.
2. CAD에서는 곡선을 정의할 수 없다.
  1. SAW-핸드폰RF
    1. 2008.04 출시 Motorola Z8m 슬라이드 피처폰
      - 신호선에만 계단형태의 전극을 사용. 글꼴을 곡선으로 그릴 수 없어서.
3. 얼라인을 위한 인식 마크를 넣어야 한다.
  1. 핸드폰용 이미지센서
    1. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
      - 이 6개 막대기(피치 20.0um)는 Canon Stepper를 위한, align용 인식마크

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 <li> [[CIF2DXF]]
+<li> [[정렬키]]
 <li> [[더미 필 패턴]]
 <li> [[안티에일리어싱]]
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 <li> [[IC 표식]]
 <li> [[TEG]]
+<li> [[광학 해상도 차트]]
 <li> [[Copyright]]
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 <li> [[SAW-핸드폰RF]]
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-<li>2009.03 제조품 Motorola [[Z8m]] 핸드폰에서
+<li>2008.04 출시 Motorola [[Z8m]] 슬라이드 피처폰
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 image:z8m01_061.jpg | 신호선에만 계단형태의 전극을 사용. 글꼴을 곡선으로 그릴 수 없어서.