"IDT 커패시터"의 두 판 사이의 차이

2024년 11월 3일 (일) 22:40 기준 최신판

IDT 커패시터

전자부품
1. RLC
  1. 커패시터
    1. IDT 커패시터 - 이 페이지
2. 참고
  1. low ESL
  2. IDT 저항
기술정보, (plannar) InterDigitated electrode Capacitor(IDC) Conventional parallel plate capacitor(평행판 커패시터)
1. Vacuum permittivity = electric constant = 8.854E-12 [F/m] = 8.854E-14 [F/cm]
2. 정리
  1. 논문
    1. 논문-1
    2. 논문-2
    3. 논문-3
    4. 논문-4
  2. 설계
    1. EEsof EDA에서 Agilent
  3. low ESL 이 안된다.
    1. 대비되는 평행판 커패시터보다 ESR 및 ESL이 모두 크다.(좋지 않다.)
3. 이론
  - 계산식
  - h를 무한대로, t는 매우 얇다고 가정함.
4. 엑셀 계산식
  1. 두 계산식
    1. 전도도 센서를 바탕으로 하는 엑셀 계산식
    2. 정전용량 직접 계산하는
  2. 두 계산식 차이
    1. 어떤 SAW필터용 IDT에서
5. 실제 어떤 PCB에서
시험용 PCB에서
계측기에서
1. 3490xA에서
RF IC에서
1. 위성방송 수신 셋탑박스 DMT-3700HD, Broadcom BCM4505 에서
2. QSC6240, 3G 통신모듈에서
3. 튜너블C
  1. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰에서
    1. 폴리이미드 층을 불로 태워 제거한 후 다이
      - IDT 커패시터, 더미 필 패턴, Copyright
      - 주기 1.67um 구경 24.7um 39주기
    2. 중요 치수
      - 1.98x1.6mm (active area 1130x567um) 0.04pF이 최소라면, 0.04x20줄x14행=11pF
      - 추정 동작 원리
4. RF스위치IC
  1. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰에서
    1. K SA 뒷면에 마킹품, SoI(slicon on Insulator) 제품
      - M4793
      - FET 스위치
      - IDT 커패시터
5. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰, 터치 콘트롤러 IC에서
  1. Broadcom, Touchscreen Controller
SAW 필터에서
1. 포켓WiFi, 2.0x1.6mm 1800MHz용 DPX에서
  1. 내부
    - Rx 아래 - 밸런스 출력
  2. Rx 칩
    - interdigitated C(IDT C)
2. 1998 Motorola StarTAC AMPS 휴대폰 보드에서
  - Fujitsu Rx 881MHz SAW-핸드폰RF필터와 병렬로 연결된 IDT 커패시터
3. 2012.06 출시 삼성 SHV-E210K 갤럭시 S3 스마트폰
  - IDT 커패시터 패턴
4. 2020 삼성 갤럭시 A51 SM-A516N 휴대폰에서
  1. SAW 다이. IDT 커패시터 설계 방식이 매우 특이하다.
    - 아래쪽 패턴에는 전극막 한 층이 더 있다.
    - 좁은 틈새가 C를 형성시킨다. 1차: 알루미늄-IDT, 2차: 알루미늄-두꺼운막, 3차: 금 두꺼운막
  2. 이론
센서에서
1. 습도센서
  1. Sensirion SHTC1, Digital Humidity and Temperature Sensor IC, capacitive humidity sensor
    - CMOSens Technology
    - IDT 커패시터

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-IDT C
+IDT 커패시터
 <ol>
 <li> [[전자부품]]
@@ 5번째 줄: / 5번째 줄: @@
 <li> [[RLC]]
 <ol>
-<li> [[캐퍼시터]]
+<li> [[커패시터]]
 <ol>
-<li> [[IDT C]] - 이 페이지
+<li> [[IDT 커패시터]] - 이 페이지
 <ol>
 <li>
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 </ol>
 </ol>
-<li>기술정보, (plannar) InterDigitated electrode Capacitor(IDC)  Conventional parallel plate capacitor(평행판 캐퍼시터)
+<li>기술정보, (plannar) InterDigitated electrode Capacitor(IDC)  Conventional parallel plate capacitor(평행판 커패시터)
 <ol>
 <li>Vacuum permittivity =  electric constant = 8.854E-12 [F/m] = 8.854E-14 [F/cm]
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 <li> [[low ESL]] 이 안된다.
 <ol>
-<li>대비되는 평행판 캐퍼시터보다 ESR 및 ESL이 모두 크다.(좋지 않다.)
+<li>대비되는 평행판 커패시터보다 ESR 및 ESL이 모두 크다.(좋지 않다.)
 </ol>
 </ol>
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 <ol>
 <li>전도도 센서를 바탕으로 하는 엑셀 계산식
-<li>정전용량 직접 계산하는
+<li>[[정전용량]] 직접 계산하는
 </ol>
 <li>두 계산식 차이
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 <li> [[3490xA]]에서
 <ol>
-<li>34901
+<li> [[34901A 20+2 채널 멀티플렉서]]
 <gallery>
 image:34901a_003.jpg
 </gallery>
-<li>34905
+<li> [[34905A 듀얼 1x4 50Ω RF 멀티플렉서]]
 <gallery>
 image:34905_004.jpg
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 image:34905_006.jpg
 </gallery>
-<li>34908
+<li> [[34908A 40채널 멀티플렉서]]
 <gallery>
 image:34908_003.jpg
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 <gallery>
 image:bcm4505_004.jpg
-image:bcm4505_003.jpg | [[IDT C]]
+image:bcm4505_003.jpg | [[IDT 커패시터]]
 image:bcm4505_005.jpg
 image:bcm4505_006.jpg
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 image:3g_module01_026_015.jpg
 </gallery>
-<li> Apple [[iPhone 5S], [[튜너블C]]에서
+<li> [[튜너블C]]
+<ol>
+<li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰에서
 <ol>
 <li>폴리이미드 층을 불로 태워 제거한 후 다이
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 image:iphone5s01_165.jpg
 image:iphone5s01_166.jpg
-image:iphone5s01_167.jpg
+image:iphone5s01_167.jpg | [[IDT 커패시터]], [[더미 필 패턴]], [[Copyright]]
 image:iphone5s01_168.jpg
 image:iphone5s01_169.jpg | 주기 1.67um 구경 24.7um 39주기
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 </gallery>
 </ol>
-<li> Apple [[iPhone 5S], 터치 콘트롤러 IC에서
+</ol>
+<li> [[RF스위치IC]]
+<ol>
+<li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰에서
+<ol>
+<li>K SA 뒷면에 마킹품, SoI(slicon on Insulator) 제품
+<gallery>
+image:iphone5s01_126_016.jpg | M4793
+image:iphone5s01_126_017.jpg
+image:iphone5s01_126_018.jpg | [[FET]] 스위치
+image:iphone5s01_126_019.jpg | [[IDT 커패시터]]
+</gallery>
+</ol>
+</ol>
+<li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰, 터치 콘트롤러 IC에서
 <ol>
 <li>Broadcom, Touchscreen Controller
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 </gallery>
 </ol>
-<li> [[StarTAC]] 휴대폰에서
+<li>1998 Motorola [[StarTAC]] AMPS 휴대폰 보드에서
 <gallery>
-image:startac01_010.jpg | [[SAW-핸드폰RF]]  Fujitsu, Rx 881MHz 필터
+image:startac01_010.jpg | Fujitsu Rx 881MHz [[SAW-핸드폰RF]]필터와 병렬로 연결된 [[IDT 커패시터]]
 </gallery>
-<li>2012 삼성 갤럭시 S3 [[SHV-E210K]]
+<li>2012.06 출시 삼성 [[SHV-E210K]] 갤럭시 S3 스마트폰
 <gallery>
 image:shv_e210k_085_006.jpg
-image:shv_e210k_085_007.jpg | [[IDT C]] 패턴
+image:shv_e210k_085_007.jpg | [[IDT 커패시터]] 패턴
 </gallery>
 <li>2020 삼성 갤럭시 A51 [[SM-A516N]] 휴대폰에서
 <ol>
-<li>SAW 다이. [[IDT C]] 설계 방식이 매우 특이하다.
+<li>SAW 다이. [[IDT 커패시터]] 설계 방식이 매우 특이하다.
 <gallery>
 image:sm_a516n_063_006_010.jpg | 아래쪽 패턴에는 전극막 한 층이 더 있다.
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 image:humidity_sensor01_001.jpg
 image:humidity_sensor01_002.jpg | CMOSens Technology
-image:humidity_sensor01_003.jpg | [[IDT C]]
+image:humidity_sensor01_003.jpg | [[IDT 커패시터]]
 </gallery>
 </ol>
 </ol>
 </ol>