"다이싱"의 두 판 사이의 차이
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+ | image:z8m01_069_002.jpg | LTCC는 레이저 [[천공]], 에폭시는 half-cut [[다이싱]] 후 부러뜨린 듯 | ||
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+ | <li> Motorola [[Z8m]] 휴대폰에서, [[SAW-모듈]] | ||
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+ | image:z8m01_093.jpg | LTCC [[다이싱]] 방법 | ||
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+ | <li>실리콘 웨이퍼 | ||
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+ | <li>Panasonic [[VP-7750A]] Wow Flutter 미터 | ||
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+ | image:vp_7750a_080.jpg | LM306H, high-speed voltage comparators | ||
+ | image:vp_7750a_084.jpg | NEC uPC157A, op amp. | ||
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+ | <li>HP [[8112A]] 50 MHz pulse generator에서, 어떤 [[Tr]]에서 | ||
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+ | <li>용어 stealth dicing, ultrashort pulsed(USP) | ||
+ | <li>유리(soda lime glass) | ||
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+ | <li>장점: high speed cutting, no chipping, dust-free, zero-kerf, no chemicals | ||
+ | <li>스텔스 다이싱 단점: 절단면에 큰 거칠기 존재, 완전히 분리하는 개별화 작업을 위해 기계적인 충격이 필요함. | ||
+ | <li>완전한 절단(Full ablation cutting) - 작업속도가 느리다. 측벽이 매우 거칠다. 많은 먼지가 발생된다. | ||
+ | <li>제어된 파괴전파(Controlled fracture propagation) - 시작지점을 기계적으로 긁고, 이후 레이저로 가열하여 균열 발생하는 기법(절단면이 매끄럽다. 곡선이 안된다. 경로가 부정확하다. 열을 받는다.) | ||
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<li>레이저 촛점을 이룬 공간에 웨이퍼 재료가 깨져 개질층(빈공간) 형성해야 한다. | <li>레이저 촛점을 이룬 공간에 웨이퍼 재료가 깨져 개질층(빈공간) 형성해야 한다. | ||
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<li>개질층이 웨이퍼 두께에 따라 1~5회 형성해야 하므로, 촛점 깊이를 정확히 맞출 수 있어야 한다. | <li>개질층이 웨이퍼 두께에 따라 1~5회 형성해야 하므로, 촛점 깊이를 정확히 맞출 수 있어야 한다. | ||
<li>웨이퍼 표면 높이를 레이저 센서로 미리 측정하여 촛점을 맞춘다. | <li>웨이퍼 표면 높이를 레이저 센서로 미리 측정하여 촛점을 맞춘다. | ||
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<li>빈공간이 작아야 정교하게 개질층이 형성된다. 생산성 때문에 펄스 주파수(Q-rate)가 높아야 한다. | <li>빈공간이 작아야 정교하게 개질층이 형성된다. 생산성 때문에 펄스 주파수(Q-rate)가 높아야 한다. | ||
<li>레이저 빔 직경이 기존대비 1/10이면 Q-Rate는 x10 이어야 절삭속도가 동일해진다. | <li>레이저 빔 직경이 기존대비 1/10이면 Q-Rate는 x10 이어야 절삭속도가 동일해진다. | ||
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image:saw1411_01_002.jpg | 줄무늬 수평 간격이 절단 속도에 비례한다. | image:saw1411_01_002.jpg | 줄무늬 수평 간격이 절단 속도에 비례한다. | ||
− | image:saw1411_01_003.jpg | 두께 5% 매우 빠르게, 두께 60% 천전히, 그리고 뒤집어서 다시. 총 4번 | + | image:saw1411_01_003.jpg | 두께 5% 매우 빠르게, 두께 60% 천전히, 그리고 뒤집어서 다시. 총 4번 다이싱한 것처럼 보이지만, 한 번만 다이싱해도 이렇다.(?????) |
image:saw1411_01_004.jpg | 4번 다이싱 때문에, 뒷면 칩핑이 매우 적음 | image:saw1411_01_004.jpg | 4번 다이싱 때문에, 뒷면 칩핑이 매우 적음 | ||
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2021년 3월 10일 (수) 13:41 판
다이싱 dicing
- 링크
- 다이싱 모양
- 삼각형
-
- 평행사변형을 자른 삼각형
- MSC가 있는, high out-of-band rejection in surface acoustic wave (SAW) filters,
- MSC가 있는, high out-of-band rejection in surface acoustic wave (SAW) filters,
- 매우 긴 직각사각형 - 그냥 직사각형, 정사각형은 가장 널리 사용되므로 첨부 생략
- CIS - 스캐너용 contact image sensor
- DDI - 능동LCD용 Display Driver
- CIS - 스캐너용 contact image sensor
- 평행사변형
- TV용 IF SAW필터
- TV용 IF SAW필터
- 육각형
- LED칩
- LED칩
- 삼각형
- 금속 다이싱
- 얇은 구리판(PCB용 도금 동박 등)
- 도금 CSP 쏘필터
- 도금 CSP 쏘필터
- 리드프레임
- 얇은 구리판(PCB용 도금 동박 등)
- 스크라이빙 후 부러뜨림
- 쏘필터, 매우 긴 칩 - 러시아?
- 쏘필터, 매우 긴 칩 - 러시아?
- half-cut 다이싱 후
- 반도체 다이싱
- 레이저 기술
- 용어 stealth dicing, ultrashort pulsed(USP)
- 유리(soda lime glass)
- - 10p
- 기술
- 장점: high speed cutting, no chipping, dust-free, zero-kerf, no chemicals
- 스텔스 다이싱 단점: 절단면에 큰 거칠기 존재, 완전히 분리하는 개별화 작업을 위해 기계적인 충격이 필요함.
- 완전한 절단(Full ablation cutting) - 작업속도가 느리다. 측벽이 매우 거칠다. 많은 먼지가 발생된다.
- 제어된 파괴전파(Controlled fracture propagation) - 시작지점을 기계적으로 긁고, 이후 레이저로 가열하여 균열 발생하는 기법(절단면이 매끄럽다. 곡선이 안된다. 경로가 부정확하다. 열을 받는다.)
- 레이저 촛점을 이룬 공간에 웨이퍼 재료가 깨져 개질층(빈공간) 형성해야 한다.
- 레이저 촛점은 레이저 진행 방향에 따라 원형, 진행방향 타원, 진행에 수직방향 타원 등을 만들 수 있다.
- 개질층이 웨이퍼 두께에 따라 1~5회 형성해야 하므로, 촛점 깊이를 정확히 맞출 수 있어야 한다.
- 웨이퍼 표면 높이를 레이저 센서로 미리 측정하여 촛점을 맞춘다.
- 레이저가 나오는 렌즈는 NA값이 큰 대구경을 사용하여 촛점 깊이(DOF)를 낮게 형성시킨다.
- 빈공간이 작아야 정교하게 개질층이 형성된다. 생산성 때문에 펄스 주파수(Q-rate)가 높아야 한다.
- 레이저 빔 직경이 기존대비 1/10이면 Q-Rate는 x10 이어야 절삭속도가 동일해진다.
- 실리콘 웨이퍼
- 레이저
- CIS #2 - 레이저
- MEMS 마이크 - 1
- MEMS 마이크 - 2, 인기 레이저 다이싱 장비를 조사하니, 실리콘에 흡수율이 좋은 IR 파장에 전력은 10W.
- 인포콤 RF하이패스, 스위치
- CIS #2 - 레이저
- 회전 블레이드
- CIS #1 - 회전 다이아몬드 휠로 절단
- 만도 RF하이패스, 로스윈 PLL 모듈에 있는 TCXO용 IC
- 인포콤 RF하이패스, PAM용 TR 두 개
- first stage amp.
- second stage amp.
- first stage amp.
- CIS #1 - 회전 다이아몬드 휠로 절단
- 레이저
- 쏘필터용 웨이퍼
- 무라타, 1.4x1.1mm
- 무라타, 1.4x1.1mm
- 레이저 기술
- 절삭속도 추정
- K3953D에서, 30krpm이라면, 60um 수평간격이면 절삭속도는 30mm/sec.
- K3953D에서, 30krpm이라면, 60um 수평간격이면 절삭속도는 30mm/sec.
- 뒷면 그루빙(도랑 파기)
- K3953D에서 - 다이싱(칩두께 500um) 및 뒷면 그루빙(간격 330um, 깊이 110um, 폭 55um)
- 벌크파동을 제거하기 위한, 뒷면 grooving 및 Ag 에폭시 다이 접착제
SAW기술에서
- K3953D에서 - 다이싱(칩두께 500um) 및 뒷면 그루빙(간격 330um, 깊이 110um, 폭 55um)