로그인
211일, 14시간, 14분
-
Togotech
"정전용량 프루빙"의 두 판 사이의 차이
2024년 4월 24일 (수) 11:02 기준 최신판
(
원본 보기
)
Togotech
(
토론
|
기여
)
(새 문서: 정전용량 프루빙 <ol> <li>링크 <ol> <li>
전자부품
<ol> <li>
프루버
<ol> <li>
정전용량 프루빙
- 이 페이지 </ol> </ol> </ol> <li>기술 <ol> <li>...)
(차이 없음)
2024년 4월 24일 (수) 11:02 기준 최신판
정전용량 프루빙
링크
전자부품
프루버
정전용량 프루빙
- 이 페이지
기술
주로, interdigitated electrode capacitor에 대해서 측정한다.
대표적인 예가
IDT C
이다.
웨이퍼 척에 형성된 진공구멍이 측정값에 영향을 준다.
웨이퍼 밑에
천공
된 금속판을 놓고
척 표면 사진
100mm 웨이퍼 밑에 평탄한 금속 접지판을 올려놓은 효과를 갖는다.
금속판을 올려놓기 전과 후
전
후
측정
2022/04/30, 4인치, 8965개, 1.0x0.8mm 다이
Cp//Rp 측정 동영상
LCR-4284A
계측기(1MHz 1Vosc)에서 Cp/Rp 측정 데이터
Cp
Rp
참고:
Agilent 4339B
계측기로 측정한, IR 측정 데이터
10GΩ근처값을 보인다.