"전류검출용R"의 두 판 사이의 차이

(새 문서: 전류검출용 저저항 <ol> <li>기술자료 <ol> <li>상식 <ol> <li>높은 전류 때문에 상승하는 온도를 낮추기 위해 저항이 낮아야한다. <li>온도를 낮...)
 
1번째 줄: 1번째 줄:
전류검출용 저저항
+
전류검출용 저저항  
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>기술자료
 
<li>기술자료
16번째 줄: 16번째 줄:
 
image:manganin01_002.jpg
 
image:manganin01_002.jpg
 
image:manganin01_003.jpg
 
image:manganin01_003.jpg
image:manganin01_004.jpg|구리선에 비해 약 25배 저항이 높다.
+
image:manganin01_004.jpg | 구리선에 비해 약 25배 저항이 높다.
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
27번째 줄: 27번째 줄:
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:testhead01_017.jpg
 
image:testhead01_017.jpg
image:testhead01_020.jpg|40개 10오옴 = 0.25오옴
+
image:testhead01_020.jpg | 40개 10오옴 = 0.25오옴
 
image:testhead01_021.jpg
 
image:testhead01_021.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
33번째 줄: 33번째 줄:
 
<li>KOA - NPR 시리즈, teal(청녹색) 마킹
 
<li>KOA - NPR 시리즈, teal(청녹색) 마킹
 
<ol>
 
<ol>
<li>- 2p,
+
<li> - 2p,
 
<li>Hitachi DMS-7A 압력계에서
 
<li>Hitachi DMS-7A 압력계에서
 
<gallery>
 
<gallery>
image:dms7a200k_012.jpg|배터리 충방전 회로에서
+
image:dms7a200k_012.jpg | 배터리 충방전 회로에서
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>, Copper-nickel 합금 또는 Fe-Cr 합금 재료라고 함.
+
<li> , Copper-nickel 합금 또는 Fe-Cr 합금 재료라고 함.
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>LS 산전 인버터에서
 
<li>LS 산전 인버터에서
55번째 줄: 55번째 줄:
 
<li>측정
 
<li>측정
 
<gallery>
 
<gallery>
image:temp_coeffi01_001.jpg|전체 사진
+
image:temp_coeffi01_001.jpg | 전체 사진
 
image:temp_coeffi01_007.jpg
 
image:temp_coeffi01_007.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
61번째 줄: 61번째 줄:
 
<li>배터리 팩에서
 
<li>배터리 팩에서
 
<ol>
 
<ol>
<li>IBM ThinkPad용 배터리 팩에서
+
<li>Metal strip 저항체 구조, IBM ThinkPad용 배터리 팩에서
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>08K8198, 10.8V 6.6AH
 
<li>08K8198, 10.8V 6.6AH
 
<ol>
 
<ol>
<li>17/07/18+100ppm/'C 라면 80Ni,20Cr으로 추측
+
<li>17/07/18 +100ppm/'C 라면 80Ni,20Cr으로 추측
 
<gallery>
 
<gallery>
image:r_ultralow02_000_001.png|DMM 측정
+
image:r_ultralow02_000_001.png | DMM 측정
image:r_ultralow02_000_002.png|샘플이 오븐벽에 닿아서
+
image:r_ultralow02_000_002.png | 샘플이 오븐벽에 닿아서
image:r_ultralow02_000_003.png|열처리전
+
image:r_ultralow02_000_003.png | 열처리전
image:r_ultralow02_000_004.png|열처리후
+
image:r_ultralow02_000_004.png | 열처리후
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>사진
 
<li>사진
78번째 줄: 78번째 줄:
 
image:r_ultralow02_001.jpg
 
image:r_ultralow02_001.jpg
 
image:r_ultralow02_002.jpg
 
image:r_ultralow02_002.jpg
image:r_ultralow02_003.jpg|0.010 나온다.
+
image:r_ultralow02_003.jpg | 0.010 나온다.
image:r_ultralow02_004.jpg|트리밍
+
image:r_ultralow02_004.jpg | 트리밍
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>08K8193, 10.8V 4.4AH (표준)
 
<li>08K8193, 10.8V 4.4AH (표준)
 
<gallery>
 
<gallery>
image:notebook03_007.jpg|전류 측정 저항
+
image:notebook03_007.jpg | 전류 측정 저항
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>Fusitsu 노트북 E8410 배터리 팩에서, product no:FPCBP176 14.4V 5200mAh(74Wh) P/N CP335284-01
+
<li>Metal strip 저항체 구조, Fusitsu 노트북 E8410 배터리 팩에서, product no:FPCBP176 14.4V 5200mAh(74Wh) P/N CP335284-01
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:notebook02_002.jpg
 
image:notebook02_002.jpg
 
image:notebook02_008.jpg
 
image:notebook02_008.jpg
image:notebook02_010.jpg|5mohm
+
image:notebook02_010.jpg | 5mohm
 
image:r_ultralow04_001.jpg
 
image:r_ultralow04_001.jpg
image:r_ultralow04_002.jpg|와이어커팅
+
image:r_ultralow04_002.jpg | 와이어커팅
image:r_ultralow04_003.jpg|프레싱
+
image:r_ultralow04_003.jpg | 프레싱
 +
</gallery>
 +
<li>아무런 트리밍을 하지 않는 것처럼 보임
 +
<ol>
 +
<li>[[Lenovo ideapad 700-15isk]] 노트북, 산요 배터리팩에서
 +
<gallery>
 +
image:lenovo_ideapad_026_001.jpg | 페인트를 벗기면
 +
image:lenovo_ideapad_026_002.jpg | 아래, 전극사이 연녹회색 절연체도 페인트
 +
image:lenovo_ideapad_026_003.jpg | 측면 표면만 살짝 갈아내어
 +
image:lenovo_ideapad_026_004.jpg | 9.7m오옴
 +
image:lenovo_ideapad_026_005.jpg | 어떻게 트리밍할까? 트리밍한 흔적이 없다.
 +
image:lenovo_ideapad_026_006.jpg | 질산에 넣은 후, 갈아내지 않는 측면 - 프레스로 자른 흔적
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>노트북에서
+
</ol>
<ol>
+
<li>노트북에서 Fujitsu E8410 본체에서(2007년산 추측)
<li>Fujitsu Notebook E8410 본체에서(2007년산 추측)
 
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>IC 2개에서 사용, 배터리 충전기, 전력 제어기
 
<li>IC 2개에서 사용, 배터리 충전기, 전력 제어기
 
<gallery>
 
<gallery>
image:fujitsue8410_070.jpg|Maxim 1533AE(5출력 파워 제어기) 8724(배터리 충전기)
+
image:fujitsue8410_070.jpg | Maxim 1533AE(5출력 파워 제어기) 8724(배터리 충전기)
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>10m오옴
 
<li>10m오옴
126번째 줄: 136번째 줄:
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
</ol>
+
<li>노트북 (2003년 제작)LG IBM ThinkPad T40, Type 2373
<li>칠성상회 기증품, (2003년 제작)LG IBM ThinkPad T40, Type 2373
+
<ol>
 +
<li>2.0x1.6mm
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>DC 전압에서. ADP3806 - Analog Devices, High Frequency Switch Mode Li-Ion Battery Charger
 
<li>DC 전압에서. ADP3806 - Analog Devices, High Frequency Switch Mode Li-Ion Battery Charger
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:ibm_t40_143.jpg
 
image:ibm_t40_143.jpg
image:ibm_t40_222.jpg|12.0mohm = 32.4//32.4//46.4mohm (1% 편차에 있는 값임. 120는 118 121 사이에 있음) 아마 33/33/33일것임
+
image:ibm_t40_222.jpg | 12.0mohm = 32.4//32.4//46.4mohm (1% 편차에 있는 값임. 120는 118 121 사이에 있음) 아마 33/33/33일것임
image:ibm_t40_223.jpg|2,3번핀이 시스템DC용 10mohm 전류 센싱, 17,18은 배터리용 40mohm 전류센싱
+
image:ibm_t40_223.jpg | 2,3번핀이 시스템DC용 10mohm 전류 센싱, 17,18은 배터리용 40mohm 전류센싱
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>전류검출용 저항 3개병렬은 두 군데 더 있음.
 
<li>전류검출용 저항 3개병렬은 두 군데 더 있음.
 
<gallery>
 
<gallery>
image:ibm_t40_224.jpg|33//33//33mohm 뜯어서 측정하면
+
image:ibm_t40_224.jpg | 33//33//33mohm 뜯어서 측정하면
image:ibm_t40_225.jpg|12.0mohm
+
image:ibm_t40_225.jpg | 12.0mohm
image:ibm_t40_226.jpg|33//33//33mohm 뜯어서 측정하면
+
image:ibm_t40_226.jpg | 33//33//33mohm 뜯어서 측정하면
image:ibm_t40_227.jpg|11.0mohm
+
image:ibm_t40_227.jpg | 11.0mohm
 
image:ibm_t40_228.jpg
 
image:ibm_t40_228.jpg
image:ibm_t40_229.jpg|상하 대칭 - 패턴이 동일하게 형성
+
image:ibm_t40_229.jpg | 상하 대칭 - 패턴이 동일하게 형성
 
</gallery>
 
</gallery>
 +
<li>타 세트에서
 +
<ol>
 +
<li>삼성 3.5" HDD,  SP0802N, 80GB
 +
<ol>
 +
<li>V-I 커브 측정 데이터
 +
<ol>2A에서 끊어지지 않는다. 실험 실패
 +
</ol>
 +
<li>사진
 +
<gallery>
 +
image:hdd3p5_02_012.jpg | 60m오옴
 +
image:r_ultralow09_001.jpg
 +
image:r_ultralow09_002.jpg | 앞 뒷면 모두 패턴이 형성되어 있음.
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
</ol>
 
<li>칩저항기 4개를 사용함. 220/220/220/220 = 55m(측정하니)
 
<li>칩저항기 4개를 사용함. 220/220/220/220 = 55m(측정하니)
 
<gallery>
 
<gallery>
151번째 줄: 178번째 줄:
 
<li>CPU 전원 콘트롤러, ADP3205 Multiphase Power Core Controller
 
<li>CPU 전원 콘트롤러, ADP3205 Multiphase Power Core Controller
 
<gallery>
 
<gallery>
image:ibm_t40_103.jpg|R467: 2.01m R114: 2.00m
+
image:ibm_t40_103.jpg | R467: 2.01m R114: 2.00m
 
image:ibm_t40_230.jpg
 
image:ibm_t40_230.jpg
 
image:r_ultralow05_003.jpg
 
image:r_ultralow05_003.jpg
 
image:r_ultralow05_001.jpg
 
image:r_ultralow05_001.jpg
image:r_ultralow05_002.jpg|트리밍을 잡아당겨서 하나?
+
image:r_ultralow05_002.jpg | 트리밍을 잡아당겨서 하나?
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>omniBER 계측기에서, 페인트 코팅
+
<li>노트북 Compaq nx6320에서 - 이 저항 하나만 쉽게 보임.
 +
<gallery>
 +
image:compaq_nx6320_080.jpg | bq24703, battery charge controller and selector
 +
</gallery>
 +
<li>omniBER 계측기에서, Metal strip 저항체 구조, 페인트 코팅
 +
<ol>
 +
<li>저항 0.16오옴
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:j1409a00_024_028.jpg
 
image:j1409a00_024_028.jpg
 
image:j1409a00_024_029.jpg
 
image:j1409a00_024_029.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>저항 0.012오옴
 +
<gallery>
 +
image:j1409a00_065.jpg
 +
image:r_ultralow08_001.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>HDD - spindle motor and VCM(voice coil motor) controller에서
 +
<ol>
 +
<li>삼성 3.5", SP0802N, 80GB. 왼쪽은 수지보호막, 오른쪽은 유리보호막
 +
<gallery>
 +
image:hdd3p5_02_011.jpg | 전류 감지를 위한 3병렬 칩저항 3.2x1.6mm 1.0오옴, 2.0저항(모터용, 액츄에이터용)
 +
</gallery>
 +
<li>Seagate, ST31000528AS, Barracuda 7200.12, 1TB
 +
<ol>
 +
<li>
 +
<li>사진
 +
<gallery>
 +
image:hdd3p5_03_007.jpg
 +
image:hdd3p5_03_008.jpg
 +
image:hdd3p5_03_009.jpg | 저저항 측정
 
</gallery>
 
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>Western Digital Caviar SE, WD2500JS, 250GB, SATA2, 모두 3.2x1.6mm (일반 저항값은 1/4W, 저저항은?)
 +
<gallery>
 +
image:hdd3p5_04_008.jpg | ST SMOOTH L6283
 +
image:r_ultralow10_001.jpg | R270 = 0.270 0.96A
 +
image:r_ultralow10_002.jpg | 1R00 = 1.00  0.5A
 +
image:r_ultralow10_003.jpg | R120 = 0.120 1.4A
 +
image:r_ultralow10_004.jpg | R050 = 0.050 2.2A
 +
</gallery>
 +
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>와이어 저항
 
<li>와이어 저항
168번째 줄: 232번째 줄:
 
<li>Moritex UV light source, MUV-250U-L에서 SMPS
 
<li>Moritex UV light source, MUV-250U-L에서 SMPS
 
<ol>
 
<ol>
<li>16/11/23,
+
<li>16/11/23 ,
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:r_ultralow01_003.jpg
 
image:r_ultralow01_003.jpg
image:r_ultralow01_004.jpg|주석도금구리선과 비교
+
image:r_ultralow01_004.jpg | 주석도금구리선과 비교
image:r_ultralow01_005.png|샘플 0.6%
+
image:r_ultralow01_005.png | 샘플 0.6%
image:r_ultralow01_006.png|구리선 80%
+
image:r_ultralow01_006.png | 구리선 80%
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>사진
 
<li>사진
191번째 줄: 255번째 줄:
 
<li>패널 미터
 
<li>패널 미터
 
<gallery>
 
<gallery>
image:ammeter02_001.jpg|27m오옴 ??선이 있다.
+
image:ammeter02_001.jpg | 27m오옴 ??선이 있다.
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
206번째 줄: 270번째 줄:
 
<li>Yokogawa 2534 Digital Power Meter, 전류 위상 검출용 20W 고장나서, 임시 제작함
 
<li>Yokogawa 2534 Digital Power Meter, 전류 위상 검출용 20W 고장나서, 임시 제작함
 
<gallery>
 
<gallery>
image:Y2534_01_043.jpg
+
image:y2534_01_043.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>HP3458A DMM에서, 전류 검출용 저저항(0.1 OHM SHUNT +-10% TC+-5PPM)
 
<li>HP3458A DMM에서, 전류 검출용 저저항(0.1 OHM SHUNT +-10% TC+-5PPM)
225번째 줄: 289번째 줄:
 
<li>6035A 파워서플라이, 500V 5A 1000W
 
<li>6035A 파워서플라이, 500V 5A 1000W
 
<gallery>
 
<gallery>
image:6035a_013.jpg|Main Board(A1)에서, R11 current sensing resistor, 0.013ohm
+
image:6035a_013.jpg | Main Board(A1)에서, R11 current sensing resistor, 0.013ohm
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>6651A 8V 50A 파워서플라이에서
 
<li>6651A 8V 50A 파워서플라이에서
 
<gallery>
 
<gallery>
image:6651A01_011.jpg|R657 current sensing 0.0027ohm
+
image:6651a01_011.jpg | R657 current sensing 0.0027ohm
image:6651A01_010_002.png
+
image:6651a01_010_002.png
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
237번째 줄: 301번째 줄:
 
<li>Keithley 2612B에서
 
<li>Keithley 2612B에서
 
<ol>
 
<ol>
<li>17/10/28
+
<li>17/10/28  
 
<li>0.1 오옴 1%
 
<li>0.1 오옴 1%
 
<gallery>
 
<gallery>
247번째 줄: 311번째 줄:
 
<li>오픈된(48pF, ~800k오옴DC), 전류감지 션트 저항(10m오옴)
 
<li>오픈된(48pF, ~800k오옴DC), 전류감지 션트 저항(10m오옴)
 
<gallery>
 
<gallery>
image:Y2534_01_018.jpg
+
image:y2534_01_018.jpg
image:Y2534_01_019.jpg
+
image:y2534_01_019.jpg
image:Y2534_01_020.jpg|PC type, W TCR(+-15ppm), D tolerance(+-0.5%) 2019/03 가격 10만원
+
image:y2534_01_020.jpg | PC type, W TCR(+-15ppm), D tolerance(+-0.5%) 2019/03 가격 10만원
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>고장난, 전류감지 저항 분해
 
<li>고장난, 전류감지 저항 분해
 
<gallery>
 
<gallery>
image:Y2534_01_037.jpg
+
image:y2534_01_037.jpg
image:Y2534_01_038.jpg
+
image:y2534_01_038.jpg
image:Y2534_01_039.jpg
+
image:y2534_01_039.jpg
image:Y2534_01_040.jpg
+
image:y2534_01_040.jpg
image:Y2534_01_040_001.jpg|레이저 트리밍 자국에 검정 페인트가 들어감
+
image:y2534_01_040_001.jpg | 레이저 트리밍 자국에 검정 페인트가 들어감
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>더 분해
 
<li>더 분해
 
<gallery>
 
<gallery>
image:Y2534_01_042.jpg|포일 저항체 패턴을 풀로 붙였음.
+
image:y2534_01_042.jpg | 포일 저항체 패턴을 풀로 붙였음.
image:Y2534_01_041.jpg|알루미나기판, 일정한 두께로 실리콘접착제
+
image:y2534_01_041.jpg | 알루미나기판, 일정한 두께로 실리콘접착제
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>Kikusui PCR-500M
 
<li>Kikusui PCR-500M
 
<gallery>
 
<gallery>
image:pcr500m_021.jpg|전류검출용
+
image:pcr500m_021.jpg | 전류검출용
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>코닉스 KR-100N 펜 레코더에서 250오옴 0.05% 25ppm TCR, 100mA용(=2.5W)
 
<li>코닉스 KR-100N 펜 레코더에서 250오옴 0.05% 25ppm TCR, 100mA용(=2.5W)
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:kr100_01_001.jpg
 
image:kr100_01_001.jpg
image:kr100_01_002.jpg|249.96 / 249.98 / 250.06 / 250.08
+
image:kr100_01_002.jpg | 249.96 / 249.98 / 250.06 / 250.08
 
</gallery>
 
</gallery>
 +
<li>Dale, LVR-5 시리즈, Metal strip 저항체 구조
 +
<ol>
 +
<li>LVR시리즈 데이터 시트 - 3p
 +
<li>8960 통신분석기, SMPS에서,0.07오옴, 1%, 5W
 +
<gallery>
 +
image:r_ultralow07_001.jpg
 +
image:r_ultralow07_002.jpg
 +
image:r_ultralow07_003.jpg
 +
image:r_ultralow07_004.jpg
 +
image:r_ultralow07_005.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>장치
 
<li>장치

2019년 12월 13일 (금) 09:13 판

전류검출용 저저항

  1. 기술자료
    1. 상식
      1. 높은 전류 때문에 상승하는 온도를 낮추기 위해 저항이 낮아야한다.
      2. 온도를 낮추기 위해 방열이 잘되어야 한다.
      3. 상승하는 온도 영향을 적게 받기 위해 저항온도계수가 낮아야 한다.
    2. manganin 저항
      1. 아래 사진은 전류검출용이 아닌, 표준저항에 사용되는 bifilar 저항이다.(Non-Inductive Wire wound Resistor)
  2. 칩 저항
    1. 전류 위상 검출용
      1. E5060A B-H/Z ANALYZER에서 test head
    2. KOA - NPR 시리즈, teal(청녹색) 마킹
      1. - 2p,
      2. Hitachi DMS-7A 압력계에서
    3. , Copper-nickel 합금 또는 Fe-Cr 합금 재료라고 함.
      1. LS 산전 인버터에서
        1. LS산전, SV022iG5A-4
        2. LS산전, SV008iC5-2, in 200-230V 6.6A 3상 50/60Hz, out 0~input 5A 3상, 0.01~400Hz, 1HP 0.75kW(D), 16/02/14 사진
      2. 측정
    4. 배터리 팩에서
      1. Metal strip 저항체 구조, IBM ThinkPad용 배터리 팩에서
        1. 08K8198, 10.8V 6.6AH
          1. 17/07/18 +100ppm/'C 라면 80Ni,20Cr으로 추측
          2. 사진
        2. 08K8193, 10.8V 4.4AH (표준)
      2. Metal strip 저항체 구조, Fusitsu 노트북 E8410 배터리 팩에서, product no:FPCBP176 14.4V 5200mAh(74Wh) P/N CP335284-01
      3. 아무런 트리밍을 하지 않는 것처럼 보임
        1. Lenovo ideapad 700-15isk 노트북, 산요 배터리팩에서
    5. 노트북에서 Fujitsu E8410 본체에서(2007년산 추측)
      1. IC 2개에서 사용, 배터리 충전기, 전력 제어기
      2. 10m오옴
      3. 27m오옴
      4. 5m오옴 - ODD 옆에서
      5. 1m오옴
    6. 노트북 (2003년 제작)LG IBM ThinkPad T40, Type 2373
      1. 2.0x1.6mm
        1. DC 전압에서. ADP3806 - Analog Devices, High Frequency Switch Mode Li-Ion Battery Charger
        2. 전류검출용 저항 3개병렬은 두 군데 더 있음.
        3. 타 세트에서
          1. 삼성 3.5" HDD, SP0802N, 80GB
            1. V-I 커브 측정 데이터
                2A에서 끊어지지 않는다. 실험 실패
            2. 사진
      2. 칩저항기 4개를 사용함. 220/220/220/220 = 55m(측정하니)
      3. CPU 전원 콘트롤러, ADP3205 Multiphase Power Core Controller
    7. 노트북 Compaq nx6320에서 - 이 저항 하나만 쉽게 보임.
    8. omniBER 계측기에서, Metal strip 저항체 구조, 페인트 코팅
      1. 저항 0.16오옴
      2. 저항 0.012오옴
    9. HDD - spindle motor and VCM(voice coil motor) controller에서
      1. 삼성 3.5", SP0802N, 80GB. 왼쪽은 수지보호막, 오른쪽은 유리보호막
      2. Seagate, ST31000528AS, Barracuda 7200.12, 1TB
        1. 사진
      3. Western Digital Caviar SE, WD2500JS, 250GB, SATA2, 모두 3.2x1.6mm (일반 저항값은 1/4W, 저저항은?)
  3. 와이어 저항
    1. Moritex UV light source, MUV-250U-L에서 SMPS
      1. 16/11/23 ,
      2. 사진
    2. 라이카 현미경, 수은등 전원공급장치에서
    3. 아날로그 전류계
      1. 패널 미터
    4. TaeKwang TK-360A, 김명기 고등학교 때 구입한 듯
    5. Handheld DMM, 2~5호기(4대 구입) Pro'sKit MT-1233D 13,000원, 집에서 한 대 사용
    6. Yokogawa 2534 Digital Power Meter, 전류 위상 검출용 20W 고장나서, 임시 제작함
    7. HP3458A DMM에서, 전류 검출용 저저항(0.1 OHM SHUNT +-10% TC+-5PPM)
    8. Wirewound Resistors
      1. 6613C - 50V 1A 파워서플라이에서, SPU-series, 53은 5W, 1%, Wirewound Resistors, Molded Style, Current Shunts, Four Terminal
  4. 리본 타입
    1. 6035A 파워서플라이, 500V 5A 1000W
    2. 6651A 8V 50A 파워서플라이에서
  5. 리드 타입
    1. Keithley 2612B에서
      1. 17/10/28
      2. 0.1 오옴 1%
    2. Yokogawa 2534 Digital Power Meter, 전류 위상 검출용 20W
      1. 오픈된(48pF, ~800k오옴DC), 전류감지 션트 저항(10m오옴)
      2. 고장난, 전류감지 저항 분해
      3. 더 분해
    3. Kikusui PCR-500M
    4. 코닉스 KR-100N 펜 레코더에서 250오옴 0.05% 25ppm TCR, 100mA용(=2.5W)
    5. Dale, LVR-5 시리즈, Metal strip 저항체 구조
      1. LVR시리즈 데이터 시트 - 3p
      2. 8960 통신분석기, SMPS에서,0.07오옴, 1%, 5W
  6. 장치
    1. Yokogawa 2811
      1. 외관
      2. 내부
      3. 주요 사진